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山东浪潮华光光电子股份有限公司

作品数：574 被引量：10H指数：2
相关机构：山东大学中国科学院广东省科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 553篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 2篇会议论文
  • 2篇标准

领域

  • 113篇电子电信
  • 24篇自动化与计算...
  • 8篇金属学及工艺
  • 6篇文化科学
  • 5篇化学工程
  • 5篇电气工程
  • 4篇理学
  • 2篇经济管理
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 105篇芯片
  • 104篇发光
  • 101篇LED芯片
  • 86篇二极管
  • 75篇发光二极管
  • 74篇衬底
  • 70篇电极
  • 67篇外延片
  • 61篇光效
  • 58篇激光
  • 57篇晶片
  • 54篇光效率
  • 53篇电流扩展
  • 52篇出光
  • 49篇多量子阱
  • 46篇GAAS
  • 44篇管芯
  • 40篇蓝宝
  • 40篇蓝宝石
  • 36篇金属

机构

  • 571篇山东浪潮华光...
  • 11篇山东大学
  • 4篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 2篇苏州大学
  • 2篇苏州科技大学
  • 2篇国家纳米科学...
  • 2篇东莞市中镓半...
  • 2篇苏州纳维科技...
  • 2篇广东省科学院...
  • 2篇江苏第三代半...
  • 1篇中山大学

作者

  • 6篇徐现刚
  • 4篇胡小波
  • 3篇徐明升
  • 2篇曾雄辉
  • 2篇夏伟
  • 2篇张恒
  • 2篇王建峰
  • 1篇王钢
  • 1篇于国建
  • 1篇冀子武
  • 1篇左致远

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 2篇信息技术与信...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇聊城大学学报...
  • 1篇中文科技期刊...
  • 1篇2015年全...

年份

  • 3篇2025
  • 38篇2024
  • 49篇2023
  • 47篇2022
  • 42篇2021
  • 60篇2020
  • 54篇2019
  • 62篇2018
  • 37篇2017
  • 69篇2016
  • 71篇2015
  • 20篇2014
  • 17篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 574 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种LED芯片或衬底表面粗化用掩膜液及其制备方法与应用
本发明涉及一种LED芯片或衬底表面粗化用掩膜液及其制备方法与应用。该掩膜液是在正性光刻胶中加入磁性金属微球颗粒，磁性金属微球颗粒与正性光刻胶的体积比为1∶10～20；所述磁性金属微球颗粒成分为铁或铁的合金。本发明的掩膜液...
申加兵夏伟李懿洲任忠祥
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荧光法测定半导体禁带宽度被引量：1
2022年
光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数.本文以3个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象,深入探讨了荧光法测定某个目标温度下InGaN阱层的光学带隙所需要满足的测试条件.由于InGaN阱层是一种多元合金且受到来自GaN垒层的应力作用,所以该阱层中不仅存在着杂质/缺陷相关的非辐射中心,也存在着组分起伏诱发的局域势起伏以及极化场诱发的量子限制斯塔克效应.因此,为了获得目标温度下InGaN阱层的较为精确的光学带隙,提出了荧光测量至少应满足的测试条件,即必须消除该目标温度下非辐射中心、局域中心以及量子限制斯塔克效应对辐射过程的影响.
时凯居李睿李长富王成新徐现刚冀子武
关键词：光学带隙荧光局域效应
一种GaN厚膜的生长方法
本发明涉及一种GaN厚膜的生长方法，属于光电子功率器件技术领域，本发明在蓝宝石基板上生长GaN籽晶，再在GaN籽晶上刻蚀形成阵列式图案的GaN独立模块，通过调整刻蚀进入蓝宝石的深度和宽度控制GaN厚膜的应力，再用有机化学...
张义王成新徐勤武王建立李毓锋
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共聚碳纳米点杂化材料及其光转换白光LED研究
采用一步原位预功能化方法制备可聚合的纳米材料——硅烷功能化碳纳米点(碳点),可以与几乎所有溶剂和有机硅烷混溶,并可通过简单的加热、自聚合或者与有机硅烷共聚制备一系列高光学性能的碳点任意掺杂的干凝胶玻璃体系(包括玻璃、块体...
谢政尹正茂吴拥中郝霄鹏刘春艳杜青青徐现刚
关键词：杂化材料
文献传递
一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法
本发明涉及一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法，包括如下步骤：(1)晶片准备；(2)晶片放置：将GaAs基LED晶片的第二反射镜层朝上平放在耐高温袋中，然后在GaAs基LED晶片第二反射镜层的边缘放置...
徐晓强程昌辉王梦雪闫宝华王成新
一种无荧光粉的高效白光LED外延结构及其生长方法
一种无荧光粉的高效白光LED外延结构及其生长方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、N-GaN层、紫外光波长的发光多量子阱层、P-GaN层、黄带和蓝带发光激发层以及电极接触层；其生长方法是利用MOCVD工艺直接外...
张恒曲爽王成新徐现刚
利用ITO区域性方阻变化改善电流扩展的发光二极管及制作方法
本发明涉及利用ITO区域性方阻变化改善电流扩展的发光二极管及制作方法。该发光二极管的结构包括生长在衬底上的外延片，位于外延片之上的ITO薄膜，金属电极和钝化层；ITO薄膜上有方阻高低不同的三个ITO区域，高方阻ITO区域...
王德晓刘存志夏伟王成新任忠祥
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一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法
本发明涉及一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备领域，其外延片由下至上依次包括衬底、键合层、P‑GaP光窗口层、P‑AlInP波导层、MQW发光层、N‑AlInP波导层、N‑AlGaInP...
谭立龙吴向龙彭璐闫宝华
一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法
一种以氧化锌为电流扩展层的发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：本发明中的工艺方法，包括以下步骤：(1)蒸镀ZnO透明导电膜，并对ZnO作高温退火处理；(2)ZnO图形制作出台面结构；(3)P‑GaN台面制作；(4)I...
林伟吴向龙徐晓强闫宝华
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一种简便的LED晶片低温去蜡清洗工艺
本发明涉及一种简便的LED晶片低温去蜡清洗工艺，包括：将装有待清洗晶片的花篮置于加热的去蜡溶液中超声清洗，花篮在去蜡溶液中上下振动为15‑35次/分钟，然后室温丙酮清洗，再进行室温乙醇或异丙醇清洗，热氮烘干即可。本发明方...
胡夕伦闫宝华刘琦徐现刚肖成峰
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