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长沙铁道学院信息工程学院材料研究所

作品数：20 被引量：66H指数：3
相关作者：李义兵更多>>
相关机构：华中理工大学物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金霍英东基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 8篇纳米
  • 4篇自组装
  • 4篇自组装体系
  • 4篇组装体
  • 3篇单电子
  • 3篇数值模拟
  • 3篇主方程
  • 3篇量子
  • 3篇计算机
  • 3篇计算机模拟
  • 3篇AU纳米粒子
  • 3篇值模拟
  • 2篇电路
  • 2篇电容
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇离子注入
  • 2篇量子点
  • 2篇快速热退火
  • 2篇半导体

机构

  • 19篇长沙铁道学院
  • 2篇中南工业大学
  • 1篇华中理工大学

作者

  • 18篇周继承
  • 14篇李义兵
  • 13篇何红波
  • 2篇黄伯云
  • 1篇姚凯伦
  • 1篇吴恩熙

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇长沙铁道学院...
  • 2篇功能材料
  • 1篇粉末冶金技术
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇科技通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇2000年中...

年份

  • 3篇2001
  • 11篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Au纳米粒子的束缚能被引量：1
2001年
利用从头计算法计算了一定粒径下Au纳米量子点的谐振子束缚能的大小。根据对波函数的分析发现 ,谐振子势是描述量子点的一个较好的势模型。
何红波周继承胡慧芳李义兵
关键词：从头计算法谐振子势束缚能金
二维纳米点阵列的主方程模拟被引量：2
2001年
介绍了一种利用正统理论与主方程方法模拟二维量子点阵列的程序。数值计算的结果表 明二维量子点阵在低温下有库仑充电行为 ,其量子功能作用使它显示出可喜的研究价值和应用 前景。
何红波周继承胡慧芳李义兵
关键词：主方程单电子数值模拟
列车制动摩擦材料研究进展被引量：48
1999年
简单概述了各类列车制动摩擦材料的发展历史及现状；阐述了它们各自的性能和特点，并据此分析了它们的适用条件与范围。
周继承黄伯云
关键词：摩擦材料制动高速列车
预非晶化离子注入对硅p^+n结性能的影响被引量：1
1999年
用Ｓｉ＋／Ｂ＋、Ａｒ＋／Ｂ＋双注入结合快速热退火技术制备出了较浅的ｐ＋ｎ结，用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋或Ａｒ＋预非晶化离子注入的作用。结果表明，适当条件的Ｓｉ＋预非晶化注入能有效地抑制硼原子的沟道效应，用Ｓｉ＋／Ｂ＋双注入制备出了高硼原子电激活率的Ｐ＋薄层，且电性能优良，残留二次缺陷少，ｐ＋ｎ结二极管反偏漏电流仅２．０ｎＡ／ｃｍ２（－１．４Ｖ）；而Ａｒ＋注入虽然也能抑制硼原子注入沟道效应，但它使注入硼原子电激活率低，制得的Ｐ＋薄层性能差。
周继承
关键词：快速热退火
材料的基础性质和多体合金哈密尔顿实时模拟数据库
1997年
本文采用元素周期表在计算机网上给出了基本材料的性质。这些性质均可按索，使用者可找出感兴趣的性能，并查寻哪种材料具有所描述的性质．而且末数据库还能进行多作哈密尔顿的实时模拟．所以，理论上讲，任何材料的重要性能，如结构，晶格常数，结合能等均可由此获得．
李义兵
关键词：计算机模拟数据库
二维纳米点阵列的Monte-Carlo模拟被引量：3
2000年
介绍了一种利用标准单电子隧穿理论与Monte Carlo方法模拟二维量子点阵列的程序 .数值计算结果表明 ,二维量子点阵在低温下有库仑充电行为 。
何红波周继承胡慧芳李义兵姚凯伦
关键词：MONTE-CARLO模拟单电子金属
基于量子元胞自动机的逻辑电路被引量：2
2001年
简述了量子元胞自动机 (QCA)的理论及其逻辑电路的实现方式。每个量子元胞包含两个电子 ,它们通过库仑相互作用与邻近元胞耦合。每个量子元胞上的电荷分布趋于沿两垂直轴的某一轴向分布 ,可以以此来表达二进制信息。
何红波周继承胡慧芳李义兵
关键词：量子元胞自动机逻辑电路数字电路
Si^+/B^+双注入单晶硅的快速热退火
1999年
用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明：Ｓｉ＋ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应；快速热退火Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入样品，其注入损伤基本消除，残留二次缺陷少，硼原子电激活率高；优化与控制快速热退火条件和Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入参数，制备出了电学特性优良的浅ｐ＋ ｎ 结，其二极管反偏漏电流仅为１．９ ｎＡ·ｃｍ － ２（－ １．４Ｖ）。
周继承
关键词：快速热退火单晶硅
CdS纳米粒子自组装体系I-V特性的数值模拟
2000年
对形成室温单电子器件的典型串联双隧道结结构模型利用求解含时薛定谔方程计算了其隧穿电流与偏压的关系 .对 Cd S纳米粒子自组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,结果与实验符合得较好 .
何红波周继承胡慧芳李义兵
关键词：硫化镉自组装体系
碳纳米管缺陷态的分子动力学模拟
通过分子动力学方法,采用以局域密度(LDA)近似和二阶动力量矩(SMA)近似为基础的多体势函数,模拟了碳纳米管中缺陷态的隐定性.
何红波周继承胡慧芳李义兵
关键词：碳纳米管缺陷态分子动力学
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