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一般财团法人电力中央研究所

作品数：14 被引量：0H指数：0
相关机构：株式会社电装丰田自动车株式会社昭和电工株式会社更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 9篇单晶
  • 9篇碳化硅
  • 9篇碳化硅单晶
  • 9篇硅单晶
  • 7篇位错
  • 5篇晶片
  • 3篇品位
  • 2篇电极
  • 2篇振动
  • 2篇刃型位错
  • 2篇双电层
  • 2篇热应力
  • 2篇重金
  • 2篇重金属
  • 2篇重金属元素
  • 2篇籽晶
  • 2篇外延层
  • 2篇面积变化
  • 2篇金属元素
  • 2篇晶体

机构

  • 14篇一般财团法人...
  • 11篇株式会社电装
  • 4篇丰田自动车株...
  • 3篇昭和电工株式...
  • 2篇国立大学法人...
  • 2篇株式会社鹭宫...
  • 1篇纽富来科技股...

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅单晶及其制造方法
在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×10<Sup>15</Sup>cm<Sup>‑3</Sup>以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将S...
徳田雄一郎上东秀幸星乃纪博土田秀一镰田功穗
文献传递
碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法
[课题]本发明提供能够抑制贯通刃型位错被转变成棱柱面位错以及棱柱面位错被转变成基底面位错的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭和碳化硅晶片。[解决手段]利用气体法使碳化硅单晶在种基板的表面生长时，以种基板的矢径方向上的...
别役洁星乃纪博镰田功穗土田秀一冈本武志神田贵裕
碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭
[课题]本发明提供使晶体生长速度为高速且从基底面位错转变成贯通刃型位错的转变率得以提高的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭。[解决手段]通过制作由相对于{0001}面具有[1‑100]方向的离轴角的碳化硅形成的种基板...
別役洁星乃纪博镰田功穗土田秀一堀合慧祥冈本武志
振动发电元件
振动发电元件具备：一对电极，其相互相对地配置，且至少任意一方能移动；以及离子凝胶，其被设为介于一对电极之间，使离子液体凝胶化而形成，电极通过来自外部的振动而在一对电极的间隔变化的方向上移动，由此隔着电极与离子凝胶的界面而...
藤田博之三屋裕幸小野新平
文献传递
碳化硅铸锭、碳化硅铸锭的制造方法和碳化硅晶片的制造方法
本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成...
镰田功穗星乃纪博别役洁土田秀一冈本武志堀合慧祥
碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法
提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm<Sup>2</Sup>以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、...
镰田功穗土田秀一星乃纪博德田雄一郎冈本武志
振动发电元件
振动发电元件具备：一对电极，其相互相对地配置，且至少任意一方能移动；以及离子凝胶，其被设为介于一对电极之间，使离子液体凝胶化而形成，电极通过来自外部的振动而在一对电极的间隔变化的方向上移动，由此隔着电极与离子凝胶的界面而...
藤田博之三屋裕幸小野新平
文献传递
碳化硅单晶及其制造方法
在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×10<Sup>15</Sup>cm<Sup>‑3</Sup>以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将S...
徳田雄一郎上东秀幸星乃纪博土田秀一镰田功穗
碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法
一种碳化硅单晶(6)的制造方法包括：向籽晶(5)的表面供应含有碳化硅原料气体的供应气体(3a)并控制环境使得加热容器内的至少一部分为2500℃或更高，由此在籽晶的表面上生长碳化硅单晶。生长碳化硅单晶包括控制以籽晶和碳化硅...
堀合慧祥冈本武志神田贵裕星乃纪博别役洁镰田功穂土田秀一金村高司
碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法
本发明是碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法。提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm<Sup>2</S...
镰田功穗土田秀一星乃纪博德田雄一郎冈本武志
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