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退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响: 2005年; 为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火。测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应。结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响。在6.4kA·m–1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1.86%和8.30%。; 谌贵辉杨国宁张万里彭斌蒋洪川; 关键词：电子技术多层膜磁控溅射退火处理

基于材料力学的磁致伸缩薄膜悬臂梁挠度分析: 2005年; 采用材料力学法对磁致伸缩薄膜两层悬臂梁挠度与薄膜磁致伸缩系数的关系进行了分析,所得结果与采用能量最小化和有限元法导出的结果完全一致,并将其扩展到多层悬臂梁的情形,得到了一个简洁的表达式。; 张金平蒋洪川张万里彭斌张文旭杨仕清; 关键词：挠度磁致伸缩系数

串联MEMS开关的一种等效电路模型被引量：13: 2002年; 本文建立了串联悬臂梁MEMS开关的一个等效电路模型 ,利用该模型研究了开关的微波传输性能 ,并与有限元方法仿真的结果进行比较 ,结果表明。; 张万里彭斌张文旭蒋洪川杨仕清

热处理温度对TbFe_2/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜的影响被引量：7: 2004年; 　采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响。采用量热分析法(DSC)、XPS以及光杠杆测试法对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的晶化曲线、成分随深度的变化以及磁致伸缩系数进行了分析与测试。结果表明:TbFe2薄膜的起始晶化温度为327℃,晶化温度为372℃;TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的最佳热处理温度为327℃,在此热处理温度下热处理60min,外加磁场1.6×104A/m时,TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数可达1.56×10-4。采用XPS分析了一个周期的TbFe2/Fe成分随薄膜深度的变化,未经热处理的薄膜Fe层和TbFe2层之间界面清晰,两层之间有少量的扩散。经327℃热处理60min的薄膜Fe层和TbFe2层界面发生了互扩散,原子数之比也发生了改变。; 张万里蒋洪川张金平彭斌张文旭杨仕清; 关键词：直流磁控溅射磁致伸缩系数

FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法: 2006年; 利用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了F eCoS iB薄膜,溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火。实验结果表明,F eCoS iB的应力阻抗效应与制备工艺(工作气压、溅射磁场)和退火条件(退火温度、退火时间)有着非常密切的联系。当偏置磁场从60 O e增加到120 O e时,薄膜的应力阻抗从0.5%提高到了1.65%。在80 O e磁场下,薄膜经300℃、40 m in退火处理后,应力阻抗效应达1.86%。; 谌贵辉张万里彭斌蒋洪川杨国宁; 关键词：溅射气压退火处理

磁致伸缩薄膜力学行为的有限元仿真研究被引量：6: 2006年; 建立了一种磁致伸缩薄膜力学行为的有限元计算方法.该方法将磁致伸缩薄膜在磁场中的形变行为等效为薄膜在热场中的各向异性热膨胀形变行为,基于该等效模型,利用有限元软件计算了磁致伸缩薄膜悬臂梁的力学行为与外加磁场的关系.结果表明,该方法可有效模拟磁致伸缩薄膜在外磁场下的力学行为.; 彭斌张万里张文旭蒋洪川杨仕清; 关键词：有限元挠度

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国防科技技术预先研究基金(41312040503)