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上海世山科技有限公司

作品数：8 被引量：0H指数：0
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合作机构

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 6篇基板
  • 3篇氮化镓
  • 3篇射孔
  • 3篇排气
  • 3篇排气口
  • 3篇气口
  • 3篇厚膜
  • 3篇反应气体
  • 3篇衬底
  • 2篇自支撑
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇反应器
  • 1篇单晶
  • 1篇氮气
  • 1篇氮源
  • 1篇正压
  • 1篇筛分
  • 1篇生长率
  • 1篇气体

机构

  • 8篇上海世山科技...
  • 7篇上海正帆科技...
  • 1篇上海正帆科技...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法
本发明公开了一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法。所述方法为：在蓝宝石基板上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层；在第二缓冲层上高温生长氮化镓厚膜层；在氮化镓厚膜生长时，第一缓冲层高温热分解为镓和氮气，使氮化镓厚膜层与...
金施耐许桢金东植
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一种HVPE的气体混合装置
本实用新型公开了一种HVPE的气体混合装置，包括总反应管，总反应管内从气体入口至气体出口依次设有气体注入区、原料输送区、原料混合区及基板生长区，基板生长区内设有至少一块基板，其特征在于，所述原料输送区内设有并列布置的至少...
金施耐许桢金东植
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一种改进衬底气流方向的HVPE反应器
本发明公开了一种改进衬底气流方向的HVPE反应器，其特征在于，包括壳体，壳体的顶部设有主干，壳体内设有基板座，主干的一侧设有喷射管一、喷射管二，另一侧设有进气管二、进气管三；基板座上设有基板；基板座中心设有进气管一，进气...
许桢金施耐金东植
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一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法
本发明公开了一种氮化镓厚膜生长所需的缓冲层结构的形成方法，其特征在于，在蓝宝石基板上在反应管内部为正压且V/III ratio为10～80的条件下生长第一氮化镓缓冲层；在第一氮化镓缓冲层上在反应管内部为负压且V/III ...
金施耐许桢金东植朴昌蓝
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一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法
本发明公开了一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法。所述制作方法为：低温GaN层在基板上部生长；在低温GaN层上生长高温GaN层；把已经生长了高温GaN层的基板泡在蚀刻溶液中；低温GaN层经蚀刻后消融，则高温GaN层从基...
金施耐许桢金东植
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改进衬底气流方向的HVPE反应器
本实用新型公开了一种改进衬底气流方向的HVPE反应器，其特征在于，包括壳体，壳体的顶部设有主干，壳体内设有基板座，主干的一侧设有喷射管一、喷射管二，另一侧设有进气管二、进气管三；基板座上设有基板；基板座中心设有进气管一，...
许桢金施耐金东植
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一种单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法
本发明公开了一种单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法。所述方法为：HVPE法在蓝宝石基板上生长GaN单结晶膜：包括生长第一缓冲层的阶段，第二缓冲层的阶段，第三缓冲层的阶段；蓝宝石基板经HCI处理后，GaN单结晶膜形成拥有...
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一种改进衬底气流方向的HVPE反应器
本发明公开了一种改进衬底气流方向的HVPE反应器，其特征在于，包括壳体，壳体的顶部设有主干，壳体内设有基板座，主干的一侧设有喷射管一、喷射管二，另一侧设有进气管二、进气管三；基板座上设有基板；基板座中心设有进气管一，进气...
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