国家教育部博士点基金(20060141026)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：胡礼中孙晓娟梁秀萍黎大兵张红治更多>>
- 相关机构：大连理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金科技部基础性研究重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- LPE-GaAs微探尖与VCSEL的粘合集成被引量：1
- 2008年
- 介绍了应用于扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖与垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的粘合集成方法,并利用扫描电子显微镜对集成后的微探尖与VCSEL进行了表征。结果表明,该种方法能够成功地将微探尖转移并集成到VCSEL的出光窗口上,实现微探尖与出光窗口的对准,并且整个过程中不会对微探尖造成损伤。这种技术对进一步实现由带有PIN光探测器的VCSEL与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着重要的应用价值。
- 田怡春胡礼中梁秀萍张红治潘石
- 关键词：液相外延
- GaAs微尖阵列的制备与场发射性能被引量：1
- 2008年
- 利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底边为60μm的微尖,其高度约为42μm。此微尖阵列排列规则,具有场发射特性,开启电场约为5.1V/μm。发射电流稳定,当电场由8.0V/μm增加到11.9V/μm,发射电流由6μA增到74μA,在发射时间超过3h的情况下,电流波动不超过3%。另外,GaAs微尖阵列场发射的F-N曲线不为直线,分析表明是表面态和场渗透共同作用的结果。这对GaAs微尖阵列在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的意义。
- 孙晓娟胡礼中宋航李志明蒋红缪国庆黎大兵
- 关键词：场发射砷化镓液相外延
