江苏省信息显示工程技术研究中心
- 作品数：10 被引量：10H指数：2
- 相关机构：东南大学南京华显高科有限公司荷兰皇家飞利浦电子公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- MgO的外逸电子发射在PDP中作用被引量：4
- 2009年
- MgO外逸电子发射特性的获得是实现PDP高分辨率显示的关要技术之一,对MgO外逸电子发射的产生机理、测试方法及形成MgO外逸电子发射的方式进行了详细阐述,对该特性缩短PDP器件的统计延迟时间及提高放电稳定性等作用做了深入讨论,为合理利用MgO外逸电子发射特性,改善PDP特性提供了有力的理论基础。
- 李青朱笛Harm Tolner
- 关键词：MGO等离子体平板显示放电
- 应用在头盔显示中的LCOS显示屏驱动电路设计
- 本文提出了一种基于XGA LCoS显示屏的双目头盔显示系统,采用场序彩色技术实现彩色显示.系统的接口是数字视频接口,核心是用一块FPGA芯片来进行解码芯片的配置和视频数据格式的转换,一片同步动态随机存储器存储象素数据,实...
- 黄杰江李晨孙远航邱超江张晓兵雷威
- 关键词：硅基液晶场序彩色同步动态随机存储器
- 文献传递
- 高Xe混合气体对荫罩式等离子体显示器性能的影响被引量：4
- 2009年
- 本文以提高荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的发光效率为目标,以7"小屏为实验平台,采用实验测试的方法研究了提高Xe浓度对着火电压、静态margin、单脉冲亮度和发光效率的影响。结果表明,Xe浓度的提高虽然增加了着火电压,但同时也加大了静态margin、提高了单脉冲亮度以及发光效率,因此不失为改进SM-PDP的发光效率和性能的良好途径。
- 朱笛李青况亚伟崔渊
- 关键词：荫罩式等离子体显示器着火电压亮度发光效率
- 老炼对荫罩式PDP的静态放电特性及MgO薄膜的影响
- 本文研究了老炼过程对42寸新型荫罩式PDP(SM-PDP)的静态放电特性及MgO薄膜的影响.持续的老炼使荫罩式PDP的着火电压和维持电压逐渐降低并维持稳定,而静态记忆余裕度(static margin)则持续缓慢增大并稳...
- 石吟馨李青宋明贵况亚伟
- 关键词：等离子体显示器荫罩式PDP
- 文献传递
- 晶体发射层对荫罩式等离子体显示屏性能的影响
- 2010年
- 在荫罩式等离子体显示板(SMPDP)中的MgO薄膜表面制作了一层纳米级的晶体发射层(CEL),研究其对SMPDP性能的影响,对比了前后板都制备CEL和仅在后板制备CEL两种情况下,显示屏的亮度、响应时间和发光效率的变化情况,得到的结论是制作CEL可以很好地改善SMPDP的特性,而且在前后板都制备CEL改善效果更加明显。
- 吴敏霞李青匡文剑
- 关键词：SMPDPMGO亮度发光效率
- 蓝相液晶及其在微透镜器件中的应用被引量：2
- 2012年
- 聚合物稳定蓝相液晶(PSBPLC)具有响应速度达到亚毫秒量级,偏振光独立及工艺无需取向工艺等特点,在显示技术及光电子器件领域有潜在的巨大应用空间。文章论述了PSBPLC微观相变模型、宏观克尔效应等特性。在此基础上,论述了蓝相液晶微透镜技术的发展。介绍了PSBPLC实现微透镜阵列的主要结构,包括圆孔电极的蓝相液晶透镜;曲面电极的蓝相液晶透镜;多电极蓝相液晶GRIN透镜;模式控制的蓝相液晶透镜,以及采用ZnO纳米棒为电极实现蓝相液晶透镜,对比了上述几种透镜的结构和特点。
- 李青严静崔勇扬
- 关键词：微透镜
- 等离子体紫外光源技术的进展及应用
- 以等离子体放电为机理的紫外光源，在现代技术领域中应用更加广泛和具体，如杀菌、消毒，激光泵浦，光敏材料的固化，介质表面的改性，光清洗，微电子集成电路的刻蚀，污染物的降解，生物医学检测及诊治等[1-3]。目前多以管状光源为主...
- 李青匡文剑陈禹翔胡凯
- 保护膜外逸电子发射特性对壁电荷的影响及改进方法
- 2009年
- 保护膜的外逸电子发射有利于缩短PDP响应时间并使放电稳定进行,但同时也会带来壁电荷的损失。文章评述了保护膜的外逸电子发射特性致使壁电荷损失的因素,并讨论了目前为改善壁电荷损失采用的方法,为合理利用保护膜的外逸电子发射特性提供了良好的研究基础。
- 李青朱笛TOLNER Harm
- 关键词：保护膜壁电荷PDP
- 等离子体紫外光源技术的进展及应用
- 以等离子体放电为机理的紫外光源,在现代技术领域中应用更加广泛和具体,如杀菌、消毒,激光泵浦,光敏材料的固化,介质表面的改性,光清洗,微电子集成电路的刻蚀,污染物的降解,生物医学检测及诊治等。目前多以管状光源为主。随着技术...
- 李青匡文剑陈禹翔胡凯
- 文献传递
- 掺杂MgO薄膜对SMPDP性能的影响
- 本文主要介绍了荫罩式等离子显示器MgO制备中掺杂对MgO性能的影响.通过电子束蒸发制备无掺杂MgO和掺杂的MgO作为保护膜,并制备试验屏.通过XRD分析研究了MgO的微观结构,并测量了静态记忆余裕度(Margin).结果...
- 宋明贵李青石吟馨况亚伟张青和许晓伟
- 关键词：等离子体显示器氧化镁掺杂改性
- 文献传递
