中央高校基本科研业务费专项资金(SWJTU11ZT16)
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 相关作者：程翠华赵勇杨峰蔡芳共柯川更多>>
- 相关机构：新南威尔士大学西南交通大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国际热核聚变实验堆计划四川省科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 钛箔上生长α-Fe2O3纳米氧化膜及其光电性质研究
- 2012年
- 利用电镀法在钛箔上沉积一层铁镀层,通过热氧化法将铁镀层氧化。利用X射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、背散射电子像(BEI)和X射线能量散射谱(EDX)对氧化产物的晶体结构、形貌和组成进行了表征,利用表面光电压谱(SPS)和相位谱(PS)研究了氧化产物的表面光电性质,同时测定了氧化产物的I-V特性。结果表明,铁镀层的表面被热氧化后生成了含α-Fe2O3纳米带和纳米片的纳米氧化膜,α-Fe2O3纳米氧化膜在300～600 nm之间出现了一个与带-带跃迁相关的光伏响应,相位谱显示纳米膜呈n型半导体的导电特征。I-V测试表明在AM 1.5G 100 mW.cm-2标准光强作用下,0.23 V(vs.Ag/AgCl)的偏压下能产生的电流密度为0.58 mA.cm-2。
- 史占花王蓉蔡芳共杨峰贾永芳黎颖程翠华赵勇
- 关键词：表面光电压谱
- CuS/TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能被引量：10
- 2013年
- 利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376～600 nm之间,CuS/TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300～376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.CuS/TiO2和CuS/ITO之间界面电场的不同导致异质结在不同波长范围内表面电荷聚集的差异.光电化学性能测试发现,以CuS/TiO2纳米管异质结阵列为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G,100 mW/cm2标准光强作用下具有0.4%的光电转换能力.
- 柯川蔡芳共杨峰程翠华赵勇
- 关键词：CUS表面光电压谱光电化学性能
