您的位置： 专家智库 > >

上海朕芯微电子科技有限公司

作品数：66 被引量：0H指数：0
相关机构：电子科技大学四川蓝彩电子科技有限公司四川遂宁市利普芯微电子有限公司更多>>
相关领域：电子电信艺术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 66篇中文专利

领域

  • 20篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇艺术

主题

  • 28篇晶圆
  • 16篇封装
  • 12篇减薄
  • 11篇划片
  • 10篇电路
  • 10篇功率器件
  • 9篇管芯
  • 8篇导通
  • 8篇导通电阻
  • 8篇电阻
  • 8篇外延层
  • 8篇金属化
  • 8篇封装结构
  • 7篇氧化层
  • 7篇集成电路
  • 7篇MOSFET
  • 6篇接触孔
  • 6篇功率MOSF...
  • 6篇封层
  • 6篇背面金属化

机构

  • 66篇上海朕芯微电...
  • 13篇电子科技大学
  • 13篇四川蓝彩电子...
  • 7篇四川芯合利诚...
  • 7篇四川遂宁市利...
  • 6篇四川绿然电子...
  • 4篇重庆中科渝芯...
  • 4篇四川晶辉半导...
  • 3篇广安职业技术...
  • 3篇四川矽芯微科...
  • 3篇四川上特科技...
  • 3篇气派科技股份...
  • 2篇广东气派科技...
  • 1篇成都智芯微科...
  • 1篇广东成利泰科...

作者

  • 5篇赵建明
  • 2篇廖智
  • 1篇黄磊
  • 1篇曾德贵

年份

  • 3篇2025
  • 5篇2024
  • 1篇2023
  • 11篇2022
  • 8篇2021
  • 9篇2020
  • 15篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
共 66 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种功率器件的封装方法
本发明公开的一种功率器件的封装方法，其是先封装，然后再减薄背面金属化，完全可以避免薄片的加工；安全且不易碎片，因此器件的芯片厚度可以做的很薄。另外采用本发明的功率器件的封装方法封装的功率器件其金属框架和打线或夹片均露出封...
黄平鲍利华张迪雄
文献传递
晶圆背面对位标记及其制作方法
本公开实施例提供一种晶圆背面对位标记及其制作方法、晶圆背面切割方法、晶圆背面光刻方法、及半导体器件的制备方法，该制作方法包括：提供正面布设有管芯和划片道的晶圆；在晶圆正面的边缘区域制作与划片道对应的盲孔阵列，盲孔的孔深大...
黄平鲍利华顾海颖王祥亮姚智圣
一种功率器件的CSP封装方法
本发明公开的一种功率器件的CSP封装方法，其包括如下步骤：步骤1：完成晶圆前道制程步骤；步骤2：晶圆正面RDL制程，包括钝化和铜覆盖层制程步骤；步骤3：晶圆正面塑封步骤；步骤4：晶圆正面研磨步骤；步骤5：晶圆背面减薄及金...
黄平
文献传递
一种扩散式CSP封装方法
本发明公开了一种扩散式CSP封装方法，包括：步骤S01：完成前道制程的晶圆；步骤S02：在步骤S01中的晶圆表面的焊盘区域形成凸块；步骤S03：对经步骤S02处理后的晶圆正面进行第一次塑封处理；步骤S04：研磨，使凸块露...
黄平鲍利华顾海颖
功率器件的CSP封装结构及其制造方法
本发明公开的功率器件的CSP封装结构，该结构利用管芯与管芯之间的划片道和/或管芯四个角处的区域，用腐蚀或者划片的方法，将这些区域的外延层去掉，露出N+衬底，之后用溅射或蒸发的方法在芯片表面蒸镀一层金属以此将衬底的N+层引...
黄平鲍利华张迪雄
文献传递
一种鳍型结构的功率MOSFET及其制备方法
本发明公开了一种鳍型结构的功率MOSFET，包括衬底、成型在衬底正面上的外延层、若干间隔且平行成型在所述外延层上的鳍型硅墙、成型在所述相邻鳍型硅墙之间的掺杂多晶硅层、成型在掺杂多晶硅层正面上且位于相邻鳍型硅墙之间的BPS...
黄平鲍利华顾海颖
一种三极管分离器件CSP封装结构及封装方法
本发明公开了一种三极管分离器件CSP封装结构及封装方法，该封装结构包括晶片(1)和布设于所述晶片(1)上的三极管，所述三极管中的两个功能引脚位于所述晶片(1)的正面，第三功能引脚位于所述晶片(1)的背面；所述晶圆背面减薄...
黄平鲍利华顾海颖
文献传递
一种功率半导体器件场限环结构的制备方法
本申请公开了一种功率半导体器件场限环结构的制备方法，包括：提供衬底，在衬底上沉积生长第一外延层，衬底和第一外延层均为第一型掺杂；在第一外延层的场限环区域刻蚀多个间隔设置的场限环沟槽；在刻蚀后的第一外延层上沉积生长第二外延...
黄平鲍利华顾海颖王祥亮
一种用于Taiko晶圆制程的静电吸盘和Taiko晶圆支撑环移除方法
本申请公开了一种用于Taiko晶圆制程的静电吸盘和Taiko晶圆支撑环移除方法，其中，静电吸盘包括中间部分和边缘部分，静电吸盘的中间部分埋设有电极，静电吸盘的边缘部分未埋设电极，静电吸盘的边缘部分与中间部分之间的表面设置...
黄平鲍利华顾海颖王祥亮
五面包封的CSP结构及制造工艺
本发明公开的一种五面包封的CSP结构，包括晶粒和附着在所述晶粒表面的压焊点、钝化层以及附着在所述压焊点上的导电体，所述钝化层覆盖在所述晶粒上表面没有被压焊点覆盖的区域且所述钝化层还覆盖在所述压焊点没有被导电体覆盖的区域，...
杨凡力
文献传递
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0