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国家自然科学基金(60471021)

作品数:4 被引量:13H指数:3
相关作者:李伟陈坤基黄信凡马忠元乔峰更多>>
相关机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 2篇纳米硅
  • 2篇激光
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇纳米硅薄膜
  • 1篇喇曼
  • 1篇喇曼光谱
  • 1篇激光辐照
  • 1篇激光干涉
  • 1篇光辐照
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇发光
  • 1篇非晶硅
  • 1篇高分辨透射电...
  • 1篇MULTIL...

机构

  • 3篇南京大学

作者

  • 3篇黄信凡
  • 3篇陈坤基
  • 3篇李伟
  • 2篇吴良才
  • 2篇乔峰
  • 2篇马忠元
  • 1篇刘艳松
  • 1篇王久敏
  • 1篇韩培高
  • 1篇徐骏
  • 1篇李鑫
  • 1篇宋捷
  • 1篇邹和成
  • 1篇陈铠
  • 1篇余林蔚
  • 1篇韩培

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储被引量:4
2006年
研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.
王久敏陈坤基宋捷余林蔚吴良才李伟黄信凡
关键词:纳米硅氮化硅
激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列被引量:4
2005年
利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域:每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为<111>.
邹和成乔峰吴良才黄信凡李鑫韩培高马忠元李伟陈坤基
关键词:激光干涉高分辨透射电子显微镜等离子体增强SINXSI02衬底材料
尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证被引量:5
2006年
基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.
刘艳松陈铠乔峰黄信凡韩培高钱波马忠元李伟徐骏陈坤基
关键词:非晶硅纳米硅激光辐照
The origin of blue photoluminescence from nc-Si/SiO_2 multilayers
2008年
Intensive blue photoluminescence (PL) was observed at room temperature from the nanocrystalline-Si/SiO2 (nc-Si/SiO2 ) multilayers (MLs) obtained by thermal annealing of SiO/SiO2 MLs for the first time. By controlling the size of nc-Si formed in SiO sublayer from 3.5 to 1.5 nm, the PL peak blueshifts from 457 to 411 nm. Combining the analysis of TEM, Raman and absorption measurement, this paper attributes the blue PL to multiple luminescent centres at the interface of nc-Si and SiO2 .
马忠元郭四华陈德媛魏德远姚瑶周江黄锐李伟徐骏徐岭黄信凡陈坤基冯端
关键词:PLNC-SI喇曼光谱光致发光
共1页<1>
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