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北京世港晟华科技有限公司

作品数：9 被引量：2H指数：1
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合作机构

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 5篇半导体
  • 3篇接触孔
  • 3篇功率半导体
  • 2篇导通
  • 2篇导通压降
  • 2篇电势
  • 2篇电阻
  • 2篇镇流电阻
  • 2篇软恢复
  • 2篇闩锁
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇半导体器件
  • 2篇IGBT器件
  • 1篇单管
  • 1篇导电类型
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷补偿
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅

机构

  • 7篇北京世港晟华...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2018
  • 1篇2014
共 9 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
超结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明提供了超结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括重掺杂衬底、外延层、深结、沟道区、栅氧区、栅极多晶硅、源极多晶硅、有源区、绝缘层、源极及漏极，其中，该栅极多晶硅覆设于所述栅氧区的边缘区域；该源极多晶...
许海东
文献传递
一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法
一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法，沿着终端区域(101)、过渡区域(102)和原胞区域(103)的纵向剖面，从下到上依次为：P+集电极层(204)、N+场截至层(203)、N漂移层(202)和表面PN+交替层...
许海东
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一种功率单管集成封装模块
一种功率单管集成封装模块，包括两个功率单管。其中A功率单管（2）、B功率单管（4）的栅极管脚与发射极管脚均截短，整形成“Z”形。两个功率单管的集电极管脚沿管壳截断。两个功率单管的散热基板均匀涂覆焊锡膏后固定在DBC基板（...
许海东
一种具有抗闩锁能力的IGBT器件
本发明为一种具有抗闩锁能力的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出通过使用分段式的N型源区和分段式的源区接触孔区，并通过调节N型源区和源区接触孔的重合区域大小来控制引入的镇流电阻大小，从而控制导通时的N型源...
许海东
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软恢复功率半导体二极管
本实用新型提供了一种软恢复功率半导体二极管，该二极管包括：有源区和终端区；所述有源区包括：第一半导体层、第二半导体层、第一半导体区、第一电极。其中，第一半导体层，具有第一导电类型，且形成于漂移层的第一区；第二半导体层，具...
许海东
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软恢复功率半导体二极管及其制备方法
本发明提供了一种软恢复功率半导体二极管及其制备方法，该二极管包括：有源区和终端区；所述有源区包括：第一半导体层、第二半导体层、第一半导体区、第一电极。其中，第一半导体层，具有第一导电类型，且形成于漂移层的第一区；第二半导...
许海东
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一种具有抗闩锁能力的IGBT器件
本实用新型为一种具有抗闩锁能力的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本实用新型提出通过使用分段式的N型源区和分段式的源区接触孔区，并通过调节N型源区和源区接触孔的重合区域大小来控制引入的镇流电阻大小，从而控制导通时...
许海东
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