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中国科学院新疆物理研究所

作品数:640 被引量:1,496H指数:19
相关作者:严荣良宋世庚韩英康健陈朝阳更多>>
相关机构:新疆大学物理系电子科技大学微电子与固体电子学院中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院院长基金中国科学院西部之光基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 333篇期刊文章
  • 129篇科技成果
  • 98篇会议论文
  • 76篇专利
  • 2篇标准

领域

  • 198篇电子电信
  • 65篇理学
  • 51篇自动化与计算...
  • 44篇一般工业技术
  • 41篇核科学技术
  • 39篇机械工程
  • 39篇电气工程
  • 37篇化学工程
  • 21篇医药卫生
  • 14篇天文地球
  • 10篇农业科学
  • 9篇经济管理
  • 9篇航空宇航科学...
  • 6篇石油与天然气...
  • 5篇轻工技术与工...
  • 4篇冶金工程
  • 4篇交通运输工程
  • 4篇自然科学总论
  • 3篇生物学
  • 2篇文化科学

主题

  • 97篇电阻
  • 80篇热敏电阻
  • 41篇半导体
  • 40篇电离辐射
  • 36篇陶瓷
  • 34篇粉体
  • 33篇射线
  • 32篇电阻器
  • 29篇电路
  • 29篇计算机
  • 27篇氧化物
  • 27篇界面态
  • 26篇辐照
  • 25篇电离辐照
  • 25篇纳米
  • 24篇放大器
  • 23篇运算放大器
  • 22篇压敏
  • 22篇热敏电阻器
  • 20篇网络

机构

  • 638篇中国科学院
  • 26篇新疆大学
  • 15篇电子科技大学
  • 14篇西安微电子技...
  • 7篇西安交通大学
  • 7篇新疆医科大学
  • 7篇中国科学院上...
  • 5篇北京大学
  • 5篇四川大学
  • 4篇中国科学技术...
  • 3篇西安电子科技...
  • 3篇新疆兵团医院
  • 2篇北京石油化工...
  • 2篇济南大学
  • 2篇航天工业总公...
  • 2篇烟台大学
  • 2篇中华人民共和...
  • 2篇新疆石油学院
  • 1篇复旦大学
  • 1篇华中科技大学

作者

  • 98篇严荣良
  • 93篇任迪远
  • 71篇张国强
  • 66篇陶明德
  • 64篇陆妩
  • 60篇余学锋
  • 58篇郭旗
  • 45篇范隆
  • 35篇宋世庚
  • 34篇杨文
  • 28篇康雪雅
  • 28篇何承发
  • 25篇巴维真
  • 25篇吾勤之
  • 24篇韩英
  • 24篇常爱民
  • 22篇康健
  • 22篇余学峰
  • 20篇陈朝阳
  • 19篇艾尔肯

传媒

  • 61篇核技术
  • 27篇Journa...
  • 24篇功能材料
  • 23篇固体电子学研...
  • 19篇计算机应用研...
  • 12篇电子元件与材...
  • 12篇第六届全国抗...
  • 10篇新疆大学学报...
  • 9篇辐射研究与辐...
  • 8篇无机材料学报
  • 8篇核电子学与探...
  • 7篇微电子学与计...
  • 7篇仪表材料
  • 6篇硅酸盐学报
  • 6篇材料研究学报
  • 4篇物理
  • 4篇计算机系统应...
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 4篇石河子大学学...
  • 4篇传感技术学报

