国家自然科学基金(69889601)
- 作品数：14 被引量：38H指数：4
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- 隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究
- 2005年
- 文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释。此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合。
- 渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器边发射增益谱
- 射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究被引量：4
- 2003年
- 介绍了用普通多靶射频溅射台镀半导体激光器腔面光学膜的工艺方法,给出了实验的工艺条件、采用的光学膜的材料以及具体的工艺参数,讨论了此方法镀光学膜的结果以及优点。
- 邹德恕徐晨鲁鹏程杜金玉崔碧峰舒雄文刘莹沈光地
- 关键词：射频溅射增透膜高反射膜量子效率
- Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：7
- 2005年
- 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。
- 董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地
- 关键词：VCSELALGAAS湿法氧化
- 垂直腔面发射激光器温度特性的研究被引量：8
- 2005年
- 借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃～70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同温度下VCSEL反射谱和增益谱的模拟结果,对实验曲线进行了很好的分析和解释.估算了连续工作状态下研制的InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器内部温升值,而且还得到了现有工艺条件下满足最低室温工作阈值的谐振腔谐振波长与增益谱峰值波长.
- 渠红伟郭霞董立闽邓军达小丽徐遵图沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器增益谱谐振腔反射谱温度
- 隧道再生结构的垂直腔面发射激光器激射特性研究
- 2005年
- 对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息。如果谐振腔谐振波长比增益谱峰值波长长20nm以上,阈值条件很难得到满足,器件很难实现激射。符合模拟参数生长的双有源区隧道再生VCSEL实现了室温激射。氧化孔径8.3μm器件,在11mA注入电流下,获得5mW的输出功率,斜率效率0.702mW/mA,激射波长970nm。
- 渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器隧道再生边发射增益谱
- 射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性被引量：3
- 2004年
- 利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点 ,器件的可靠性也有明显提高。
- 鲁鹏程郭伟玲邹德恕刘莹崔碧峰李建军沈光地
- 关键词：半导体激光器射频磁控溅射腔面镀膜可靠性
- 新型高效隧道再生多有源区超高亮AlGaInP发光二极管被引量：2
- 2002年
- 分析了传统的发光二极管所存在的问题,提出了一种新的发光机制——高效隧道再生多有源区发光机制,详细介绍了新型发光管的工作原理,结构和制备工艺.通过理论和测试分析,验证了新机理器件的轴向光强随有源区的数目增加而线性增加的物理思想,实现了在小电流下的高亮度发光.器件在未生长厚电流扩展层的情况下,峰值波长在625nm左右,20mA注入电流下,15°普通封装,轴向光强最大超过5 cd.
- 郭霞沈光地王国宏王学忠杜金玉高国
- 关键词：ALGAINP发光二极管隧道再生多有源区发光机制量子效率物理思想
- 多有源区垂直腔面发射半导体激光器的特性分析被引量：2
- 2003年
- 提出了一种多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面半导体激光器(VCSEL)结构,其微分量子效率可以大于1,并且可以得到阈值电流小、输出功率大的器件。从理论上得到了针对这种结构的以固定输入电流及串联电阻为参数的最优化分布式布喇格反射镜(DBR)的反射率。从理论上证实了这种结构随着有源区数目的增加能大大提高输出功率,并能极大降低阈值电源密度。
- 朱文军郭霞廉鹏邹德恕高国沈光地
- 关键词：多有源区隧道再生垂直腔面发射激光器半导体激光器特性分析
- 980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs大功率LDs模式特性研究被引量：4
- 2003年
- 针对目前大功率980nm量子阱半导体激光器(LDs)为降低阈值电流而要求激射条宽窄、腐蚀深度深而造成的P I曲线扭折、侧向模式不稳定问题采用有效折射率近似方法进行模拟分析,并得到了实验上的证实。通过采用不对称波导及双量子阱结构,制备了低阈值(19mA)模式稳定的InGaAs/GaAs/Al GaAsLDs,其斜率效率0.6W/A(8μm×500μm,未镀膜器件),在输出功率达到100mW时保持横模、侧模的稳定。
- 崔碧峰李建军邹德恕王东凤沈光地
- 关键词：量子阱半导体激光器侧模稳定性
- 垂直腔面发射激光器菲涅耳系数矩阵法设计被引量：1
- 2006年
- 应用薄膜光学的菲涅耳系数矩阵方法,对垂直腔面发射激光器的驻波场分布设计做了深入的研究。计算结果表明,分布布拉格反射镜生长顺序对器件内部驻波分布有重要的影响。同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确的方法。
- 盖红星陈建新俞波廉鹏邓军李建军韩军沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器光学薄膜驻波场半导体激光器
