福建省教育厅A类人文社科/科技研究项目(JA12283)
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 相关作者：王锋黄俊钦林海容张小婷林闻更多>>
- 相关机构：泉州师范学院更多>>
- 发文基金：福建省教育厅A类人文社科/科技研究项目福建省自然科学基金泉州市优秀人才培养专项经费资助项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Ti掺杂ZnO的结构、磁性和电性能被引量：1
- 2013年
- 通过固相反应法制备非磁性原子Ti掺杂ZnO系列样品.X射线衍射测量显示样品除了ZnO相外,还产生了Zn2TiO4、ZnTiO3两个物相.晶粒大小为30～60 nm.振动样品磁强计测量得出样品的磁性都为抗磁性.样品电阻率大于102Ω·cm,无霍尔效应和磁致电阻效应.
- 王锋黄俊钦苏碧珠
- 关键词：抗磁性固相反应法电阻率
- 共溅射Ni_xZn_(1-x)O薄膜的结构、磁性和电性能被引量：1
- 2013年
- 采用射频共溅射方法制备了NixZn1-xO(x=0.78、0.72、0.68)薄膜。薄膜有非晶相和少量的NiO结晶相的存在。样品都具有明显的室温铁磁性,退火后(TA=803 K)Ni0.78Zn0.22O薄膜的饱和磁化强度Ms可达65 emu/cm3,对应单个Ni离子磁矩大于0.13μB。低温下制备态薄膜都出现了电阻率极小值的现象,这是由于样品发生了金属-绝缘体转变。
- 王锋黄鹏飞
- 关键词：铁磁性电阻率
- 非晶Co/Ge多层膜的磁性和电性能
- 2013年
- 采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x]（x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm）非晶多层薄膜,X射线衍射仪（XRD）显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可达8.3×104 A/m.霍尔效应测试表明样品均为P型半导体,载流子浓度约为1023～1025 m-3.薄膜的低温电阻导电机理属于磁性半导体材料的自旋依赖电子变程跃迁机制,实验结果表明,Co/Ge体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
- 王锋陈春花陈瑞美
- 关键词：CO磁性半导体自旋极化
- Cu掺杂ZnO磁性能的实验与理论研究被引量：3
- 2014年
- 采用固相反应法制备了Cu掺杂ZnO样品.在室温下Cu含量>3%的样品在室温下表现为铁磁性.样品为n型半导体,载流子的浓度为1015cm-3.利用密度泛函理论(DFT+U)计算了CuZnO体系的Cu2+—O2-—Cu2+,Cu2+—Vo—Cu2+,Cu2+—Vo+—Cu2+,Cu2+—V++o—Cu2+磁交换耦合作用,给出了不同束缚电荷的氧空穴Vo与Cu2+离子之间的超交换机理,提出了CuZnO体系中铁磁性机理为Cu2+—V++o—Cu2+束缚磁极化子模型.
- 王锋林闻王丽兹葛永明张小婷林海容黄伟伟黄俊钦W.Cao
- 关键词：固相反应铁磁性束缚磁极化子
- 非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究
- 2013年
- 采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度M s可达33 emu/cm3。提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制。
- 王锋许辉鳄杨少贵
- 关键词：磁性导电机理
