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教育部科学技术研究重点项目(209126)

作品数:17 被引量:36H指数:4
相关作者:蒲永平陈小龙赵新王瑾菲杨公安更多>>
相关机构:陕西科技大学教育部更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目陕西科技大学研究生创新基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 10篇化学工程
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇电气工程

主题

  • 7篇电性能
  • 7篇BATIO
  • 6篇钛酸
  • 6篇介电
  • 6篇介电性
  • 6篇介电性能
  • 5篇陶瓷
  • 5篇钛酸钡
  • 5篇掺杂
  • 4篇居里
  • 4篇居里温度
  • 3篇NB
  • 3篇CO
  • 2篇钛酸铋
  • 2篇无铅
  • 2篇居里点
  • 2篇高居里点
  • 2篇PTC效应
  • 2篇3+X
  • 2篇BI4TI3...

机构

  • 17篇陕西科技大学
  • 4篇教育部

作者

  • 17篇蒲永平
  • 8篇陈小龙
  • 8篇赵新
  • 6篇王瑾菲
  • 5篇杨公安
  • 4篇毛玉琴
  • 4篇韦继锋
  • 4篇吴海东
  • 3篇庄永勇
  • 2篇许宁
  • 2篇杨文虎
  • 2篇陈凯
  • 1篇吴胜红
  • 1篇张宁
  • 1篇刘建科
  • 1篇王博