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 8篇2004
  • 17篇2003
  • 50篇2002
  • 51篇2001
  • 46篇2000
  • 57篇1999
  • 42篇1998
  • 34篇1997
  • 30篇1996
  • 25篇1995
  • 37篇1994
  • 23篇1993
  • 19篇1992
  • 25篇1991
  • 22篇1990
  • 20篇1989
  • 11篇1988
640 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
线性互换热敏电阻组件
庄顺昌 阳正本 郑应智 马继才 赵崇容
该项目是一种热敏电阻和固定电阻组成的线性互换热敏电阻组件,是属于新型的半导体温度传感元件。它是由两个高稳定性的玻璃密封的片状热敏电阻与两个金属膜电阻组成的线性网络。该组件有电压和电阻两种输出方式,具有良好的线性输出和各组...
关键词:
关键词:传感器热敏元件热敏电阻器
退火工艺对注F MOSFET辐照特性的影响被引量:4
1993年
比较了注F后900℃ N_2退火30分钟和950℃ N_2退火10分钟两种退火方式制作的P沟MOSFET和N沟MOSFET的电离辐照行为。结果发现,注F后900℃ N_2退火30分钟具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力。用退火工艺影响栅介质中缺陷的消除模型对实验结果进行了讨论。
张国强余学锋高文钰任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
关键词:电离辐射退火MOSFET
Web与数据库的集成被引量:23
1999年
随着信息的网络化, Web 与数据库的集成变得越来越重要。本文叙述了目前 Web 与数据库集成中主要的几种连接技术,对它们的开发过程进行了分析和对比,并给出了一个利用 A S P 技术连接数据库的编程实例。
梁筱丽杨建中
关键词:WEB数据库INTERNET网信息检索
Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析被引量:1
2003年
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.
范隆郝跃严荣良陆妩
关键词:电离辐照
评测数据挖掘过程方法的研究
1引言近年来随着数据仓库和计算机网络的广泛应用,加上先进自动数据生成和采集工具,人们所拥有的数据量急剧增大。数据的迅速增加,数据分析方法显得有些滞后,数据挖掘随之发展起来,数据挖掘的应用也越来越广,已经广泛的应用于科学研...
王锋锐蒋同海李树仁
文献传递
新型硅吸收剂量量热计的电校准被引量:1
1999年
叙述了新型硅吸收剂量量热计的结构及电校准原理;给出了量热计在0—35℃工作温区的电加热校准因子,拟合出硅比热随温度变化关系式,并对实验误差进行了讨论。
安金霞巴维真吾勤之何承发陈朝阳
关键词:
基于构件方法在智能决策支持系统中的应用被引量:8
2002年
介绍了构件方法在智能决策支持系统中的分析和设计方法 ,讨论了构件的构造原则及其对系统分析和设计的要求 ;提出了如何基于构件方法实现智能决策支持系统的一种设计原理和系统结构 ;给出了基于对象建模技术和构件对象模型技术的模型库和方法库的分析。
胡彬华李晓刘红烁梁剑
关键词:智能决策支持系统对象建模技术计算机
多成分非晶薄膜热激电导研究
陶明德 谭辉 韩英
该项研究探求了CoMnNiO非晶半导体材料的热激电导机理,揭示了多成分非晶薄膜材料的电导温度特性,用以指导非晶半导体温度传感器的设计。其研究取得了以下成果:提出了CoMnNiO非晶薄膜具有多渠道导电的机理,其导电温度特性...
关键词:
关键词:电导热激发半导体膜
Y掺杂对BaTiO_3系半导化薄膜PTCR特性的影响被引量:12
2001年
介绍了Y掺杂对BaTiO3 系半导化薄膜PTCR特性的影响。实验发现 ,当Y掺杂浓度在 0 .1mol%~ 1.5mol%时 ,薄膜的室温电阻为 10~ 5 0Ω ,突变温区为 1℃。在 [Y3 + ] =0 .7mol%时 ,薄膜的升阻比达 10 6。实验结果表明 :薄膜的转变温度、升阻比和室温电阻与Y掺杂浓度有关。
沈良曲风钦宋世庚
关键词:PTCR钛酸钡半导体薄膜
基于关系数据库的对象数据管理方法研究被引量:5
2002年
面向对象方法在许多领域中已经得到了广泛应用 .对象描述方法可以很方便地描述领域中具有复杂结构的数据 ,但这些复杂数据的存储问题还有待妥善解决 .在数据存储管理方面 ,关系数据库系统一直处于主导地位 .本文提出了一种将对象模型和关系模型有机结合在一起的方法 .该方法将数据存储功能从领域数据对象中分离出来 ,采用专门的对象管理器来处理复杂的对象数据与关系数据库的交互问题 .该方法已经被用于海洋传播模型数据库管理系统的设计开发中 。
童立李晓马远良
关键词:面向对象关系数据库数据管理数据对象模型
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