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广西壮族自治区自然科学基金(2013GXNSFDA019006)

作品数:15 被引量:79H指数:6
相关作者:谭学才余会成李晓宇吴佳雯胡琪更多>>
相关机构:广西民族大学广州有色金属研究院更多>>
发文基金:广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金广西教育厅科研项目更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术化学工程医药卫生更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 19篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇化学工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇医药卫生
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 11篇电化学
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 7篇纳米
  • 7篇分子
  • 7篇分子印迹
  • 6篇电化学发光
  • 6篇化学发光
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇电化学传感
  • 5篇电化学传感器
  • 5篇修饰
  • 5篇化学传感器
  • 5篇巴比妥
  • 4篇氧化铜
  • 4篇印迹聚合物
  • 4篇纳米氧化铜
  • 4篇分子印迹聚合...

机构

  • 20篇广西民族大学
  • 4篇广州有色金属...

作者

  • 15篇谭学才
  • 10篇余会成
  • 9篇李晓宇
  • 6篇胡琪
  • 6篇吴佳雯
  • 5篇黄学艺
  • 5篇严军
  • 5篇陈晓
  • 5篇张慧
  • 4篇吴海鹰
  • 4篇韦贻春
  • 4篇李小燕
  • 3篇李鹏飞
  • 2篇刘敏
  • 2篇黄在银
  • 2篇李浩
  • 2篇冯德芬
  • 2篇陈全友
  • 1篇方晓雪
  • 1篇李焘

