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华润上华科技股份有限公司: 作品数：27 被引量：15H指数：2; 相关作者：张爱军孙亚萍何永华陈永珍王智勇更多>>; 相关机构：东南大学苏州大学电子科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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功率VDMOS器件可靠性及应用失效分析: 功率VDMOS属于分立器件，以其高开关速度、低损耗等特点而应用广泛。由于功率VDMOS的工作条件恶劣，在高温大电压的应用环境下失效概率较大。本文总结和简述了VDMOS在可靠性考核和实际应用中的一些典型失效分析过程和方法，...; 胡振邦; 文献传递

华润上华:矢志不移地做好自己独特的市场定位: 2005年; 问：请您谈谈今年中国大陆集成电路产业的总体形势及华润上华在今年取得的业绩。; 邓茂松; 关键词：集成电路产业业绩

E^2PROM工艺的ESD保护电路失效分析被引量：1: 2008年; ESD保护电路已经成为集成电路不可或缺的组成部分,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOSIC设计过程中一个棘手的问题。光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、微红外发光显示设备EMMI等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及机理。文章通过对一组击穿失效的E2PROM工艺的ESD保护电路实际案例的分析和研究,介绍了几种分析工具,并且在ESD失效机制的基础上,提出了改进ESD保护电路的设计途径。; 易峰万颖; 关键词：静电放电保护元件

Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金对Al-7Si合金微观组织和力学性能的影响: 2023年; 通过真空电弧熔炼炉制备Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金,利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针显微分析仪(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、差热分析仪(DSC)和万能材料试验机,研究不同添加量(0.3%,0.5%,0.7%,0.9%和1.3%,质量分数,下同)Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金对Al-7Si合金微观组织和性能的影响。结果表明:随着Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti合金添加量的增加,Al-7Si合金中初生α-Al和共晶Si组织被显著细化。与未添加Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金相比,当Al-7Si合金中添加0.9%Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti中间合金后,初生α-Al晶粒尺寸从218μm减小到80μm,二次枝晶间距从25μm减小到9.3μm;共晶Si组织由粗大的针片状细化为短片状和短棒状,平均长度和宽度分别从34.8μm和4μm减小到11.6μm和1.7μm;合金的抗拉强度和伸长率分别达到184 MPa和9.3%,与未变质合金的力学性能(162 MPa和3%)相比分别提高了13.6%和210%,断裂模式由韧脆混合断裂模式转变为韧性断裂。然而,当Al_(2.5)Cu_(0.5)Ti合金的添加量增加到1.3%时,发生过变质现象,导致Al-7Si合金组织粗化,力学性能下降。; 王平波孙赫阳张岩张杰张杰; 关键词：初生Α-AL 力学性能

一种新型硅片电学测试图形的失效分析方法: 2016年; 针对一种新型的多压点复杂硅片电学测试(WET)结构,采用键合技术结合光束导致电阻变化(OBIRCH)缺陷隔离设备,定位芯片异常结构。之后利用扫描电子显微镜(SEM)对平面剥层后的样品进行表面观察,再利用聚焦离子束(FIB)切割仪和透射电子显微镜(TEM)对芯片做进一步的剖面结构物理分析,进而确定导致芯片性能异常的原因。通过手工键合把需要加相同测试条件的金属压点连接在印刷电路板(PCB)或引线框架的同一个电极上,以减少电性能测量时实际所需连接的金属压点的数目,成功确定了特征尺寸为0.11μm的逻辑电路失效产品的两个WET参数失效的根本原因。; 洪海燕徐立周浩徐海涛; 关键词：特征尺寸

基于ERP系统的质量BOM管理模式探讨被引量：4: 2008年; 本文构建了质量BOM体系提出的基于质量BOM体系的质量管理模式,对质量BOM体系的划分以及各个子质量BOM之间的联系进行了阐述;并且通过对质量BOM体系面向产品特性所作的详细描述,验证了质量BOM体系不但便于解决质量管理的分散性问题,并且使得质量数据以产品结构配置为引导有序地集成在一起。; 孙亚萍; 关键词：ERP BOM 质量管理

在标准参数测试系统上开发CV分析功能—用于MOS器件参数失效分析被引量：2: 2004年; 为了及时、直接分析PCM参数异常及电路失效原因,我们在标准参数测试系统(如HP4062,Ag4070系列)上开发了MOSC-V测试分析功能。鉴于目前MOS工艺水平不断提高,硅表面空间电荷区少子产生寿命在数百μs以上,传统C-V分析技术往往不能对参数失效电路进行有效分析。为此我们开发了一个新的C-V分析模式。给出了用此分析模式对CMOS产品的MOSC-V测试分析结果。并简要说明如何利用C-V技术分析PCM参数异常及电路失效的方法。; 陈永珍; 关键词：MOS MOS结构

嵌入式EPROM数据保持能力评估方法优化被引量：1: 2011年; 高温加速老化测试是半导体存储器产品可靠性评估必经的步骤。其中产品失效激活能的确定对数据保持能力研究有重要意义,它决定了老化可靠性评估的原则。文章首先介绍了可靠性评估原则的确定方法,然后在不同的温度下进行老化测试,利用数据规一划方法确定了相关重要数据,最后给出了在工艺稳定后的活化能和量产时的数据保持能力测试前烘烤的温度和时间。; 徐海涛王智勇; 关键词：存储器可靠性评估激活能