国泰半导体材料有限公司
- 作品数：39 被引量：6H指数：1
- 相关机构：北京有色金属研究总院有研新材料股份有限公司中国环境科学研究院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：环境科学与工程理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种用于拉制区熔硅单晶时调节单晶热场的反射器
- 本实用新型涉及一种用于拉制区熔硅单晶时调节单晶热场的反射器，它包括：反射器筒体，该筒体包括：外筒体I(14)及内筒体II(10)，内筒体II(10)位于反射器筒体的上方，内筒体上顶部周边设有连接件与固定支架(11)固定，...
- 闫志瑞陈海滨梁书正梁开金黄龙辉付斌刘志伟李明飞
- 文献传递
- 用于生长掺杂直拉晶体的掺杂装置
- 本实用新型公开一种用于生长掺杂直拉晶体的掺杂装置，该掺杂装置由掺杂单元组合而成。该掺杂装置与单晶炉的提拉轴连接，但掺杂单元的轴线不与石英坩埚的轴线和/或单晶炉的提拉轴重合，该掺杂单元相对于石英坩埚的轴线处于偏心状态。本实...
- 方峰高朝阳邓德辉郑沉王学峰
- 文献传递
- 我国半导体工业的产品代谢研究被引量：5
- 2006年
- 利用产品代谢分析方法首次对我国半导体工业的整体硅元素和能源利用率进行了定量研究.根据我国半导体工业的产品代谢模型计算得出2002年我国半导体工业的硅元素利用率为2.6%,每生产1 kg硅总能耗为5 704 kW.h,而1998年全球半导体工业硅元素平均利用率为9.6%,生产1kg硅总能耗为2 130 kW.h.进一步在产品链和关键环节分析基础上,确定了我国在硅元素利用率和能源利用率上与世界平均水平差距最大的环节.通过成因分析,提出了改善措施和途径.
- 段宁谢海燕秦福
- 关键词：半导体硅能源效率
- 一种用于直拉单晶炉热场的加热器
- 本实用新型公开了一种用于直拉单晶炉热场的加热器，该加热器为螺旋管状结构的环形加热器。该加热器上设有三个连接柱，其中两个连接柱位于该加热器沿轴线方向的一端，第三个连接柱位于该加热器沿轴线方向的另一端。所述加热器的相邻两匝螺...
- 方峰邓德辉王学锋高朝阳郑沉
- 文献传递
- 一种改进的生长掺杂硅单晶体的方法及其装置
- 一种改进的生长掺杂硅晶体的方法及其装置，所述的方法是：将多晶硅装入石英坩埚容器内加热熔化；在籽晶浸入熔体前和/或在以下引晶、放肩、转肩、等径初期晶体生长工序的至少一个工序中，将低熔点、易升华的掺杂剂从位于提拉室以外、设在...
- 方峰郑沉李铁柱安国祥周旗钢
- 文献传递
- 半导体生产中掺杂剂的称量系统
- 一种半导体生产中掺杂剂的称量系统，它包括：多台电子秤，计算机，打印机，所述的电子秤与计算机之间接串口扩张卡，卡的一端为接口，该接口接电子秤数据传输线，另一端为输出端，该输出端接电脑主机，电子秤与电脑的数据传输采用标准的T...
- 方峰高恺邓德辉郑沉张楠
- 文献传递
- 一种用于区熔气相掺杂的高频加热线圈
- 一种用于区熔气相掺杂的高频加热线圈，它包括：由线圈主体和线圈附属导气管组成。线圈主体可为普通的平板线圈，线圈附属结构是一定数目的铜金属导气管。平板线圈中埋放的铜导气管一端开口于线圈外边缘处，一端开在线圈刃口处。此加热线圈...
- 韩海建梁书正陈海滨闫志瑞方峰肖清华沈晓东
- 文献传递
- 一种区熔炉单晶夹持系统
- 一种区熔炉单晶夹持系统，它包括：夹持套筒A，内轴套筒，所述的内轴套筒中心处设内轴轴头，内轴轴头与用于拉伸单晶的籽晶夹头连接，所述的夹持套筒A为锥形，锥顶为敞口，敞口的中心供单晶通过，所述单晶的细颈一端与籽晶连接，位于锥尖...
- 付斌闫志瑞方峰王学锋陈海滨
- 文献传递
- 区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算被引量：1
- 2013年
- 气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法。本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式。通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20%降低到10%,从而降低生产成本。
- 曲翔陈海滨方锋汪丽都周旗钢闫志瑞
- 关键词：区熔硅单晶电阻率
- 一种改进的中子掺杂晶体热处理工艺方法
- 一种中子掺杂晶体热处理工艺方法，它包括下述步骤：1)中子掺杂后的晶体的清洗，清洗包括：纯水清洗和与混酸的化学反应以及之后的清洗；混酸中硝酸与氢氟酸的体积比范围为8∶1到3∶1；2)在热处理前，在样片的两端放置隔离物，随后...
- 王小红高源徐学红
