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中国电子科技集团公司第五十五研究所

作品数：2,707 被引量：1,363H指数：14
相关作者：陈堂胜朱健孔月婵李拂晓李忠辉更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所南京航空航天大学东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,678篇专利
  • 643篇期刊文章
  • 153篇会议论文
  • 114篇标准
  • 66篇科技成果

领域

  • 885篇电子电信
  • 126篇自动化与计算...
  • 76篇化学工程
  • 67篇金属学及工艺
  • 60篇经济管理
  • 45篇环境科学与工...
  • 45篇一般工业技术
  • 35篇理学
  • 32篇文化科学
  • 29篇电气工程
  • 27篇机械工程
  • 9篇动力工程及工...
  • 8篇交通运输工程
  • 7篇航空宇航科学...
  • 6篇建筑科学
  • 6篇医药卫生
  • 4篇轻工技术与工...
  • 3篇社会学
  • 3篇政治法律
  • 2篇军事

主题

  • 217篇电路
  • 172篇封装
  • 163篇晶体管
  • 152篇芯片
  • 118篇碳化硅
  • 115篇刻蚀
  • 112篇半导体
  • 103篇金属
  • 98篇二极管
  • 95篇陶瓷
  • 94篇衬底
  • 87篇氮化
  • 86篇氮化镓
  • 85篇信号
  • 81篇液晶
  • 80篇键合
  • 78篇势垒
  • 78篇波导
  • 71篇电极
  • 69篇迁移率

机构

  • 2,654篇中国电子科技...
  • 49篇中国电子科技...
  • 26篇南京航空航天...
  • 22篇东南大学
  • 22篇中国电子科技...
  • 21篇中国电子科技...
  • 20篇中国电子科技...
  • 11篇中国电子技术...
  • 11篇南京国博电子...
  • 10篇电子科技大学
  • 8篇中国人民解放...
  • 7篇扬州国扬电子...
  • 6篇浙江大学
  • 6篇中国电子科技...
  • 5篇南京理工大学
  • 5篇中国电子科技...
  • 5篇中国船舶重工...
  • 5篇中国人民解放...
  • 4篇南京大学
  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 172篇陈堂胜
  • 135篇李忠辉
  • 128篇孔月婵
  • 112篇朱健
  • 105篇柏松
  • 100篇樊卫华
  • 75篇洪乙又
  • 74篇周建军
  • 74篇程凯
  • 70篇李赟
  • 64篇吴金华
  • 62篇陈建军
  • 61篇曹允
  • 60篇王绪丰
  • 59篇郁元卫
  • 53篇庞学满
  • 53篇吴立枢
  • 52篇孔岑
  • 50篇李忠良
  • 47篇赵志飞

传媒

  • 173篇光电子技术
  • 51篇电子与封装
  • 21篇电子工业专用...
  • 13篇电子工艺技术
  • 13篇电镀与涂饰
  • 11篇电子产品可靠...
  • 10篇山东工业技术
  • 8篇半导体技术
  • 8篇固体电子学研...
  • 8篇微波学报
  • 8篇真空电子技术
  • 6篇真空与低温
  • 6篇2009年中...
  • 6篇第六届表面工...
  • 5篇模具工业
  • 5篇电子机械工程
  • 5篇通信与广播电...
  • 5篇现代信息科技
  • 5篇2012中国...
  • 5篇2014中国...

年份

  • 113篇2024
  • 175篇2023
  • 262篇2022
  • 220篇2021
  • 176篇2020
  • 150篇2019
  • 228篇2018
  • 177篇2017
  • 148篇2016
  • 119篇2015
  • 152篇2014
  • 87篇2013
  • 85篇2012
  • 70篇2011
  • 62篇2010
  • 58篇2009
  • 59篇2008
  • 53篇2007
  • 31篇2006
  • 38篇2005
共 2,707 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构
本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次...
高汉超尹志军程伟李忠辉朱志明
一种基于FPGA的高分辨率TCON设计
2019年
针对定制液晶面板,设计了一款专用TCON时序控制电路板。基于FPGA平台实现双路LVDS视频输入,14路mini-LVDS视频输出,外加多组显示控制时序转换等功能。经实物测试和高低温试验验证,在-55℃至75℃温度范围内工作稳定,性能优异。
刘凯丽张伟张伟窦亮
关键词：现场可编程门阵列数据转换时序控制
半导体分立器件结构相似性应用指南
本指南为GJB 33A-1997《半导体分立器件总规范》中结构相似性的应用提供指导。 本指南适用于结构相似的军用半导体分立器件的鉴定(含鉴定扩展)和质量-致性检验。
关键词：半导体分立器件
文献传递
一种抗膜皱与耐磨损的大长宽比光学膜组
本发明公开了一种抗膜皱与耐磨损的大长宽比光学膜组，包括下光学基板、光学膜片、上光学基板、限位材料、缓冲材料和UV胶；其中光学膜片设置在下光学基板、上光学基板之间；光学膜片的底部设置限位材料，其顶部和左右两侧分别设置缓冲材...
邹一杰符昭邦刘嘉琪陈云昌朱森林陈传荣郑国兵
一种三维高密度集成大功率微波组件
本发明公开了一种三维高密度集成大功率微波组件，包括陶瓷管壳、大功率功放载片、异形金属散热平台、中层陶瓷基板、微波芯片、上层陶瓷基板、电源芯片、无源器件、金属帽；底层陶瓷管壳、中层陶瓷基板和上层陶瓷基板通过BGA焊球实现垂...
姜浩张端伟方健赵俊顶陈晓青
一种面通孔结构的陶瓷封装高速外壳
本发明涉及一种面通孔结构的陶瓷封装高速外壳，属于电子元器件的封装外壳技术领域。通过激光开腔、挂孔等技术实现内腔中平行相对的一对金属面，称为面通孔。在高速差分信号的垂直传输中采用了全新的面通孔结构取代传统的过孔传输方式。在...
颜汇锃梁秋实施梦侨胡锦涛杨斌徐达陈涛
一种出光角度可控的Micro-LED显示器件结构
一种出光角度可控的Micro‑LED显示器件结构，它包括像素结构，其特征是所述的像素结构包括LED垂直芯片阵列和LED倒装芯片阵列，单颗LED像素的尺寸为30μm~50μm，通过LED芯片阵列上的组合反射镜设计以及器件封...
王璐陈建军杨洪宝李晓剑郑国兵王进樊卫华
一种内匹配功率管
本发明公开了一种内匹配功率管，包括输入匹配电路、管芯和输出匹配电路，所述输入匹配电路为集成在GaAs基片上的单片集成电路，所述输出匹配电路为制作在陶瓷基片上的内匹配电路。本发明结合了单片集成电路和内匹配电路的优点，制作的...
钟世昌李宇超景少红谢凌霄黄丹
文献传递
一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法
本发明公开了一种真空空洞栅结构赝配高电子迁移率晶体管制作方法。该方法在半导体表面生长叠层栅介质，并以光刻胶为掩膜，利用干法（或者湿法）刻蚀对于不同栅介质刻蚀（或者腐蚀）速率的差异，通过刻蚀（或者腐蚀）在栅脚两侧形成形状规...
马飞章军云高建峰
文献传递
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