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国家自然科学基金(K1020228)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：杨瑞东邓荣斌肖军陈寒娴杨宇更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇退火
  • 1篇微晶
  • 1篇微晶硅
  • 1篇微晶硅薄膜
  • 1篇微晶化
  • 1篇晶化
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇TA
  • 1篇钽

机构

  • 1篇云南大学

作者

  • 1篇王茺
  • 1篇秦芳
  • 1篇杨宇
  • 1篇陈寒娴
  • 1篇肖军
  • 1篇邓荣斌
  • 1篇杨瑞东

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究
2008年
对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响。分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变。获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数。
邓荣斌王茺陈寒娴杨瑞东秦芳肖军杨宇
关键词：退火微晶硅薄膜钽
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