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科技部基础研究重大项目前期研究专项(2005CCA00100)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：赵亮王德君王海波朱巧智马继开更多>>
相关机构：大连理工大学更多>>
发文基金：辽宁省自然科学基金科技部基础研究重大项目前期研究专项教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火
  • 1篇退火工艺
  • 1篇N型
  • 1篇SIC
  • 1篇氧
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇MOS电容

机构

  • 1篇大连理工大学

作者

  • 1篇马继开
  • 1篇朱巧智
  • 1篇王海波
  • 1篇王德君
  • 1篇赵亮

传媒

  • 1篇北京科技大学...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO_2/SiC界面研究被引量：3
2008年
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV.cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1.cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.
马继开王德君朱巧智赵亮王海波
关键词：4H-SICMOS电容
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