传媒

  • 5篇分析测试学报
  • 3篇分析化学
  • 3篇分析试验室
  • 2篇中国化学会第...
  • 2篇中国化学会第...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇分析科学学报
  • 1篇化学研究与应...
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米镍修饰的氧化铜掺杂的异戊巴比妥电化学传感器制备与应用被引量:1
2015年
先将合成的纳米镍修饰裸玻碳电极,再在修饰电极表面热聚合一种以甲基丙烯酸为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂、纳米氧化铜掺杂的异戊巴比妥分子印迹敏感膜。研究了印迹电极的最佳成膜条件及其最佳实验条件。采用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)对印迹传感器的电化学性能进行表征。使用红外光谱和扫描电镜分别探究此印迹敏感膜的结构及表面形貌。在最佳实验条件下,以K3Fe(CN)6为分子探针的差分脉冲伏安法(DPV)峰电流响应值与异戊巴比妥的浓度在6.5×10-8~1.8×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9986);检出限为1.1×10-9mol/L(S/N=3)。传感器能用于猪肉中残留异戊巴比妥的检测,加标回收率在96.5%~103.2%之间。
黄学艺余会成韦贻春李浩雷福厚谭学才米丹丹吴海鹰
关键词:异戊巴比妥纳米氧化铜纳米镍电化学传感器
纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能被引量:6
2014年
为了改善分子印迹传感器的灵敏度,在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性能的分子印迹传感膜.采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究,结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同.X射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜.采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析,发现纳米氧化铜分散在电极表面,改善了修饰印迹传感器的识别点.差分脉冲伏安法(DPV)表明苯巴比妥的浓度在1.0×10-8-1.8×10-4mol·L-1范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9994);检出限2.3×10-9mol·L-1(信噪比(S/N)=3).研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵敏度及选择性.此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测,加标回收率在95.0%-102.5%.
余会成黄学艺李浩雷福厚谭学才韦贻春吴海鹰
关键词:纳米氧化铜苯巴比妥分子印迹聚合物电聚合
用于四环素识别和测定的改性松香和多壁碳纳米管分子印迹电化学传感器的研制
采用分子印迹技术,以四环素为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体,自制的马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂制备分子印迹聚合物,将合成的该印迹聚合物固定到功能化碳纳米管(MWNTs-COOH)修饰的玻碳电极表面,成功研制了一种新型多...
谭学才刘力胡琪吴佳雯李晓宇雷福厚黄在银
关键词:电化学传感器分子印迹膜多壁碳纳米管改性松香四环素
文献传递
基于石墨烯的毒死蜱分子印迹电化学传感器的制备及对毒死蜱的测定被引量:21
2015年
利用分子印迹技术,以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,使用自由基热聚合法在石墨烯修饰的玻碳电极表面合成毒死蜱(CPF)分子印迹聚合膜,制得了CPF分子印迹电化学传感器。采用循环伏安法、线性扫描伏安法和电化学交流阻抗法等,考察了此CPF分子印迹膜的电化学性能。在最佳检测条件下,传感器的峰电流与CPF浓度在2.0×10^-7-1.0×10^-5mol/L范围内呈线性关系,线性方程为Ip(μA)=^-7.1834-0.2424C(μmol/L),相关系数r2=0.9959,检出限为6.7×10^-8mol/L(S/N=3)。构建了CPF分子印迹电化学传感器的动力学吸附模型,测得印迹传感器的印迹因子β=2.59,结合速率常数k=12.2324 s。传感器表现出良好的重现性和稳定性,并成功用于实际水样和蔬菜样品中CPF的测定,加标回收率为94.1%-101.4%。
谭学才吴佳雯胡琪李晓宇李鹏飞余会成李小燕雷福厚
关键词:毒死蜱石墨烯分子印迹聚合物电化学传感器
基于石墨烯的分子印迹电化学传感器检测甲基对硫磷
以甲基对硫磷为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂的分子印迹电化学传感器并成功应用于有机磷农药甲基对硫磷的检测。采用循环伏安法、差分脉冲伏安法和电化学交流阻抗法研究了所制备传感器的电化学特性以及...
吴佳雯陈晓张慧刘敏严军吴叶宇杜方凯谭学才
关键词:石墨烯甲基对硫磷
文献传递
基于石墨烯掺杂金纳米粒子的灭除威分子印迹电化学传感器的制备与性能研究被引量:4
2015年
以灭除威(XMC)为模板分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,合成的马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为交联剂,在石墨烯掺杂金纳米粒子修饰玻碳电极表面合成分子印迹膜,研制了测定XMC的分子印迹电化学传感器.采用扫描电镜(SEM)对传感膜的形貌进行表征,通过循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱法(EIS)和差示脉冲伏安法(DPV)对传感器的性能进行研究.DPV测试表明,XMC的浓度在1.0×10-7~2.0×10-5 mol·L-1范围内呈良好线性关系,相关系数(r)为0.997 9,检出限(S/N=3)为1.5×10-8 mol·L-1.选择性识别实验结果表明,XMC印迹敏感膜的印迹因子(β)达到2.94,相对于干扰物的选择因子(α)均大于1,对与XMC结构相似的速灭威的选择因子达到2.39,说明该印迹膜对XMC具有良好的选择性.识别过程动力学研究结果表明,石墨烯掺杂金纳米粒子分子印迹传感器的动力学结合速率常数k为73.05 s.将此传感器应用于蔬菜样品的加标回收检测,加标回收率为95.4%~ 108.0%.
胡琪谭学才吴佳雯李晓宇李鹏飞余会成李小燕雷福厚
基于二氧化硅包裹三联吡啶钌的新型咖啡因电致化学发光传感器被引量:5
2015年
将包裹了三(2,2'-联二吡啶)二氯化钌(Ⅱ)配合物(Ru(bpy)32+)的二氧化硅纳米粒子(Ru(bpy)32+@Si O2)通过Nafion膜修饰在玻碳电极上,并研究了咖啡因在此电极上的电化学发光行为。在单因素实验的基础上,结合响应面分析法对实验条件进行了优化,建立了一种检测咖啡因的新方法。在最佳的实验条件下,咖啡因浓度在5.0×10-3~20μmol/L范围内与其相对发光强度呈良好的线性关系(r2=0.9996),检出限(S/N=3)为1.3×10-3μmol/L。连续平行测定1μmol/L的咖啡因溶液5次,相对发光强度的RSD为3.8%。方法用于可乐样品的实际测定,回收率为93.7%~103.8%。
李晓宇谭学才严军胡琪吴佳雯张慧陈晓
关键词:电化学发光联吡啶钌硅溶胶咖啡因响应面
纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其识别性能研究被引量:7
2014年
为了提高苯巴比妥分子印迹传感器的灵敏度,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,热聚合了一种纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹传感器。分别采用循环伏安法(CV)、电化学交流阻抗法(EIS)、差分脉冲伏安法(DPV)、计时电流法(CA)对这种印迹传感器的电化学性能进行了研究。分别采用红外光谱、扫描电镜对此印迹传感器的结构及形貌进行了表征。结果表明,以铁氰化钾为分子探针的间接检测中,铁氰化钾的峰电流值与苯巴比妥的浓度在1.2×10^-7-1.5×10^-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9984),检出限(S/N=3)为8.2×10^-9mol/L。将此印迹传感器用于实际应用,回收率在96.5%-103.0%之间。
余会成黄学艺韦贻春雷福厚谭学才吴海鹰
关键词:纳米氧化铜苯巴比妥分子印迹聚合物
3D石墨烯/SiO_2@Ru(bpy)_3^(2+)修饰电极电化学发光测定敌草隆的研究被引量:5
2016年
利用敌草隆对三联吡啶钌电化学发光(ECL)的增敏作用,以3D石墨烯和二氧化硅固定三联吡啶钌纳米复合材料(Si O2@Ru(bpy)2+3)修饰的玻碳电极为工作电极,建立了一种直接快速检测敌草隆的电化学发光新方法。通过一步水热法合成了3D石墨烯以促进电子传递,油包水微乳液法合成Si O2@Ru(bpy)2+3以提高发光效率。在最佳实验条件下,敌草隆浓度的对数在9.08×10-11~9.08×10-7mol/L范围内与其相对发光强度呈良好的线性关系(r2=0.998 9),检出限(S/N=3)为1.18×10-12mol/L。连续测定2.00×10-8mol/L敌草隆10次,发光强度值的相对标准偏差(RSD)为4.2%,表明该方法具有良好的重复性。用该方法对青菜进行检测,回收率为99.3%~110.8%,结果满意。
张慧谭学才严军刘敏李晓宇陈晓冯德芬岑建梅陈全友魏耀秘
关键词:电化学发光敌草隆修饰电极
全文增补中
纳米石墨烯修饰电极三联吡啶钌电化学发光法测定盐酸雷尼替丁的研究
基于盐酸雷尼替丁对联吡啶钌的电致化学发光信号的增敏作用,以石墨烯修饰的玻碳电极为工作电极采用循环伏安法(CV)和电化学发光(ECL)法研究了联吡啶钌(Ru(bpy)32+)和盐酸雷尼替丁(RTD)共存体系在该修饰电极上的...
李焘胡琪吴佳雯李晓宇谭学才雷福厚黄在银
关键词:石墨烯修饰电极电致化学发光盐酸雷尼替丁三联吡啶钌
文献传递
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