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常州英诺能源技术有限公司

作品数:9 被引量:5H指数:1
相关机构:华北电力大学浙江大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 5篇多晶硅薄膜
  • 5篇硅薄膜
  • 4篇气相沉积
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 2篇电池
  • 2篇异质结
  • 2篇太阳电池
  • 2篇耐温
  • 2篇进气
  • 2篇加热炉
  • 2篇厚膜
  • 2篇反应器
  • 2篇衬底
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇性质分析

机构

  • 9篇常州英诺能源...
  • 4篇华北电力大学
  • 2篇浙江大学

作者

  • 4篇陈诺夫
  • 4篇白一鸣
  • 3篇杨博
  • 2篇辛雅焜
  • 2篇吴强
  • 2篇黄添懋
  • 2篇何海洋
  • 2篇孔凡迪
  • 1篇李宁
  • 1篇施辉伟
  • 1篇贺凯

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇可持续能源

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2009
  • 2篇2008
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
多晶硅厚膜太阳电池最佳厚度理论设计被引量:1
2015年
晶体硅太阳电池是生产工艺最成熟、性能最稳定、应用最广泛的光电转换器件。目前晶体硅太阳电池的厚度一般为200μm左右,这一厚度对于光电转换效率不是最佳值。本文分别从少子扩散和入射光吸收两方面对晶体硅太阳电池厚度进行了理论分析,获得晶体硅太阳电池的最佳厚度为49 μm。今后,晶体硅太阳电池的发展趋势必然是厚度为49 μm的晶体硅厚膜结构。
贺凯陈诺夫孔凡迪白一鸣牟潇野杨博陶泉丽何海洋陈心一陈吉堃
关键词:太阳电池厚度
双温场化学气相沉积装置
本实用新型涉及到薄膜材料制备技术领域,尤其是一种化学气相沉积装置。提供了一种双温场化学气相沉积装置,反应器是由进气机构、反应加热炉、基体加热炉和基体储存箱共同构成密闭空间,进气机构安装在反应加热炉的外壳上,在反应加热炉的...
陈诺夫尹志岗陈晨龙阮绍林阮正亚韩正国
文献传递
双温场化学气相沉积装置
本发明涉及到薄膜材料制备技术领域,尤其是一种化学气相沉积装置。提供了一种双温场化学气相沉积装置,反应器是由进气机构、反应加热炉、基体加热炉和基体储存箱共同构成密闭空间,进气机构安装在反应加热炉的外壳上,在反应加热炉的外壁...
陈诺夫尹志岗陈晨龙阮绍林阮正亚韩正国
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太阳能多晶硅片的制备方法
本发明涉及多晶硅片制备技术领域,尤其是一种太阳能多晶硅片的制备方法,解决传统方法的能耗高、利用率低和制成品价格高的缺点,工艺过程为:一)将柔性衬底清洗处理后装入化学气相沉积反应炉;二)将化学气相沉积反应炉内抽真空,真空抽...
陈诺夫尹志岗陈晨龙阮绍林阮正亚韩正国
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铝诱导多晶硅薄膜籽晶层的电学性质被引量:1
2014年
利用磁控溅射系统在玻璃衬底上制备出具有玻璃∕铝∕非晶硅的多层膜结构样品,然后在管式退火炉中以一定的温度退火,使非晶硅晶化形成多晶硅薄膜籽晶层。扫描电子显微镜(SEM)及光学显微镜测试表明,铝诱导结晶后样品中的铝层已被完全置换为连续并且厚度均匀的多晶硅层,多晶硅晶粒的平均尺寸为23μm。喇曼光谱测试和X射线衍射(XRD)分析表明,多晶硅薄膜籽晶层具有良好的结晶质量,并且具有高度的(111)择优取向。霍尔测试结果表明,铝诱导多晶硅薄膜籽晶层属于高浓度p型掺杂,掺杂浓度达到了1018/cm3。分析认为铝在非晶硅晶化过程中不仅扮演了诱导金属的角色,还起到了掺杂的作用。
吴强陈诺夫辛雅焜黄添懋陈吉堃牟潇野杨博白一鸣
关键词:多晶硅薄膜掺杂
柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法
本发明公开了一种柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法。该方法以柔性石墨纸作为衬底,首先在石墨纸衬底上利用磁控溅射技术沉积硅薄膜;其次对硅薄膜进行热退火,制备出具有一定择优取向及结晶化程度好的柔性多晶硅薄膜籽晶层,以...
阮绍林阮正亚陈诺夫辛雅焜吴强沈潮华
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石墨衬底上具有(220)/(400)择优取向多晶硅薄膜的制备及性质(英文)被引量:3
2015年
在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜。首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层,以及先制备Zn O过渡层,再在Zn O过渡层上制备非晶硅薄膜层;然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化,使其形成多晶硅薄膜籽晶层。XRD测试表明,未引入Zn O过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(220)择优取向,而引入Zn O过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(400)择优取向;最后在多晶硅籽晶层上通过对流辅助化学气相沉积(Co CVD)制备多晶硅薄膜。根据SEM、XRD、拉曼测试表明,多晶硅薄膜的性质延续了多晶硅籽晶层的性质,未引入Zn O过渡层的样品,具有高度(220)择优取向。引入Zn O过渡层后的样品,具有高度(400)择优取向,(400)择优取向的转变有利于后续多晶硅薄膜太阳电池的制作。同时对Si(220)和Si(400)择优取向的形成原因做了初步分析。
辛雅焜陈诺夫吴强白一鸣陈吉堃何海洋李宁黄添懋施辉伟
关键词:多晶硅薄膜氧化锌
一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法
本发明公开了一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法,首先选取Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷板作为衬底,经过热压工艺压制石墨薄膜,再以其为基板,采用磁控溅射法沉积多晶硅薄膜籽晶层,然后采用化学气相...
陈诺夫杨博牟潇野阮绍林阮正亚
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石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析
2016年
以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本。
杨博陈诺夫孔凡迪牟潇野陶泉丽白一鸣陈吉堃
关键词:石墨退火
共1页<1>
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