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SrNb_2O_6-NaNbO_3-SiO_2玻璃陶瓷纳米介电复合材料的介电性能研究被引量：2: 2010年; 应用辊压快冷及可控结晶技术制备了玻璃陶瓷(SrNb2O6-NaNbO3-SiO2)纳米介电复合材料。研究了该复合材料的制备工艺参数与显微组织特性以及介电性能的关系,重点关注该材料的抗电击穿性能。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的分析结果显示,高温熔体经辊压快冷后得到典型的玻璃块体,在随后的可控结晶过程中,当温度高于750℃时,在玻璃基体中逐步析出具有高介电常数的纳米SrNb2O6和NaNbO3颗粒。当晶化温度为900℃时,析出相的平均尺寸约为28 nm。分析测试了该类材料介电常数的温谱特性和频谱特性。结果表明,该介电复合材料具有适宜的温谱和频谱特性。在100 Hz^1 MHz测试频率和-55~125℃测试范围内,该类材料均表现出极佳的稳定性(<5%)。与此同时,基于其特有的低孔隙率和纳米晶粒度的特点,该类复合材料的抗电击穿能力亦很突出。在700℃结晶化处理的样品的电击穿强度高达120 kV.mm-1。; 王磊杜军张庆猛罗君唐群; 关键词：击穿强度介电性能玻璃陶瓷

MNb_2O_6-NaNbO_3-SiO_2(M=Pb,Ba,Sr)体系玻璃陶瓷纳米复合材料的结构和介电性能研究被引量：2: 2012年; 应用铸造快冷及可控结晶技术制备3种玻璃陶瓷纳米复合介电材料———PbNb2O6+NaNbO3+SiO2(PNS),BaNb2O6+NaNbO3+SiO2(BNS)和SrNb2O6+NaNbO3+SiO2(SNS)。研究了这3种复合材料的结晶性能,微观形貌和介电性能。X射线衍射(XRD)的分析结果显示:PNS及SNS的玻璃在750℃可控结晶时,均形成中间相A2Nb2O7(A=Pb,Sr),且该中间相在850℃时消失,此时形成MNb2O6+NaNbO3(M=Pb,Sr)的高介电常数相,而BNS则未经过中间相,在750℃直接析出MNb2O6+NaNbO3(M=Ba)的高介电常数相。在所有的样品中,随着退火温度的升高,晶粒均有逐渐长大聚集的趋势。同时,SNS玻璃陶瓷在750℃及850℃结晶退火处理时,均析出枝状晶粒,异于PNS和BNS的球状晶粒。由可控结晶技术制备的玻璃陶瓷介电性能受热处理过程中所形成的介电相组成及其体积分数和晶粒尺寸的影响很大。分析测试了这3种体系玻璃陶瓷的介电常数与结晶化处理温度之间的关系及介电常数的电场稳定性。在900℃结晶退火时,PNS玻璃陶瓷具有最高的介电常数(～501,1 kHz),而BNS的介电常数在0～15 kV.mm-1的测试范围内具有最好的电场稳定性(<15%)。; 韩东方张庆猛唐群罗君杜军; 关键词：玻璃陶瓷铌酸盐钨青铜结构介电性能

PbO-Na_2O-Nb_2O_5-SiO_2系复合玻璃陶瓷的结晶行为和介电性能被引量：2: 2010年; 通过熔融-快冷-可控结晶技术,制备了不同Pb含量的PbO-Na2O-Nb2O5-SiO2系的玻璃陶瓷,并对其结晶行为和介电性能进行了研究。XRD分析结果表明,在750℃下热处理的样品,随Pb含量增加,相结构由立方钙钛矿演变至焦绿石相;而850℃下热处理样品,随Pb含量增加,相结构由方钙钛矿演变为钨青铜/钙钛矿两相共存;介电性能测试结果表明,750℃热处理样品介电常数随Pb含量增加而降低;850℃热处理样品趋势相反,且高Pb含量样品的介电常数温度依赖性显著。采用EDS对玻璃相内和陶瓷颗粒内部元素分布进行了分析,并采用三元系相图对结晶反应过程进行了解释,表明,不同组分和热处理条件下,析晶反应路径的不同是造成相变演化和介电性能显著不同的主要原因。; 王磊张庆猛杜军; 关键词：玻璃陶瓷介电性能

金属膜电极层对Na_2O-PbO-Nb_2O_5-SiO_2玻璃陶瓷电容器电性能的影响被引量：1: 2011年; 玻璃陶瓷电容器内电极结构及界面形貌对电性能有重要影响.采用磁控溅射法在介质层与银浆料电极间分别制备了Pt、Au、Cu和Ag金属膜内电极层,研究此电极层对Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷电容器电性能的影响.与单层浆料的电极结构相比,引入Pt、Au金属膜可以更有效地改善电性能:等效电容值增加25%,漏电流降低一个数量级.由SEM结果可知:Pt、Au、Cu膜与玻璃陶瓷紧密的界面接触能够抑制银向介质中扩散;然而,采用单层银浆料或引入Ag金属膜的样品界面多孔且银扩散严重.以上分析表明:Pt、Au金属膜电极层能够改善玻璃陶瓷电容器界面微观结构,有效抑制银的扩散,提高整体电性能.; 朱君罗君张庆猛杜军; 关键词：金属膜内电极电性能

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国家高技术研究发展计划(2008AA03A236)