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国家重点基础研究发展计划(200561343)
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
相关作者:
钱勇
陈鸣波
胡建民
吴宜勇
何松
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相关机构:
上海空间电源研究所
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国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
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作者
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杨德庄
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何松
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吴宜勇
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胡建民
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陈鸣波
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钱勇
传媒
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太阳能学报
年份
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2010
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国产GaAs/Ge太阳电池在轨行为评价
被引量:3
2010年
研究了电子和质子辐照下国产GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。结果表明:小于200keV质子辐照下国内外GaAs/Ge电池等效损伤系数明显不同,原因是国内外太阳电池结构参数的不同引起的。高能质子和电子辐照下,国内外电池等效损伤系数结果相近,和电池结构关系不大,这是由于高能质子和能够造成电池位移损伤的电子更容易穿透电池,在电池中产生均匀损伤。通过计算透过防护盖片后的带电粒子能谱对JPL(Jet Propulsion Labo-ratory)的等效注量法进行了改进,在地球同步轨道环境下评价了国产GaAs/Ge太阳电池的在轨行为。
胡建民
吴宜勇
何松
钱勇
陈鸣波
杨德庄
关键词:
GAAS/GE太阳电池
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