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中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B)

作品数:17 被引量:26H指数:3
相关作者:顾晓峰闫大为朱兆旻虞致国赵青云更多>>
相关机构:教育部江南大学浙江大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学医药卫生更多>>

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇短沟道
  • 3篇氧化物半导体
  • 3篇阈值电压
  • 3篇解析模型
  • 3篇金属氧化物半...
  • 3篇沟道
  • 3篇发光
  • 3篇半导体
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电流
  • 2篇搜索
  • 2篇群算法
  • 2篇人工蜂群
  • 2篇人工蜂群算法
  • 2篇自适
  • 2篇自适应
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇静电放电
  • 2篇局部搜索
  • 2篇光致

机构

  • 11篇教育部
  • 7篇江南大学
  • 2篇浙江大学
  • 1篇苏州大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 17篇顾晓峰
  • 7篇闫大为
  • 4篇朱兆旻
  • 3篇王福学
  • 3篇虞致国
  • 3篇赵青云
  • 3篇任舰
  • 2篇李丽莎
  • 2篇董树荣
  • 2篇肖少庆
  • 2篇焦晋平
  • 2篇吴滨
  • 2篇梁海莲
  • 2篇蔡小龙
  • 1篇田青
  • 1篇毕秀文
  • 1篇黄朴
  • 1篇黄龙
  • 1篇苏丽娜
  • 1篇黄红娟

传媒

  • 8篇固体电子学研...
  • 2篇物理学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇中国医疗器械...
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇计算机测量与...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型被引量:3
2013年
采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。
王睿赵青云朱兆旻顾晓峰
关键词:表面势阈值电压短沟道效应解析模型
高速高精度ADC动态参数评估系统的设计与实现被引量:3
2016年
高速高精度模数转换器(ADC)广泛应用于信号处理领域,其动态性能直接决定系统性能的优劣;由于实际使用的芯片与设计的额定指标间会存在偏差,有必要评估ADC的实际动态性能;基于FPGA及Labview实现了一个低成本、高可靠性的高速高精度ADC性能评估系统;系统由底层控制待评估ADC子卡,提供精确的采样样本;采用异步FIFO进行数据缓存,DMA方式优化数据存储;Labview定义通信模块,结合Matlab测试脚本完成动态参数测试;最后使用ADI公司的AD9467进行了测试验证;实验结果表明,该系统运行稳定,与datasheet相比,参数误差不超过1.89%,达到了IEEE Std 1241-2000的测试标准,降低了测试系统构建难度和成本。
黄朴冯洋虞致国何芹顾晓峰
关键词:模数转换器动态参数模块化数据采集
氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
2014年
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。
焦晋平任舰闫大为顾晓峰
关键词:铝镓氮氮化镓肖特基二极管
基于CC2530单片机的心电监测分析仪设计被引量:1
2018年
目的以CC2530单片机为核心,设计出一个远程无线心电监测系统。方法在CC2530单片机上实现心电信号的采集转换和数据处理,然后通过Zig Bee将数据传输到协调器,实现了心电信号和心率变异性数据的实时监测的功能。结果经测试,该系统的最大误差为3 beat/min,平均误差为1.6 beat/min。符合中华人民共和国医药行业标准。结论该设备有便携测量精度高的特点,具备一定参考价值和实用性。
潘天文田青魏朋博虞致国顾晓峰
关键词:CC2530ZIGBEE心率变异性
具有自适应趋向性和引导因子的人工蜂群算法被引量:5
2015年
针对人工蜂群算法中存在的收敛速度慢、寻优精度低的问题,提出了一种改进的人工蜂群算法。该算法将自适应趋向性加入雇佣蜂的搜索方案中,同时在观察蜂的搜索方案中加入引导因子。通过雇佣蜂对优秀蜜源的动态趋向搜索以及观察蜂在引导因子引领下的协同搜索,显著提高了算法的局部搜索能力。基于八个标准测试函数的仿真结果表明,与基本人工蜂群算法相比,改进后的算法在寻优精度和收敛速度方面均有明显提升。
臧培荃孙晨骜顾晓峰吴滨周长喜
关键词:人工蜂群算法局部搜索
0.18μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究(英文)被引量:1
2013年
基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发电压。两种改进结构均在0.18μmRFCMOS下进行流片,并使用传输线脉冲测试系统进行测试。实验数据表明,这两种新器件具有低触发电压、低漏电流(~nA),抗ESD能力均超过人体模型2kV,同时具有较高的维持电压(均超过3.3V),可保证其可靠地用于1.8V、3.3V I/O端口而避免出现闩锁问题。
柯逸辰梁海莲顾晓峰朱兆旻董树荣
关键词:静电放电双向可控硅
回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)
2014年
在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。
王福学蔡小龙闫大为朱兆旻顾晓峰
关键词:氧化锌纳米棒光致发光
增强寻优能力的自适应人工蜂群算法被引量:6
2016年
针对人工蜂群算法在求解函数优化问题中存在收敛精度不高、收敛速度较慢的问题,提出了一种改进的增强寻优能力的自适应人工蜂群算法。该算法利用逻辑自映射函数产生混沌序列对雇佣蜂搜索行为进行混沌优化,并引入萤火虫算法中的自适应步长策略动态调整观察蜂的搜索行为,从而提升了算法的局部搜索能力。基于标准测试函数的仿真结果表明,改进后的人工蜂群算法在寻优精度和收敛速度上均有明显提高。
张泰屠思远吴滨顾晓峰
关键词:人工蜂群算法混沌优化局部搜索
短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型被引量:1
2014年
通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。最后,利用Atlas软件对器件进行了模拟研究。结果表明,根据解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了模型的准确性。这些模型可为设计和应用新型的短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管提供理论基础。
赵青云于宝旗朱兆旻顾晓峰
关键词:阈值电压
LDMOS器件软失效分析及优化设计被引量:1
2014年
横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在高压静电放电(ESD)防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0.25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理,并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺杂漏版图的LDMOS器件,传输线脉冲(TLP)测试表明,器件在ESD应力下触发后一旦回滞即发生软失效,漏电流从2.19×10-9 A缓慢增至7.70×10-8 A。接着,对LDMOS器件内部电流密度、空间电荷及电场的分布进行了仿真,通过对比发现电场诱导的体穿通是引起软失效及漏电流增大的主要原因。最后,用深注入的N阱替代N型轻掺杂漏版图制备了LDMOS器件,TLP测试和仿真结果均表明,抑制的体穿通能有效削弱软失效,使其适用于高压功率集成电路的ESD防护。
黄龙梁海莲毕秀文顾晓峰曹华锋董树荣
关键词:横向扩散金属氧化物半导体静电放电
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