国家科技重大专项(2010ZX03002-001-02)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 相关作者：景鑫汤华莲庄奕琪杜永乾戴力更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种新型高性能CMOS电流模式的动态规划电路被引量：2
- 2012年
- 为了提高片上网络中最优化计算的动态规划电路的速度和精确度,提出了一种CMOS电流模式的winner-take-all/loser-take-all(WTA/LTA)电路.该电路设计了一个可再生结构放大输入电流的差距并加速比较,从而提高了电流比较的解析度和速度;使用了输出选择的方式来减小电流镜引起的失配误差,从而改善了输出电流的精确度.采用TSMC 180nm工艺技术和1.3V工作电压的仿真实验表明,所提出的WTA/LTA电路可以达到1nA的解析度和99.5%的精确度,同时具有高速、低功耗特性.使用该电路作为基本计算单元的八节点动态规划电路,在相同仿真条件下与未改进的动态规划电路相比,计算延迟减小约60%,同时精确度提高约80%.
- 戴力庄奕琪景鑫杜永乾汤华莲李振荣
- 关键词：CMOS电路电流模式动态规划
- 采用改进自举开关的12 bit 40 MS/s流水线ADC被引量：1
- 2013年
- 设计了一种用于分时长期演进(TD-LTE)系统基带信号处理的12bit40MS/s无校准的流水线模数转换器(ADC).在采样保持前端设计了一种改进的栅压自举开关,有效减少了电路的非线性失真,提高了开关的线性度.设计的ADC采用全2.5bit/级架构,利用级电路缩减技术满足面积与功耗要求.芯片基于130nmCMOS(互补金属氧化物半导体)工艺流片验证,电源电压1.2V.实测整个ADC,最大INL(积分非线性)和DNL(微分非线性)误差分别为1.48LSB(最低有效位)和0.48LSB.动态特性测试结果表明:在40MS/s采样频率、-1dBFS(满度相对电平)、4.3MHz正弦输入下,设计的模数转换器信噪失真比(SNDR)达到63.55dB,无杂散动态范围(SFDR)达到76.37dB.整个ADC在40MS/s全速工作时功耗48mW,芯片面积(包含Pad)为3.1mm×1.4mm.
- 景鑫庄奕琪汤华莲戴力
- 关键词：自举开关采样保持
- 一种可校准的低温漂基准电流源被引量：3
- 2013年
- 针对由于工艺偏差导致的器件误差和不匹配性会严重降低基准源的性能,在研究器件失配的基础上,设计了幅值在15～80μA之间可调的基准电流源Iref,同时利用温度补偿电路来提高其温度特性.为了进一步提高基准源的精度,提出了一个双向校准电路,它由8bit的外部信号控制校准电流的方向及大小,并采用二进制加权的编码方式实现127级的等比数列电流校准.基于CMOS 0.13μm工艺,在输出电流为15μA,温度范围为-40℃～120℃的仿真条件下,基准电流温度系数为26ppm/℃.实测结果表明,电流源校正范围为-14.3%.Iref～14.3%.Iref,校正精度为0.11%.Iref,可应用在高精度的A/D和D/A转换器等集成电路中.
- 汤华莲庄奕琪张丽景鑫杜永乾
- 关键词：温度系数校准
