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重庆市科委基金(2007BB4385)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:董会宁罗敏邓博李登峰祖小涛更多>>
相关机构:重庆邮电大学电子科技大学四川理工学院更多>>
发文基金:重庆市科委基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电学
  • 1篇施主
  • 1篇受主
  • 1篇态密度
  • 1篇磷化镓
  • 1篇硫钝化
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇共掺
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇GAP
  • 1篇ZNS

机构

  • 2篇重庆邮电大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇四川理工学院

作者

  • 2篇董会宁
  • 1篇雷跃荣
  • 1篇邓博
  • 1篇肖海燕
  • 1篇祖小涛
  • 1篇李登峰
  • 1篇罗敏

传媒

  • 1篇电子质量
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
施主受主共掺实现N型ZnS的第一性原理研究被引量:1
2012年
基于密度泛函理论的第一性原理,利用施主受主共掺方案研究了低阻N型ZnS,通过计算得到2AlZn-NS的共掺形成能为-0.73eV,离化能为73meV,远小于单掺Al的情况。态密度分析表明,2AlZn-NS共掺后导带向低能方向移动并出现峰值,价带性质几乎不变,导带底的峰值主要由N-3s和Al-3s态贡献。因此,2AlZn-NS共掺可得到低阻N型ZnS。
邓博罗敏董会宁
关键词:ZNS第一性原理共掺
硫钝化GaP(001)表面的结构及电学性质研究
2008年
基于第一性原理的密度泛函理论,分析了覆盖度为1 ML(monolayer)的硫吸附在磷截止和镓截止的GaP(001)(1×2)表面的结构和电学属性。能量计算表明,最稳定的吸附模型均是SHB+ST4,镓和磷二聚物都被断开,周期单元由(1×2)变成(1×1),硫原子吸附在桥位置,Ga-S键比P-S键更稳定。电学性质分析可知,硫吸附在镓截止GaP表面后能隙中的表面态大幅度减少,而吸附在磷截止的表面时表面态并没有减少且在0.74 eV处多了一个新峰,硫吸附在镓截止表面后的态密度分布与实验结果吻合很好。因此,1 ML的硫吸附在GaP(001)面时表面上最主要形成Ga-S键。
李登峰雷跃荣肖海燕祖小涛董会宁
关键词:密度泛函理论磷化镓态密度
共1页<1>
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