您的位置： 专家智库 > >

湘能华磊光电股份有限公司

作品数：982 被引量：35H指数：3
相关机构：湖南大学更多>>
发文基金：湖南省科技计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 943篇专利
  • 25篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 191篇电子电信
  • 51篇自动化与计算...
  • 18篇文化科学
  • 12篇金属学及工艺
  • 12篇电气工程
  • 11篇经济管理
  • 7篇交通运输工程
  • 6篇机械工程
  • 4篇轻工技术与工...
  • 4篇医药卫生
  • 3篇化学工程
  • 3篇建筑科学
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学

主题

  • 306篇发光
  • 206篇掺杂
  • 174篇光效
  • 169篇多量子阱
  • 163篇LED芯片
  • 151篇外延片
  • 148篇阻挡层
  • 144篇电子阻挡层
  • 141篇光效率
  • 137篇晶格
  • 133篇LED
  • 123篇发光层
  • 123篇发光效率
  • 109篇蓝宝
  • 107篇蓝宝石
  • 103篇超晶格
  • 100篇缓冲层
  • 94篇非掺杂
  • 90篇衬底
  • 85篇空穴

机构

  • 972篇湘能华磊光电...
  • 1篇湖南大学

作者

  • 1篇曾梦麟

传媒

  • 8篇科技与企业
  • 3篇科技与创新
  • 2篇材料导报
  • 2篇科技创新导报
  • 1篇中国市场
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国设备工程
  • 1篇中国科技产业
  • 1篇照明工程学报
  • 1篇中国经贸
  • 1篇材料导报（纳...
  • 1篇中国新技术新...
  • 1篇山东工业技术
  • 1篇决策论坛——...

年份

  • 25篇2024
  • 66篇2023
  • 76篇2022
  • 64篇2021
  • 80篇2020
  • 97篇2019
  • 104篇2018
  • 129篇2017
  • 107篇2016
  • 95篇2015
  • 59篇2014
  • 36篇2013
  • 20篇2012
  • 14篇2011
共 982 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种LED芯片石英提篮治具
本实用新型涉及LED芯片治具技术领域，具体为一种LED芯片石英提篮治具，包括，底座，所述底座顶部的后端固定有支架，所述支架底部设置有石英检测板，且石英检测板的底部设置有芯片板，所述芯片板的底部设置有提篮具，且提篮具插设在...
张力
提高LED亮度的芯片制作方法
本申请公开了提高LED亮度的芯片制作方法，包括步骤：清洗外延片；刻蚀第一外延片；设置第一P电极和第一N电极；在第一P电极和第一N电极上方蒸镀Al单质薄膜层；Al单质薄膜层发生球聚反应，生成氧化铝膜层；在所述氧化铝膜层上制...
徐平
文献传递
发光二极管外延片及其制作方法
本申请公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，其特征在于，包括：低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；掺杂Si的N型GaN层，位于所述不掺杂GaN层之上；有源层，位于所述掺杂Si的N型GaN层之...
谢鹏杰
一种控制器
本实用新型提供了一种控制器，包括：控制器主体、太阳能板充电端、路灯头输出端；所述太阳能板充电端、路灯头输出端镶嵌安装在控制器主体的左端，且电池充放电端子接口镶嵌安装在控制器主体的右端；所述指示灯镶嵌安装在控制器主体的顶端...
谭凤林
文献传递
一种发光二极管芯片及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，提供一种发光二极管芯片及其制备方法，本发明的发光二极管芯片包括氮化镓外延片；氮化镓外延片从下往上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、UGaN层、N型掺杂的NGaN层、发光层、P型掺杂的PGaN层及欧姆接...
周佐华季辉张俊峰周智斌黄仁义
一种LED外延生长方法
本申请公开了LED芯片外延生长方法，LED芯片包括：自下而上顺序设置的衬底、低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层、浅量子阱层、有源层MQW、AlGaN/GaN超晶格、低温P型Ga...
周少将徐迪卢国军刘为刚
一种III族半导体发光器件的制作方法
本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括：衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构；沉积电流阻挡层在p型氮化物半导体层上，利用黄光蚀刻制程定义所述电流阻挡层图...
许顺成
透明电极发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种透明电极发光二极管及其制备方法，透明电极发光二极管包括氮化镓外延片，氮化镓外延片中，在P型氮化镓层上覆盖有透明导电膜层，透明导电膜层为钛/氧化锌或氧化钛/氧化锌复合透明导电膜；钛/氧化锌复合透明导电膜，包...
谈健徐亚兵岑龙斌
一种LED晶粒的光电性能检测方法
本发明提供一种LED晶粒的光电性能检测方法，包括如下步骤：1)用统一的标准片对所有机台进行校正，并指定其中至少一台为标准机且设定扩张比参数，余下不设定扩张比参数的为工作机；2)在非扩张状态下，将切割成晶粒的晶圆放置在工作...
郭祖福官婷
一种RGB LED集成显示阵列的制备方法
本申请公开了一种RGB LED集成显示阵列的制备方法，包括：在衬底上刻蚀出光刻时对版的光刻标记点；依次生长GaN或AlN成核层、非故意掺杂GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；在光刻版中标定区域中分别生长RGB三基色发光波...
苗振林
文献传递
全选 清除 导出
共98页<12345678910>
聚类工具0