您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60976028)

作品数:23 被引量:60H指数:5
相关作者:侯立刚彭晓宏吴武臣汪金辉耿淑琴更多>>
相关机构:北京工业大学美芯晟科技(北京)有限公司北京华大九天软件有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京工业大学博士启动基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇电路
  • 7篇集成电路
  • 3篇读出集成电路
  • 3篇功耗
  • 2篇低功耗
  • 2篇电荷
  • 2篇嵌入式
  • 2篇嵌入式系统
  • 2篇物理设计
  • 2篇芯片
  • 2篇模拟集成电路
  • 2篇放大器
  • 2篇OPERAT...
  • 2篇VISUAL
  • 2篇C++
  • 2篇DESIGN
  • 2篇IC
  • 2篇LDO
  • 2篇MSP430
  • 2篇串行

机构

  • 22篇北京工业大学
  • 1篇美芯晟科技(...
  • 1篇北京华大九天...

作者

  • 17篇侯立刚
  • 11篇彭晓宏
  • 11篇吴武臣
  • 8篇汪金辉
  • 7篇耿淑琴
  • 3篇袁颖
  • 2篇杨洪艳
  • 2篇朱治鼎
  • 2篇李薇
  • 2篇畅达
  • 2篇王旭
  • 2篇李晓庆
  • 1篇张旺
  • 1篇张志超
  • 1篇刘文斌
  • 1篇王鹏
  • 1篇吕本强
  • 1篇刁麓弘
  • 1篇李春桥
  • 1篇白澍

