国家重点基础研究发展计划(2004CCA04500G)
- 作品数：3 被引量：42H指数：3
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- 半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟被引量：22
- 2007年
- 利用Ensemble-Monte Carlo模拟方法,对不同实验条件下半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关作为偶极辐射天线在辐射太赫兹电磁波(太赫兹波)中体内电场的分布以及空间电荷屏蔽效应对太赫兹波辐射的影响进行了模拟.载流子的时域空间电场分布表明:用高能量激光脉冲触发低压偏置的GaAs开关,空间电荷屏蔽是限制太赫兹波辐射功率的一个重要因素,并且空间电荷屏蔽能够引起太赫兹波呈现双极性.当高能量飞秒激光脉冲以全电极间隙触发大孔径光电导天线时,空间电荷电场屏蔽效应对太赫兹波的影响不大.
- 贾婉丽纪卫莉施卫
- 关键词：光电导开关CARLO模拟
- 密度泛函理论对Ga_mAs_n团簇的结构及稳定性的研究被引量：7
- 2008年
- 利用密度泛函理论（DFT）对GamAsn（m=1,2;n=1-5）团簇的几何结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G^＊水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GamAsn（m=1,2;n=1-5）团簇的基态和亚稳态结构.结果表明,在GamAsn（m=1,2;n=1-5）团簇中,团簇的稳定性随着总原子数的增多而增大;总原子数相同的团簇,As原子多的团簇比Ga原子多的团簇稳定;最高占据轨道（HOMO）和最低空轨道（LUMO）的能级差（Egap）随As原子数的增加而变化,且大体呈现奇偶交替变化规律;原子间的振动频率均在太赫兹频段,为GaAs团簇纳米材料的太赫兹电磁波检测和太赫兹电磁波辐射提供了依据.
- 马德明李恩玲施卫陈文志王海刚
- 关键词：振动频率
- 光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析被引量：17
- 2007年
- 利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对低温GaAs(LT-GaAs)和半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关辐射的THz电磁波所呈现的双极特性进行了模拟计算.结果表明,LT-GaAs光电导开关辐射THz波呈现双极性的主要原因是光生载流子寿命小于一个THz波产生时间;而光生载流子寿命大于100ps的SI-GaAs光电导开关,在不同的实验条件(不同偏置电场、不同光脉冲能量)下,产生的THz波呈现双极特性的主要原因分别是载流子发生了谷间散射和空间电荷电场屏蔽.
- 贾婉丽施卫纪卫莉马德明
- 关键词：光电导开关载流子寿命
