天津市重点科技攻关项目(033183911)
- 作品数：3 被引量：13H指数：2
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- 相关机构：天津大学更多>>
- 发文基金：天津市重点科技攻关项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种用于CMOS图像传感器的Column-Level模数转换器被引量：7
- 2006年
- 设计了一种用于CMOS图像传感器(CIS)的column-level模数转换器(ADC)。它由一种新型斜坡发生器构成,具有分辨率可调的特点,而且以简单的结构实现了高精度和低功耗,占用较小的版图面积。基于0.35μm2P4M标准CMOS工艺,8bit ADC转换时间约50μs,最大线性误差小于±0.5LSB。在分辨率为640×480pixel的CIS中,每列共用1个比较器,提高了传感器的吞吐速率,帧频约40fps;3.3V电压下ADC总功耗不超过27mW,占用版图面积约0.5mm2。
- 王亚杰姚素英徐江涛付贤松
- CMOS图像传感器中数字噪声抑制技术研究被引量：8
- 2007年
- 设计了一种可以降低CMOS图像传感器(CIS)中数字噪声对模拟信号影响的时序。在时序控制电路中加入了门控时钟,使数字电路各模块可分时工作,在模拟电路采样阶段保持静止以抑制噪声。理论分析和测试结果表明,采样阶段噪声减小70%,其他时间噪声减小20%。
- 刘洪文张生才姚素英徐江涛
- 关键词：数字噪声
- 基于CMOS图像传感器应用的斜坡发生器
- 2008年
- 基于CMOS图像传感器应用,针对列并行的单斜模数转换器设计了一种内在精度高、分辨率可调的斜坡发生器IP核.在建立数学模型的基础上,通过改变参考电压实现分辨率在8bits与10bits之间可调.在3.3V电源电压、10MHz采样时钟下,平均功耗为2.288mw;8位分辨率时最大微分非线性和积分非线性分别为0.12LSB和0.32LSB;10位分辨率时微分非线性<0.38LSB,积分非线性<0.54LSB,满足百万像素阵列数据处理要求.整体CMOS图像传感器芯片采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺实现,斜坡发生器所占有效面积仅为150×112μm2.
- 张生才龚川姚素英徐江涛
- 关键词：CMOS图像传感器