传媒

  • 8篇微电子学
  • 4篇微型机与应用
  • 3篇现代电子技术
  • 2篇电子技术应用
  • 1篇电子科技
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子世界
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇计算机辅助设...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 12篇2012
  • 11篇2011
  • 1篇2010
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于March C+算法的SRAM BIST设计被引量:4
2011年
为了增加存储器测试的可控性和可观测性,减少存储器测试的时间和成本开销,在此针对LEON处理器中的32位宽的SRAM进行BIST设计。采用March C+算法,讨论了SRAM的故障模型及BIST的实现。设计的BIST电路可以与系统很好的相连,并且仅增加很少的输入/输出端口。仿真结果证明,BIST的电路的加入在不影响面积开销的同时,能够达到很好的故障覆盖率。
张志超侯立刚吴武臣
关键词:SRAMBISTMARCH
The Layout Design and Optimization of A Low Dropout Regulator
In various types of integrated circuits, the analog IC are more rely on the layout due to its operating state ...
Peng Xiao-hongLv Ben-qiangLi Xiao-qingZhu Zhi-dingDong Li-min
关键词:LDO
高性能折叠式共源共栅运算放大器的设计被引量:11
2012年
折叠式共源共栅结构能够提供足够高的增益,并且能够增大带宽、提高共模抑制比和电源电压抑制比。基于Chartered 0.35μm工艺,设计了一种折叠式共源共栅结构的差分输入运算放大器,给出了整个电路结构。Spectre仿真结果表明,该电路在3.3V电源电压下直流开环增益为121.5dB、单位增益带宽为12MHz、相位裕度为61.4°、共模抑制比为130.1dB、电源电压抑制比为105dB,达到了预期的设计目标。
朱治鼎彭晓宏吕本强李晓庆
关键词:折叠式共源共栅运算放大器模拟集成电路
Exploration on Affecting Performance Results of Nios Ⅱ
This paper introduces Nios II and Dhrystone 2.1 benchmark. Since DhrystoneV2.1 Benchmark is widely used by var...
Peng Xiao-hongMa Meng-yaHou Li-gangWang Jin-huiWu Wu-chen
关键词:PERFORMANCEFACTORS
基于接口逻辑模型的MCU物理设计优化研究被引量:1
2012年
以一款基于TSMC 0.18μm工艺的MCU芯片WT20为例,采用设计规划的方法在原有的展平式设计中将ARM Cortex-M0处理器的核心部分分离出来,作为一个接口逻辑模型(ILM)进行设计,之后在整个设计的顶层调入设计好的接口逻辑模型,完成整个MCU芯片的物理设计。采用接口逻辑模型的分层次物理设计与原有的展平式物理设计相比,设计耗时显著缩短。此外,在新的物理设计中,穿过处理器核心部分的关键路径在时序方面也有了一定的改善,证明了接口逻辑模型在缩短设计耗时的同时可以保证时序的正确性。
王鹏侯立刚吴武臣彭晓宏
ASIC物理设计中的时钟树综合优化研究被引量:7
2011年
以一款基于HJTC 0.18μm工艺的YAK SOC芯片为例,根据其时钟结构,提出一种能有效减小时钟偏移的方法,该方法通过在门级将时钟根节点分解成若干伪时钟源实现。基于该方法,采用布局布线工具,对YAK SOC芯片进行时钟树综合,得到了较好的效果。给出了一种采用缓冲器和反相器相结合构建时钟树以降低时钟树功耗的方法。通过完成物理设计和功耗分析的数据对比,证明了该优化方法的可行性。
潘静吴武臣侯立刚彭晓宏
关键词:深亚微米专用集成电路时钟偏移时钟树综合
一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC
2014年
介绍了一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC。该电荷读出IC可提供64个通道,将探测器电荷转换成模拟电压。电路由电荷放大器增益控制、增益电容阵列、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列和采样保持放大器等组成,具有低噪声、14位动态范围等特性。电路芯片采用0.8μm标准CMOS工艺制造,芯片尺寸为3.1mm×10.9mm。电路在3.3MHz频率、5V电源电压和3.5V参考电压下工作,电路功耗为45mW。测试结果表明,在电荷放大器增益电容为0.5pF和光电二极管结电容为33pF下,电路的输出噪声达到600μV(Vrms)。
王旭杨洪艳袁颖吴武臣
关键词:低噪声动态范围
大电流,微功耗,小体积单片LDO的设计与实现被引量:1
2013年
以设计输出电流为700 mA,静态电流为50μA,芯片面积为1.5 mm×2.0 mm的LDO线性稳压器为目标,提出的LDO电路利用基准电路的输出直接作为芯片的输出,用基准电路所固有的跨导放大器对输出进行检测并反馈至单级放大器,放大后输出至功率管的基极,控制功率管输出额定的电压和电流。无需冗余的误差放大器,使得环路补偿极为简单,不存在传统LDO的补偿难题。在电路上把传统LDO电路所需各个模块的功能糅合到了一个较为简单的电路中,大大减小了芯片面积,并且减小了静态电流。对电路进行了仿真分析并采用2μm 36 V Bipolar工艺生产实现,流片后的测试结果表明该芯片实现了大电流,微功耗,小体积的特性。
彭晓宏朱治鼎侯立刚汪金辉吴武臣
关键词:线性稳压器大电流跨导放大器BIPOLAR
基于VC实现MSP430与PC之间的异步串行通信被引量:4
2012年
提出了一种基于VisualC++的MSP430单片机与PC之间进行串行通信的实现方法,给出了硬件电路图和通信源程序。调试实验表明,该硬件设计与软件开发达到了预期的功能要求。
李薇耿淑琴
关键词:MSP430串行通信VISUALC++
基于反激式LED驱动芯片的可控硅调光设计被引量:5
2011年
分析了LED驱动电源设计中的可控硅调光。设计能兼容现行大多数调光器的LED电源是降低LED成本、迅速取代当前节能照明技术的关键。系统地分析了三端双向可控硅的工作原理和LED驱动电路调光的难点,提出了加入damping电阻解决可控硅调光与LED兼容问题的方案。该设计基于AC-DC电源芯片MT7920,并加入了一种相位补偿的电路,经过PCB板级实现,证实了电路能正常地工作。
李晓庆彭晓宏侯立刚郭越勇刘柳胜
关键词:LED驱动相位补偿
共3页<123>
聚类工具0