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天津市科技计划(13JCYBJC15700)

作品数:3 被引量:27H指数:1
相关作者:张楷亮陈长军蒋浩吕联荣周立伟更多>>
相关机构:天津理工大学更多>>
发文基金:天津市科技计划国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域:化学工程自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇CU
  • 2篇存储器
  • 1篇电子器件
  • 1篇随机存储器
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化钼
  • 1篇光学
  • 1篇二硫化钼
  • 1篇RRAM
  • 1篇SIO
  • 1篇SIOX薄膜
  • 1篇AL
  • 1篇X

机构

  • 3篇天津理工大学

作者

  • 2篇周立伟
  • 2篇张楷亮
  • 2篇吕联荣
  • 2篇蒋浩
  • 2篇陈长军
  • 1篇王建云
  • 1篇王芳
  • 1篇韩叶梅
  • 1篇赵金石
  • 1篇苗银萍
  • 1篇陈然
  • 1篇邵兴隆
  • 1篇冯玉林

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Cu/TiOx/Al阻变存储器激活过程的研究
2015年
为了拓展光电器件在存储领域的应用以及更深入地了解阻变机理,研究了Cu/TiOx/Al电阻式随机存储器(RRAM)的激活(forming)过程,其中TiOx为透明薄膜。利用磁控反应溅射方法,通过改变O2分压制备出具有高折射率(在可见光区域平均值约2.23)和低消光系数(在可见光区域平均值约0.004 2)的透明TiOx薄膜。通过构建Cu/TiOx/Al三明治结构验证了透明TiOx薄膜的阻变存储特性。在阻变过程中,通过调节forming电压和电流,实现了透明TiOx薄膜的阶段性forming。对不同forming阶段的I-V拟合,进一步探索透明TiOx薄膜forming过程的电子传输方式。结果表明,随着forming的发展,透明器件的传输机理发生明显改变,由肖特基发射(SE)转变为FN隧穿,直接隧穿,到最后的欧姆传输,最终实现完整的forming。揭示了TiOx薄膜应用于可见光波段光电存储器件的可行性。
陈长军宗庆猛蒋浩周立伟吕联荣
关键词:光学
基于Cu/SiO_x/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究被引量:1
2014年
采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件.用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量,结果表明其具有明显的阻变特性,并且通过调节限制电流,得到了四个稳定的阻态,各相邻阻态的电阻比大于10,并且具有良好的数据保持能力.在不同温度条件下对各个阻态进行电学测试及拟合,明确了不同阻态的电子传输机理不尽相同:阻态1和阻态2为欧姆传导机制,阻态3为P-F(Pool-Frenkel)发射机制,阻态4为肖特基发射机制.根据电子传输机制,建立了铜细丝导电模型并对Cu/SiOx/Al阻变存储器件各个阻态的电致阻变机制进行解释.
陈然周立伟王建云陈长军邵兴隆蒋浩张楷亮吕联荣赵金石
关键词:SIOX薄膜
层状二硫化钼研究进展被引量:26
2016年
近年来,层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点.本文综述了层状二硫化钼的物理结构、价带结构和光学性质;介绍了制备方法,包括生长制备和剥离制备.生长制备的原料包括四硫代钼酸铵((NH4)_2MoS_4)、钼(Mo)和三氧化钼(MoO_3)等.剥离制备包括微机械剥离、液相超声法、锂离子插层法和电化学锂离子插层法等.归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、传感器和存储方面的应用,展望了层状二硫化钼的研究前景.
顾品超张楷亮冯玉林王芳苗银萍韩叶梅张韩霞
关键词:电子器件
共1页<1>
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