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湖南烁科晶磊半导体科技有限公司

作品数：22 被引量：2H指数：1
相关机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 20篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇分子束
  • 11篇分子束外延
  • 7篇束流
  • 6篇坩埚
  • 4篇闸阀
  • 3篇晶圆
  • 3篇快门
  • 3篇磁耦合
  • 2篇预处理
  • 2篇原位
  • 2篇生长面
  • 2篇内源
  • 2篇屏蔽筒
  • 2篇外筒
  • 2篇可靠性
  • 2篇可移动
  • 2篇冷屏
  • 2篇冷却方法
  • 2篇关断
  • 2篇高可靠

机构

  • 22篇湖南烁科晶磊...
  • 9篇中国电子科技...

传媒

  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 2篇2025
  • 7篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 8篇2021
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于MOCVD与MBE晶圆互联的系统及方法
本发明公开一种用于MOCVD与MBE晶圆互联的系统及方法，包括依次对接的MOCVD生长室、MOCVD过渡室、MOCVD传输室、第一腔室、第二腔室、第三腔室、CDC腔室和MBE生长室，相邻腔室间通过隔离阀进行隔离；利用第一...
王炳根魏唯吕文利陈峰武李智刘家强高海明
一种用于超高真空系统的低温旋转样品架
本实用新型公开了一种用于超高真空系统的低温旋转样品架，包括冷却液循环室、轴承、转动部件、驱动机构以及用于固定样品的夹持部件，所述转动部件上设有所述夹持部件，所述驱动机构与所述转动部件相连，所述冷却液循环室与所述转动部件通...
杜鹏龚欣魏唯陈峰武付宏伟肖慧宁澍陈长平
文献传递
一种用于分子束外延设备的挡板装置
本实用新型公开一种用于分子束外延设备的挡板装置，包括：升降驱动件、旋转驱动件、磁耦合组件、主挡板和转轴；转轴的一端与主挡板连接，转轴的另一端分别与升降驱动件和旋转驱动件的输出端连接，以实现转轴带动主挡板进行升降和旋转的二...
黄一轩龚欣吕文利陈峰武李智
一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉
本发明公开了一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉，包括坩埚托架、安装法兰、设于安装法兰上侧的热屏蔽筒、设于安装法兰下侧的闸阀、设于闸阀下侧的外筒、以及用于带动坩埚托架在热屏蔽筒和外筒之间移动的升降驱动机构，所述热屏蔽筒内设...
杜鹏龚欣魏唯陈峰武王慧勇肖慧宁澍陈长平
文献传递
一种真空托盘翻转机械手及其控制方法
本发明公开了一种真空托盘翻转机械手及其控制方法，机械手包括：固定法兰盘、传动装置、驱动装置和托盘爪组件，所述驱动装置与托盘爪组件之间设有传动装置，驱动力装置通过传动装置将动力传递至托盘爪组件，以驱动托盘爪组件进行伸缩、旋...
黄尧吕文利魏唯陈峰武王炳根肖慧李智高海明
一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉
本发明公开了一种坩埚可移动的分子束外延用束源炉，包括坩埚托架、安装法兰、设于安装法兰上侧的热屏蔽筒、设于安装法兰下侧的闸阀、设于闸阀下侧的外筒、以及用于带动坩埚托架在热屏蔽筒和外筒之间移动的升降驱动机构，所述热屏蔽筒内设...
杜鹏龚欣魏唯陈峰武王慧勇肖慧宁澍陈长平
文献传递
基于分子束外延的氧化镓器件结构的制造方法和应用
本发明公开了一种基于分子束外延的氧化镓器件结构的制造方法，包括以下步骤：采用分子束外延、电子束直写、电荷耦合刻蚀、金属磁控溅射及电子束蒸发法制备，先在未掺杂的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上采...
陈丹旻吕文利孙勇陈峰武龚欣龚肖周亮
一种分子束外延源料原位预处理方法
本发明公开了一种分子束外延源料原位预处理方法，包括步骤：S1、坩埚下降至外筒内，关闭闸阀，外筒充气至大气压后卸下外筒，取下坩埚，将源料装入坩埚并盖上坩埚盖，将坩埚放回至坩埚托架上，将外筒重新连接至闸阀，外筒抽气至合适真空...
杜鹏龚欣魏唯陈峰武王慧勇肖慧宁澍陈长平
一种三状态分子束外延用束源炉快门
本发明公开了一种三状态分子束外延用束源炉快门，在具备束流开启与束流关断两种状态的基础上，新增第三种束源炉保护状态，处于束源炉保护状态的快门可以有效阻挡冷屏内壁上吸附的材料碎片掉落入束源炉中，具有可以保护束源炉内源料不受材...
杜鹏龚欣付宏伟魏唯陈峰武王慧勇肖慧宁澍陈长平
一种基于压力闭环控制的汞源炉
本发明公开了一种基于压力闭环控制的汞源炉，包括依次连通的蒸发罐、阀控区和喷射管，所述喷射管安装于真空腔室内部，所述蒸发罐和所述阀控区位于所述真空腔室外部，所述阀控区包括节流部件，阀控区通过控制所述节流部件上游的汞蒸气压力...
龚欣杜鹏吕文利陈峰武刘家强龚肖
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