国家高技术研究发展计划(2006AA02A1)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：丁冬雁宁聪琴刘和刚秦锐毛大立更多>>
- 相关机构：中国科学院上海交通大学更多>>
- 发文基金：上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- Ti-Al-V-O纳米管阵列的制备与热稳定性研究被引量：1
- 2011年
- 在醇基介质中采用阳极氧化方法成功在Ti6Al4V合金表面制备出大面积的α和β相均为纳米管结构阵列。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDXA)对纳米管阵列的表面形貌、微结构和热稳定性进行了表征。实验结果表明:在醇基溶液中采用阳极氧化方法制备大面积纳米管阵列时,外加电压的增加有利于合金表面多孔纳米结构的形成。在外加电压为30V时,Ti6Al4V合金表面的双相区均获得较为均匀的纳米管阵列。Ti-Al-V-O纳米管阵列管长约900nm、管径约90nm、壁厚约7.4nm。EDXA结果表明:在阳极氧化后,表面Al和V含量降低。Ti-Al-V-O纳米管阵列在550℃下晶化后,其表面形貌可保持规则的纳米阵列结构,而在更高温度下热处理可导致纳米管阵列局部坍塌并发生表面烧结致密化现象。
- 黎朝晖丁冬雁宁聪琴刘和刚
- 关键词：纳米阵列氢传感器
- 形状记忆合金表面纳米管阵列的制备与表征被引量：1
- 2011年
- 采用阳极氧化方法在镍钛形状记忆合金表面成功制备出氧化物纳米管阵列。实验结果表明,阳极氧化电压和温度是影响纳米管生长的重要因素。当阳极氧化电压较低时,温度效应不大,合金表面仅形成数十纳米厚的氧化物薄膜。当阳极氧化电压升至20V,在20℃阳极氧化可形成双氧化物层(表面为不均匀多孔纳米结构,下部为具有两种不同直径的纳米管阵列);增大阳极氧化温度至30℃,表面多孔纳米结构溶解,露出底部的纳米管阵列;当阳极氧化温度增大至50℃时,纳米管开始出现破裂。纳米管为Ni-Ti-O氧化物,纳米管的镍含量与镍钛基体相比有所降低。
- 秦锐丁冬雁宁聪琴刘和刚朱邦尚李明毛大立
- 关键词：形状记忆合金纳米管显微结构
- Nb掺杂TiO_2纳米管的制备及其氢敏特性
- 2010年
- 以Ti35Nb合金为基材,通过阳极氧化和中温热处理制备了Nb掺杂TiO2纳米管阵列。通过掩模版和磁控溅射技术在纳米管阵列表面形成了Pt电极,随后在低浓度H2气氛中测试了Nb掺杂TiO2纳米管阵列的氢敏性能。实验结果表明阳极氧化温度是影响纳米管生长的一个重要因素,在阳极氧化电压为15V和阳极氧化温度为30℃的条件下可以获得均匀开口的非晶纳米管阵列。将非晶纳米管在450℃热处理后可以获得锐钛矿结构纳米管阵列。氢传感实验结果表明,Nb掺杂TiO2纳米管对低浓度气氛具有室温氢敏特性。以上实验结果表明,通过合金化设计和阳极氧化可以制备出具有室温氢传感特性的掺杂纳米管阵列。
- 白硕丁冬雁宁聪琴秦锐常程康李明毛大立
- 关键词：氢气传感器氧化钛纳米管阳极氧化
