国家自然科学基金(60471044)
- 作品数：28 被引量：45H指数：4
- 相关作者：朱建国肖定全蓝德均陈强刘洪更多>>
- 相关机构：四川大学铜仁学院电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- 不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响被引量：4
- 2005年
- 利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.
- 蒲朝辉刘洪吴家刚朱基亮肖定全朱建国
- 关键词：PZT薄膜磁控溅射衬底
- PZT厚膜的制备及其热释电性能研究
- 2005年
- 相比薄膜而言,厚膜具有更明显的电学效应.PZT厚膜材料制成的器件不仅工作电压低、使用频率高、能与半导体集成电路兼容,而且电学性能优异(与体材料器件相近).PZT厚膜材料是典型的热释电材料,作者结合自己的研究工作分别从制备工艺、热释电性能的测试以及应用等方面。
- 蒲朝辉刘洪徐鹏蔡露肖定全朱建国
- 关键词：PZT厚膜溶胶-凝胶
- 退火工艺对PLT薄膜结晶性能的影响
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.研究了不同退火工艺对PLT薄膜结构的影响.发现在PbO气氛下退火能很好地抑制铅的挥发而得到具有钙钛矿结构的PLT薄膜.随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的相经历了钙钛矿相-焦绿石相共存→纯钙钛矿相→钙钛矿相-焦绿石相共存的变化.探讨了焦绿石相的结构在铁电薄膜中的成因.发现随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的晶粒逐渐增大,钙钛矿相质量百分比越高,轴比(c/a)也越大,PLT薄膜的铁电性越强.
- 刘洪蒲朝辉吴家刚朱基亮肖定全朱建国
- 关键词：铁电薄膜退火
- (111)取向(Pb,La)TiO_3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究被引量：4
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20—60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C.(cm2.K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.
- 刘洪蒲朝辉龚小刚王志红黄惠东李言荣肖定全朱建国
- 关键词：电畴PFM
- ZnO掺杂对铌酸锂钠钾陶瓷性质影响的研究被引量：6
- 2005年
- 以传统的电子陶瓷制备工艺制备了ZnO掺杂的(Li0.06Na0.5K0.44)NbO3(LNKN6/50)无铅压电陶瓷.研究表明,ZnO的适量引入,不仅可以保持(Li0.06Na0.5K0.44)NbO3陶瓷本身所具有的高机电耦合系数的性质,还可以有效地提高(Li0.06Na0.5K0.44)NbO3陶瓷的机械品质因数,降低陶瓷的烧结温度.
- 陈强周建青肖定全朱建国
- 关键词：无铅压电陶瓷品质因素
- 不同电极形式对掺镧钛酸铅铁电薄膜的介电性能的影响
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT10薄膜结晶性能。使用光刻工艺在Si(100)基底的PLT10薄膜上制备了叉指电极,测试了PLT10薄膜的介电性能。在室温下,测试频率为1kHz时,PLT10薄膜的介电常数为386。而采用相同工艺条件制备的具有平行电极结构的PLT10薄膜,其介电常数为365。但利用叉指电极测试的PLT10薄膜的介电常数和介电损耗随频率的下降比利用平行电极测试的PLT10薄膜的快些。这是因为叉指电极结构引入了更多的界面态影响的缘故。
- 刘洪蒲朝辉朱小红肖定全朱建国
- 关键词：铁电薄膜溅射电极
- 不同基底对掺镧钛酸铅铁电薄膜结晶性能的影响
- 2007年
- 采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜。采用常规热处理工艺对两种基底上生长的PLT铁电薄膜在相同条件下进行了退火。用原子力显微镜(AFM)观察PLT薄膜的表面形貌。用X射线衍射技术(XRD)研究PLT薄膜结晶性能。XRD图谱表明硅基底上的PLT在晶化后,各主要晶面的衍射峰均出现,取向呈现多样化;而在铂上的PLT在晶化后,只出现了(111)晶面衍射峰和(222)晶面衍射峰,取向是单一的〈111〉方向。通过对XRD的数据计算可知,在相同条件下退火的PLT薄膜,在铂上的PLT的晶粒尺寸大于在硅基底上的PLT的晶粒尺寸。晶粒尺寸的差异反应出了由于基底的影响而造成薄膜晶化过程中成核方式的差异。
- 刘洪蒲朝辉龚小刚张振宁肖定全朱建国
- 关键词：基底铁电薄膜
- (1-x)Pb(Ta0．5Sc0．5)O3-xPb(Zr0.52Ti0．48)O3(0．1≤x≤0．5)弛豫铁电陶瓷的制备工艺及其性能
- 2008年
- 利用短时研磨(粗磨,2 h)和长时研磨(细磨,48 h)两种不同的研磨工艺并结合B位复合陶瓷制备的一步法工艺流程,制备并研究了铅基钙钛矿弛豫铁电陶瓷(1-x)Pb(Ta0.5Sc0.5)O3-xPb(Zr0.52Ti0.48)O3(0.1≤x≤0.5)(PSTZT)。由细磨工艺制备的陶瓷在1 200℃下烧结2 h获得了纯钙钛矿相;细磨工艺PSTZT陶瓷表面平整、晶粒细小、致密性高,其介电与压电性能、热释电性能等全面优于粗磨工艺陶瓷。
- 张雪峰蓝德均欧俊邹敏朱建国
- （1-x）BiScO3-xPbTiO3铁电陶瓷的结构稳定性和电学性能研究
- 2006年
- 采用传统固相法制备了（1-x）BiScO3-xPbTiO3（BSPT）（x=0.58～0.66）铁电陶瓷.经XRD分析发现,BSPT体系三方相和四方相的准同型相界（MPB）在x=0.62附近.在准同型相界附近x=0.62处BSPT陶瓷的压电常数d33和平面机电耦合系数kp具有极大值,但机械品质因素Qm却最小.对BSPT体系及其它钙钛矿型ABO3化合物的结构稳定性进行了讨论,发现容差因子t和离子键百分比p可作为判定钙钛矿结构形成难易程度的基本参数,容差因子t越接近1且离子键百分比p越大的化合物,越容易合成稳定的钙钛矿结构.
- 陈异蓝德均陈强肖定全朱建国
- 关键词：铁电陶瓷钙钛矿结构压电性能
- (La_xSr_(1-x))(Ga_yMg_(1-y))O_3固体电解质的制备及性能研究被引量：2
- 2005年
- 采用固相法制备了锶,镁掺杂的镓酸镧(LSGM)固体电解质材料,并对其结晶结构、表面形貌和室温下的电导率进行了研究.XRD分析表明,LSGM样品具有正交钙钛矿结构.利用SEM,分析了烧结保温时间对LSGM样品表面形貌的影响.通过交流阻抗仪测试了室温下LSGM各个组分的电导率,发现在实验中所制备的组分范围内,LSGM体系具有以下特点固定Sr的掺杂量,电导率随Mg的增加而降低;固定Mg的掺杂量,电导率随Sr的增加而增加.
- 余小燕王开石乐夕肖定全朱建国
- 关键词：镓酸镧电解质固体氧化物燃料电池
