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Sr_(1–y)Ca_yWO_4陶瓷薄膜的成分调控及其发光性能被引量：1: 2012年; 采用原电池电化学法制备了钨酸锶钙(Sr1–yCayWO4)薄膜。利用X射线衍射仪、能谱仪和荧光计等对薄膜进行分析,并研究了薄膜中钙含量(y)与溶液中钙含量(x)之间的半定量关系。研究表明,所得薄膜为多晶膜,钙占据白钨矿结构的钨酸盐AWO4中A位晶格;可根据经验公式y=0.168+0.79x(0.2≤x≤0.8)来半定量地控制膜中的钙含量。随着x的增加,制备的Sr1–yCayWO4多晶体的形貌由SrWO4的双锥形演变到CaWO4的花束状团簇。在258 nm的紫外光激发下,可观测到位于415 nm和463 nm处的2个发光带;发光强度并不随着x的增加表现出规律性的变化,但当x=0.2时制备的Sr1–yCayWO4薄膜样品的发光强度最大。; 陈连平高远红尹艳红袁剑雄; 关键词：电化学法发光性能

溅射时间对CaWO_4:Eu薄膜微结构及发光性能的影响被引量：1: 2015年; 采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca0.64WO_4:Eu0.24薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱研究了薄膜的结构、表面形貌及发光性能。XRD分析表明,在800℃退火处理的薄膜具有四方相结构;当溅射时间大于100 min时,薄膜高度地沿(004)晶面择优生长。SEM分析表明,薄膜的表面由许多光滑的多边形组成;由于过度长大,晶界处存在一些100 nm左右的针孔。荧光分析表明,在223 nm紫外光激发下,Ca0.64WO_4:Eu0.24薄膜在616 nm处发射出强烈的红光,并且,在592,655和703 nm处也观测到了明显的发光峰;研究还表明,发光强度与薄膜沿(004)晶面的择优生长因子之间存在正相关关系,当溅射时间在120 min以上或者薄膜的择优生长因子大于100时,薄膜都能发射出明亮的红光。为了获得最强的发光,镀膜时间宜控制在140 min左右。; 陈连平陈贻斌曹俊; 关键词：铕溅射发光

制备工艺对掺铕的钨酸钙薄膜发光性能的影响被引量：2: 2014年; 采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜，利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜的红光（615 nm）发光强度的影响。荧光分析表明，溅射法沉积的Ca0.98WO4∶Eu0.02薄膜需在700~800℃热处理后才能强烈地表现出Eu3＋离子的特征发光行为；正交试验说明，溅射气压、时间和功率对薄膜的发光强度都有重要影响，溅射气压的影响尤为重要。研究还表明，为提高发光强度，溅射气压宜控制在1.0 Pa左右，溅射时间在160 min。; 陈贻斌曹俊陈连平; 关键词：铕溅射发光性能

离子置换法制备的掺铽钨酸钙薄膜的结构、成分与性能研究被引量：2: 2011年; 采用离子置换法直接在室温条件下合成出了发光性能优良的CaWO4:Tb3+薄膜,并利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、荧光光谱仪等对薄膜的相结构、成分和元素价态及发光性能进行了分析。研究表明,采用离子置换法合成的CaWO4:Tb3+薄膜属于四方晶系;成分及元素价态分析表明,经过掺杂处理后,薄膜中含有Tb元素,并且掺入的Tb元素表现为+3价;当薄膜在含Tb3+离子的溶液中处理8 min后,膜中的Tb元素含量可达3%。在紫外光的激发下,CaWO4:Tb3+薄膜发射出波长为489 nm、543 nm、585 nm和618 nm的光,分别对应Tb3+离子5D4→7F6、7F5、7F4、7F3能级的跃迁,其中543 nm处的发光最强。由此可见,离子置换法成功地解决了无法利用电化学技术制备出稀土钨酸盐材料的难题。; 陈连平高远红袁剑雄; 关键词：铽发光

稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备方法的研究现状被引量：4: 2016年; 稀土掺杂铝酸锶薄膜在长余辉夜视照明、无损实时可视化探测、机械应力传感器、纳米光电子器件、二维温度传感器以及薄膜太阳能电池等领域具有极为广阔、诱人的应用前景.要实现以上应用,首要条件是制备出质量高、性能优良的薄膜.因此制备稀土掺杂铝酸锶薄膜成为当今研究的热点.综述了国内外制备稀土掺杂铝酸锶薄膜的主要方法,包括射频磁控溅射法、溶胶—凝胶法、脉冲激光沉积法和激光熔蒸法,并重点介绍了射频磁控溅射法;另外对各种方法的优缺点进行了阐述.; 曹俊陈连平李翠云; 关键词：铝酸锶长余辉

Ca_(1-1.5x)WO_4:Eu_x发光薄膜的射频溅射制备技术研究被引量：1: 2015年; 以Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷为靶材,采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜,利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜的红光(616 nm)发光强度的影响;并利用荧光光谱仪和X射线光电子能谱(XPS)仪研究了薄膜的发光性能和成分。极差分析说明,溅射气压、时间和功率都会影响薄膜的发光强度,溅射时间的影响尤为重要。为提高发光强度,溅射气压宜控制在0.2 Pa左右,溅射时间在140 min。成分分析表明,薄膜中钙元素含量显著低于靶材中的含量,但铕元素含量显著偏高。研究还表明,靶材中Ca、W、O和Eu元素的溅射产额比为1∶1.79∶1.84∶2.28。XPS分析和光致发光谱都说明,薄膜中的Eu元素同时存在+3和+2价。; 陈连平陈贻斌曹俊; 关键词：铕溅射发光

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国家自然科学基金(50802036)