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北京慢正电子强束流性能研究被引量：4: 2004年; 采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究。实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5mm。在目前加速器短脉冲的运行模式下,脉冲慢正电子束流的强度达到了105/s以上,IP成像板束流沉积形貌直径小于15mm,脉冲慢正电子束流微分能谱半高宽(FWHM)约为10eV;;在高于3×10?Pa的超高真空中,慢正电子在直流化管道内7存贮40ms后,束流强度减弱到原来的50%。系统各项性能运行参数达到了设计要求。; 曹兴忠王宝义章志明魏存峰张天保薛德胜魏龙; 关键词：束流强度

慢正电子束流技术在金属/合金微观缺陷研究中的应用被引量：6: 2015年; 正电子湮没谱学技术是研究材料微观结构非常有效的一种核谱学分析方法,主要用于获取材料内部微观结构的分布信息,特别是微观缺陷结构及其特性等传统表征方法难以获取的微观结构信息.近年来,在慢正电子束流技术快速发展的基础上,正电子湮没谱学技术在薄膜材料表面和界面微观结构的研究中得到了广泛应用.特别是该技术对空位型缺陷的高灵敏表征能力,使其在金属/合金材料表面微观缺陷的形成机理、缺陷结构特性及其演化行为等研究方面具有独特的优势.针对材料内部微观缺陷的形成、演化机理以及缺陷特性的研究,如缺陷的微观结构、化学环境、电子密度和动量分布等,正电子湮没谱学测量方法和表征分析技术已经发展成熟.而能量连续可调的低能正电子束流,进一步实现了薄膜材料表面微观结构深度分布信息的实验表征.本文综述了慢正电子束流技术应用研究的最新进展,主要围绕北京慢正电子束流装置在金属/合金材料微观缺陷的研究中对微观缺陷特性的表征和表面微观缺陷演化行为的应用研究成果展开论述.; 胡远超曹兴忠李玉晓张鹏靳硕学卢二阳于润升魏龙王宝义

钒的氧化物薄膜微观结构的研究: 采用直流磁控溅射,通过控制氧分压溅射得到取向性很好的VO薄膜,并经过退火得到VO薄膜。XRD的结果表明,在氧分压增大时VO薄膜沿c轴垂直方向取向,(001)面平行于衬底生长,并在退火后得到的VO薄膜中延续了(001)的取...; 潘梦霄曹兴忠孙建忠王宝义马创新周春兰魏龙李养贤; 文献传递

ZnS基电致发光薄膜及其制备方法被引量：12: 2003年; ZnS是一种优良的光电材料并获得了广泛的应用。介绍了ZnS基薄膜电致发光器件的发展历史、结构及发光机理,主要讨论了ZnS基发光薄膜及蒸发法、溅射法、化学气相沉积法、外延法和溶胶-凝胶法等制备方法的最新研究进展,指出了目前存在的问题及今后的发展趋势。; 王宝义张仁刚万冬云王雨田魏龙; 关键词：蒸发法溅射法化学气相沉积法外延法溶胶-凝胶法

氧化钒薄膜微观结构的研究被引量：36: 2004年; 采用直流磁控反应溅射在Si(1 0 0 )衬底上溅射得到 (0 0 1 )取向的V2 O5薄膜 .x射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和傅里叶变换红外光谱 (FTIR)的结果表明 ,氧分压影响薄膜的成分和生长取向 ,在氧分压 0 4Pa时溅射得到 (0 0 1 )取向的纳米V2 O5薄膜 ,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜 .V2 O5薄膜经过真空退火得到 (0 0 1 )取向的VO2 薄膜 ,晶体颗粒长大 .对薄膜的分子结构和退火过程的晶格转换进行了分析。; 潘梦霄曹兴忠李养贤王宝义薛德胜马创新周春兰魏龙; 关键词：氧化钒薄膜微观结构直流磁控溅射

北京慢正电子束流研究平台的现状和发展: 正电子谱学是研究材料微观结构和电子结构的核分析方法,具有对样品中原子尺度缺陷敏感的特点。对于常用的正电子湮没测量方法,由于放射源发射出的正电子能量具有连续分布的特点,常规正电子谱学方法只能针对体材料的微结构进行表征,而对...; 王宝义马创新曹兴忠周春兰马雁云王平章志明魏龙王天民朱升云何元金郁伟中; 文献传递

慢正电子束流在材料缺陷研究方面的应用-部分用户研究简介: 一、引言利用慢正电子束流技术对SiO2/Si体系的研究已经有大量的文献报道,北京22Na慢正电子束流装置在安装调试结束后,为了检验系统的工作性能,对该体系进行了多普勒展宽测量。实验中使用的硅片为p型单晶Si(100),S...; 周春兰马创新郝小鹏章志明王宝义魏龙; 文献传递

北京慢正电子强束流磁场输运系统设计研究被引量：5: 2004年; 针对基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流系统对输运磁场的设计要求 ,本文对不同规格的磁场输运线圈模型、长螺线管端口处磁场的补偿以及地磁场和弯管道对正电子束流的影响等进行了计算 ,提出适用于本系统传输慢正电子束流的输运磁场分布、补偿线圈、调整线圈的加工参数 ,计算表明 ,系统的总体磁场不均匀度小于 10髎 .实际运行束流测试表明 ,所设计的磁场系统能够很好的将慢正电子束流输运到约 16m远的样品测量室 ,慢正电子束斑尺寸基本没有变化 ,满足慢正电子束流系统的设计要求 .; 曹兴忠王宝义于润升魏存峰薛德胜魏龙; 关键词：慢正电子束束流输运磁场分布补偿线圈正负电子对撞机毕奥-萨伐尔定律

脉冲慢正电子束流的检测被引量：1: 2007年; 本工作设计了一种通过测量脉冲慢正电子湮没辐射在闪烁探测器的积分效应进行测量和标定脉冲正电子束流强度的方法。通过对探测器的刻度,定量测量了北京慢正电子强束流项目中慢正电子束流的流强和能谱发布,为脉冲正电子束流的直流化设计提供了依据。; 王宝义曹兴忠魏存峰章志明马创新张天保魏龙; 关键词：电子直线加速器束流强度闪烁探测器

A positron moderator using porous metal: 2004年; Two types of porous metal moderators (i.e. porous nickel layer and multi-wire tungsten layer) are proposed and tested on a slow positron beam line. A moderation efficiency of about 2×10-4 has been achieved, which is higher than that for W vane geometry moderator by a factor of 4.; WANGBao-YiYURun-ShengZHAOFa-RuMAChuang-XinZHANGTian-BaoWEILong; 关键词：多孔金属慢正电子束高能物理学

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