您的位置: 专家智库 > >

泉州市优秀人才培养专项经费资助项目(12A17)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:王锋林海容张小婷林闻黄伟伟更多>>
相关机构:泉州师范学院更多>>
发文基金:泉州市优秀人才培养专项经费资助项目福建省教育厅A类人文社科/科技研究项目福建省自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇多层膜
  • 2篇非晶
  • 2篇磁性
  • 1篇导电
  • 1篇导电机理
  • 1篇导体
  • 1篇电性能研究
  • 1篇束缚磁极化子
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋极化
  • 1篇极化子
  • 1篇固相
  • 1篇固相反应
  • 1篇半导体
  • 1篇CO
  • 1篇CR
  • 1篇磁极化

机构

  • 3篇泉州师范学院

作者

  • 3篇王锋
  • 1篇许辉鳄
  • 1篇葛永明
  • 1篇黄俊钦
  • 1篇黄伟伟
  • 1篇林闻
  • 1篇陈瑞美
  • 1篇张小婷
  • 1篇陈春花
  • 1篇林海容
  • 1篇杨少贵

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
非晶Co/Ge多层膜的磁性和电性能
2013年
采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x](x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm)非晶多层薄膜,X射线衍射仪(XRD)显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可达8.3×104 A/m.霍尔效应测试表明样品均为P型半导体,载流子浓度约为1023~1025 m-3.薄膜的低温电阻导电机理属于磁性半导体材料的自旋依赖电子变程跃迁机制,实验结果表明,Co/Ge体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
王锋陈春花陈瑞美
关键词:CO磁性半导体自旋极化
Cu掺杂ZnO磁性能的实验与理论研究被引量:3
2014年
采用固相反应法制备了Cu掺杂ZnO样品.在室温下Cu含量>3%的样品在室温下表现为铁磁性.样品为n型半导体,载流子的浓度为1015cm-3.利用密度泛函理论(DFT+U)计算了CuZnO体系的Cu2+—O2-—Cu2+,Cu2+—Vo—Cu2+,Cu2+—Vo+—Cu2+,Cu2+—V++o—Cu2+磁交换耦合作用,给出了不同束缚电荷的氧空穴Vo与Cu2+离子之间的超交换机理,提出了CuZnO体系中铁磁性机理为Cu2+—V++o—Cu2+束缚磁极化子模型.
王锋林闻王丽兹葛永明张小婷林海容黄伟伟黄俊钦W.Cao
关键词:固相反应铁磁性束缚磁极化子
非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究
2013年
采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度M s可达33 emu/cm3。提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制。
王锋许辉鳄杨少贵
关键词:磁性导电机理
共1页<1>
聚类工具0