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吉林省科技发展计划基金(20061204)

作品数:2 被引量:5H指数:2
相关作者:门洪王伟广靳继勇穆胜伟胡德建更多>>
相关机构:东北电力大学浙江大学更多>>
发文基金:吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金吉林省教育厅科技计划项目更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇电流
  • 1篇铜离子
  • 1篇微传感器
  • 1篇细胞
  • 1篇离子
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇光寻址电位传...
  • 1篇硅片
  • 1篇薄膜传感器
  • 1篇
  • 1篇电流型

机构

  • 2篇东北电力大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 2篇穆胜伟
  • 2篇靳继勇
  • 2篇王伟广
  • 2篇门洪
  • 1篇胡德建
  • 1篇王平

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
光寻址电位传感器及其应用被引量:3
2008年
光寻址电位传感器(LAPS)是一种基于半导体光电效应的化学传感器,在稳定性、重复性、灵敏度、准确性和响应速度等方面具有优良的性能。介绍了LAPS的基本原理和测量方法,阐述了LAPS在细胞传感器、图像传感器、金属离子敏感薄膜传感器、气体传感器及生物医学领域中的应用,并对其存在问题和研究方向进行了总结和展望。
门洪胡德建穆胜伟靳继勇王伟广
关键词:光寻址电位传感器细胞
铜离子选择电流型薄膜传感器被引量:2
2008年
以铜离子选择电极为靶材,采用脉冲激光沉积技术在p型单晶硅基底上制备了一种铜离子选择电流型薄膜传感器。该传感器的线性区间为10^-4~10^-6mol/L,标准曲线的斜率为71nA/decade,检出限为3.0×10^-7mol/L,适宜pH范围4~6,响应时间不超过2min,在12周内该薄膜传感器显示了良好的稳定性和重复性。该薄膜传感器采用交流红外调制光源激发,以外电路中电流幅值变化量为铜离子浓度测量依据,基于电流量来表征薄膜传感器线性区斜率,该薄膜传感器的检出限比对应的铜离子选择电压型电极低,灵敏度提高了2.45倍。
门洪靳继勇王伟广穆胜伟王平
关键词:微传感器薄膜传感器硅片脉冲激光沉积铜离子
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