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国家自然科学基金(Y107055)
作品数:
2
被引量:2
H指数:1
相关作者:
韩雁
董树荣
刘俊杰
崔强
斯瑞珺
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相关机构:
浙江大学
中佛罗里达大学
中国电子科技集团第五十八研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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董树荣
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2008
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MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模
被引量:1
2008年
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。
崔强
韩雁
董树荣
刘俊杰
斯瑞珺
关键词:
MOS
二次击穿
0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计(英文)
被引量:1
2008年
提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流(μpA)和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达~94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.
朱科翰
于宗光
董树荣
韩雁
关键词:
静电放电
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