湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室
- 作品数：5 被引量：18H指数：3
- 相关作者：王松李飞冯波更多>>
- 相关机构：湖北大学材料科学与工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 不同形貌氧化锌的乙醇胺辅助水热制备及光催化性能被引量：3
- 2017年
- 采用乙醇胺辅助水热的方法制备了一系列不同形貌的具有高效光催化性能的氧化锌纳米/微米晶。通过简单地调控乙醇胺的加入量得到了六方棱柱状孪晶、六方棒和三维花状等形貌。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)分光光谱等对样品进行了表征。在模拟太阳光氙灯的照射下,研究了不同形貌氧化锌光降解甲基橙的性能,发现六方棱柱状孪晶氧化锌表现出最佳的光催化活性。
- 王松冯波刘星辰杨锐李飞
- 关键词：水热法制备氧化锌甲基橙
- 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计被引量：2
- 2022年
- 为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2)条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与Si-δ掺杂浓度、InGaAs沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数的关系.结果表明:Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs沟道厚度较大,沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗电子辐照能力.经分析原因如下:1)电子束与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷,增加复合中心密度,散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低;2)高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度,降低二维电子气受辐射损伤的影响;3)高In组分应变沟道有利于提高二维电子气迁移率,但辐照后更容易应变弛豫产生位错缺陷,导致二维电子气迁移率显著下降.
- 周书星方仁凤魏彦锋陈传亮曹文彧张欣艾立鹍李豫东郭旗
- 关键词：二维电子气电子束辐照
- 球形无规键无规场模型研究弛豫铁电体极化效应被引量：6
- 2014年
- 基于球形无规键无规场模型和电场作用下弛豫铁电体微畴-宏畴机理,利用模糊畴界观点以及电场对极化的分数维效应,分析了电场对畴的作用机理.研究结果表明:电场对畴的诱导偶极子增量的极化效应导致了电滞回线的不饱和及相关的大的电致伸缩效应;而畴的偶极子增量耦合时结合能的变化对低电场的电滞回线略有影响,但基本不会改变高电场时的极化状态.初始微畴大小对电滞回线非常重要,细小的微畴会导致细长的电滞回线及电场与电致伸缩良好的线性关系.
- 屈少华曹万强
- 关键词：弛豫铁电体极化电致伸缩
- 稀土上转换发光纳米晶的发光调控及传感应用被引量：7
- 2017年
- 对稀土上转换发光纳米晶的发光调控以及其在传感器方面的研究进行了简要综述,主要包括发光机制、发光性质的优化、颜色调控及其在DNA检测、p H值检测、金属离子、小分子和温度传感等方面的应用研究。但是如何更加有效地提高上转换发光效率仍然是一个挑战。
- 王松程晓红梁桂杰钟志成
- 关键词：纳米晶发光机制传感
- 超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用
- 2024年
- 在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InGaN/GaN超晶格插入层的外延结构及其对照样品.变温光致发光谱测试表明引入n型InGaN/GaN超晶格插入层的样品发光波长更短且内量子效率提升,相应的电致发光谱积分强度也显著增加且半宽减小,说明引入超晶格应变插入层可以在一定程度上抑制影响发光效率的量子限制Stark效应.理论计算结果表明:在生长有源区量子阱前引入超晶格应变层,可以削弱有源区量子阱内极化内建电场,减弱有源区量子阱能带倾斜,增加电子空穴波函数交叠,提高发射几率,缩短辐射复合寿命,有利于辐射复合与非辐射复合的竞争,实现更高的复合效率,从而提高发光强度.本文从实验和理论两方面验证了超晶格应变调制插入层可以有效改善器件性能,为器件的结构设计优化指明方向.
- 曹文彧张雅婷魏彦锋朱丽娟徐可颜家圣周书星胡晓东
- 关键词：GAN多量子阱超晶格