传媒

  • 9篇人工晶体学报
  • 3篇陕西科技大学...
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 5篇2011
  • 6篇2010
  • 6篇2009
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究被引量:5
2009年
采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响。结果表明:掺杂Bi4Ti3O12后,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi4Ti3O12具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到Tc=150℃。随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大。
蒲永平王瑾菲赵新杨公安陈小龙吴胜红
关键词:BI4TI3O12居里温度
高浓度Sm_2O_3掺杂的BIT陶瓷微结构与电性能研究被引量:3
2009年
采用固相烧结工艺制备了高浓度Sm2O3掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)基陶瓷材料。研究了不同的Sm2O3掺杂浓度和温度对BIT基陶瓷材料的显微结构及电性能的影响。结果表明:当Sm2O3浓度为12.0 mol%时,有Bi0.56Sm1.44Ti2O7第二相出现,BIT陶瓷室温介电常数为114,室温介质损耗(tanδ)为0.002;当Sm2O3浓度为6.0mol%时,陶瓷材料的室温介电常数为119,室温介质损耗(tanδ)为0.0027。
庄永勇蒲永平王瑾菲王瑾菲
关键词:高浓度微观结构电性能
Pr掺杂12CaO·7Al_2O_3陶瓷材料的发光特性被引量:1
2011年
采用传统高温固相反应法制备了12CaO·7Al2O3∶Pr3+(C12A7∶Pr3+)陶瓷,采用X射线粉末衍射(XRD)、电子扫描电镜(SEM)、激发光谱和发射光谱对样品的物相结构及发光性能进行了分析和表征。结果表明:C12A7∶Pr3+陶瓷样品的衍射峰与C12A7的JCPDS卡片的衍射峰数据一致,属于立方晶系。激发光谱分布在440~490 nm的波长范围内,主激发峰位于488 nm处;发射光谱为多发射峰,最大发射峰位于615 nm处,是典型的Pr3+的4f-4f和4f-5d激发产生能级跃迁导致的。随着Pr3+掺杂量的增加,发光强度先增强后减弱,当掺杂浓度为0.2 mol%时,在615nm处发射峰强度达到最大。
毛玉琴蒲永平韦继锋
关键词:发光特性
La-Mn共掺杂的钛酸钡陶瓷还原再氧化研究被引量:7
2009年
以MnO2为受主,La2O3为施主,采用传统高温固相法对钛酸钡陶瓷进行掺杂,并对还原气氛下烧结的样品分别在900℃和1000℃的温度下进行再氧化处理。采用XRD和电性能测试研究了镧锰共掺杂和再氧化工艺对于钛酸钡陶瓷阻温特性及微观结构的影响。结果表明:钛酸钡陶瓷的阻温特性与施主、受主的掺杂比例和烧结气氛有关;与在空气下烧结相比,在还原气氛下烧结能明显的提高施主掺杂的临界浓度,同时随着再氧化温度从900℃提高到1000℃,PTC效应明显增强。BaTiO3晶粒尺寸随着施主掺杂浓度的提高而变小。Mn离子的掺入使钛酸钡晶格结构更为紧密,阻碍了晶格内部氧离子向外部的扩散,导致了明显的PTC效应。
蒲永平陈小龙杨文虎王瑾菲吴海东
关键词:共掺杂钛酸钡PTC效应
合成方式对(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3-xBi_4Ti_3O_(12)陶瓷性能影响的研究被引量:1
2010年
采用固相法制备了Bi4Ti3O12(BIT)与La2O3共掺杂的(1-x)Ba0.998La0.002TiO3-xBi4Ti3O12(0.001≤x≤0.03)系统陶瓷,研究了不同合成工艺(一步合成法:BIT与La2O3直接掺杂到BaTiO3陶瓷中;两步合成法:先将La2O3和BaTiO3预合成Ba0.998La0.002TiO3陶瓷,再将BIT掺杂到Ba0.998La0.002TiO3陶瓷中)对(1-x)Ba0.998La0.002TiO3-xBi4Ti3O12陶瓷显微结构、居里温度Tc及电性能的影响。结果表明:BIT对两种方式合成的(1-x)Ba0.998La0.002TiO3-xBi4Ti3O12陶瓷的晶粒长大均有抑制作用,而随着BIT加入量的增加晶粒又逐渐长大;一步合成法制备的(1-x)Ba0.998La0.002TiO3-xBi4Ti3O12陶瓷存在晶粒异常长大,而两步合成法制备的BLIT陶瓷晶粒较小;一步合成法对(1-x)Ba0.998La0.002TiO3-xBi4Ti3O12陶瓷的居里温度没有影响,而两步合成法制备的(1-x)Ba0.998La0.002TiO3-xBi4Ti3O12陶瓷居里温度提高到约150℃。
赵新蒲永平陈小龙陈凯
关键词:钛酸铋钛酸钡氧化镧介电性能
CaZrO_3掺杂对BaTiO_3-Nb_2O_5-Co_3O_4系统陶瓷性能的影响被引量:1
2011年
采用固相法制备了CaZrO3掺杂的BaTiO3-Nb2O5-Co3O4(BNC)系统陶瓷,研究了CaZrO3掺杂量(3.85mol%、4.75mol%、5.50mol%、6.50mol%、7.40mol%)及烧结温度(1 320℃、1 340℃、1 360℃)对BNC陶瓷致密度及介电性能的影响.结果表明:随着CaZrO3掺杂量的增加,BNC陶瓷密度和直径收缩率逐渐增大,介电常数和损耗则逐渐降低;CaZrO3掺杂量一定时,随着烧结温度的升高,BNC陶瓷系统密度和直径收缩率逐渐升高,介电常数增大,介电损耗随温度的升高逐渐降低.
陈小龙蒲永平赵新
关键词:钛酸钡基介电性能
有机载体挥发特性对PTC陶瓷铝电极性能的影响被引量:1
2010年
为了制备出满足铝电极性能要求的电极浆料,采用两种具有不同挥发特性的有机载体烧渗PTC铝电极,通过XRD和SEM研究了烧渗后铝电极的物相和微观形貌对电极性能的影响。结果表明:采用阶梯式挥发的有机载体制备的铝电极浆料,烧渗后的电极结构致密,假电阻小,|RAl-RIn-Ga|/RIn-Ga约为0.3%;抗老化性能优良,沸水中老化24h后,电阻变化率不超过2.3%,经400V交流电压冲击500h后,电阻变化率不超过1.0%。
陈小龙蒲永平吴胜红张宁赵新
关键词:PTC陶瓷铝电极
BaTiO_3-Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅PTCR陶瓷研究被引量:4
2009年
以BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3(BT-NBT)陶瓷系统为研究对象,采用固相法制备了(1-x)BT+xNBT(0.01
韦继锋蒲永平王瑾菲杨公安
关键词:BATIO3陶瓷无铅阻温特性PTC效应
(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)陶瓷电性能的研究
2009年
采用固相法制备了(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.03)陶瓷,研究了Bi4Ti3O12掺杂量以及烧结气氛对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷显微结构、居里温度Tc及介电性能的影响。结果表明:Bi4Ti3O12在Ba0.998La0.002TiO3陶瓷中的掺杂抑制了陶瓷晶粒的生长,使居里温度提高到约150℃。在空气中烧结的陶瓷的介电常数随Bi4Ti3O12掺杂量的增加先减小后增大,当Bi4Ti3O12掺杂量为1.5 mol%时,陶瓷的介电常数最小(还原再氧化陶瓷的介电常数为6.0×103,空气中烧成的陶瓷的介电常数为9.0×102)。
赵新蒲永平王瑾菲王瑾菲陈小龙
关键词:钛酸铋居里温度
Cu含量对BaTiO_3/Cu复相陶瓷材料介电性能的影响被引量:3
2011年
用传统固相法制备了(1-x)BaTiO3/xCu(x=5 wt%,10 wt%,15 wt%,20 wt%,25 wt%,30 wt%)复相陶瓷,研究了Cu含量对复相陶瓷材料的显微结构、渗流阈值及介电性能的影响.研究结果表明:BaTiO3/Cu复相陶瓷材料的电阻率随着铜含量的增加而下降,且在渗流阈值(x=25wt%)附近呈现非线性的下降趋势,复合材料从绝缘体逐渐变为导体.室温下1 kHz当Cu含量达到x=30wt%时复相陶瓷的介电常数为~9000,这是由于在导体和绝缘体的相界面处积累大量的空间电荷,并由此产生界面极化,导致介电常数的显著增大,且随着导体含量的增加,这种界面效应更加明显.复相陶瓷的介电损耗随着铜含量的增加而增大,但随着频率的升高,由于空间电荷的减少又会使损耗呈现下降的趋势.在25~115℃的温度范围内,复相陶瓷温度系数小于5%,具有很高的介电常数温度稳定性.
蒲永平许宁王博吴海东陈凯
关键词:渗流理论介电性能
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