湖南大学物理与微电子科学学院基础物理系
- 作品数：78 被引量：182H指数：7
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- 稀土族Pm和Tm基上二元合金固溶度的椭圆区分法预测被引量：2
- 1994年
- 利用张邦维等提出的键参数函数y=(z/r_k)·[x_p-1/3(z/r?+2)]·x_p和尺寸因素x=R方法对稀土族Pm、Tm两元素基上的室温下固溶度做椭圆(x-m)~2/c^2+(y-n)~2/d^2=1预测,从该方法对23个过渡族基、18个简单元素基、13个稀土族元系基和3个锕系元素基上的二元合金固溶度的研究结果和已有的数据及与Villars的预测结果比较来看,本文的预测结果是可靠的。
- 廖树帜张邦维欧阳义芳
- 关键词：固溶度二元合金稀土金属合金
- 对循环效率的一个注记被引量：7
- 1997年
- 一个系统并不总是在膨胀时吸热，在压缩时放热，因此循环效率公式η＝１－Ｑ２／Ｑ１中的Ｑ１和Ｑ２不能分别理解为是膨胀和压缩过程中的吸热和放热．
- 沈抗存王鑫
- 关键词：热力学循环
- InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究被引量：1
- 2011年
- 用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED)。场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖面结构。室温下阴极射线荧光谱(CL)的测试发现了位于461 nm处的强发光峰,其峰位与多量子阱薄膜相比发生了明显的蓝移。I-V测量表明,多量子阱纳米线LED具有典型的p-n结伏安特性,在20 mA注入电流下,开启电压为4.28 V,且与多量子阱LED的绿色发光相比,其电致发光偏紫色。
- 曹瑞华殷垚陈鹏万青濮林施毅郑有炓
- 关键词：发光二极管
- 有关涨落的一个问题
- 1993年
- 沈抗存
- 关键词：涨落
- 铪同位素能谱的研究被引量：2
- 1997年
- 有高阶修正项的1/N 展开技术和自洽 Q 框架方法的 sdIBM1的能谱理论,曾应用于研究重核的核谱,得到满意的结果.本文把它应用于研究中等质量核铪的5个同位素^(172,174,176,178,180)Hf的能谱.同样能以少量可调参数满意地拟合大量实验数据,表明这一理论对中等质量核也是成功的.
- 张庆营
- 关键词：铪同位素能谱
- Auger电子谱和离子散射谱分析非晶态和晶态CuTi合金系的表面成分
- 1992年
- 本文用Auger电子能谱(AES)和低能离子散射谱(ISS)第一次研究了非晶态CuTi合金系以及合全试样经加热而部分晶化后的表面成分,发现:铜是表面择优濺射元素,而钛是表面聚集元素。设想在该合金系中元素的濺射率比纯元素时的大大改变了,就可以解释这些实验结果。本文还发现:在合金状态由非晶转变为晶态后,表面成分变化不大。对其可能的原因进行了讨论。
- 张邦维G.N.VanWykE.Taglauer
- 关键词：铜钛合金AESISS
- 传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配被引量：1
- 2001年
- 等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1
- 颜一凡
- 关键词：氢化非晶硅
- 熔丝型双极2kPROM的研制
- 1990年
- 本文报道了将NiCr熔丝工艺与标准STTL工艺结合,成功地研制出熔丝型双极大规模2kPROM集成电路LT3471.
- 周志仁邹务金沈文正
- 关键词：PROM
- 炭黑填充硅橡胶导电机制的研究被引量：21
- 1995年
- 研究了炭黑填充液体硅橡胶电阻率随炭黑含量、拉力、温度的变化特性。发现受载时其阻值的弛豫过程可用指数型弛豫方程描述。根据隧道导电理论推算了其电阻随拉力的变化关系，可近似用二次多项式表示，将实验结果按此式拟合，符合得很好，根据拟合参数可估算其弹性模量和导电粒子平均间隙的典型值。
- 胡望宇王玲玲吴力军王理刘让苏
- 关键词：炭黑导电橡胶导电机制硅橡胶
- 合成方法对超纯纳米Al_2O_3粉末的影响研究被引量：4
- 1998年
- 利用共沉淀法和纯铝水解法对比研究了纳米超纯Al2O3粉末的形成、结构、形貌和各种因素对粒度的影响，得到了平均粒度小于5纳米的超纯纳米Al2O3粉末．
- 廖树帜张邦维徐仲榆欧阳义芳舒小林王玲玲
- 关键词：纳米粉末陶瓷粉末
