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上海市科学技术发展基金(08520740100)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：张苗魏星陈静薛忠营罗杰馨更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：上海市科学技术发展基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇图形化
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇SOI衬底
  • 1篇GAN
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇武爱民
  • 1篇张波
  • 1篇王曦
  • 1篇罗杰馨
  • 1篇薛忠营
  • 1篇陈静
  • 1篇魏星
  • 1篇张苗

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究
2010年
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。
张波陈静魏星武爱民薛忠营罗杰馨王曦张苗
关键词：氮化镓绝缘体上硅
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共1页<1>
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