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中材人工晶体研究院(山东)有限公司

作品数:64 被引量:0H指数:0
相关机构:山东欣远新材料科技有限公司北京中材人工晶体研究院有限公司中材人工晶体研究院有限公司更多>>
相关领域:化学工程理学环境科学与工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 59篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 8篇化学工程
  • 5篇理学
  • 3篇环境科学与工...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇天文地球
  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学

主题

  • 18篇电极
  • 8篇热丝
  • 8篇坩埚
  • 7篇陶瓷
  • 7篇金属
  • 7篇晶体
  • 6篇金刚石
  • 6篇金刚石膜
  • 6篇刚石
  • 5篇电解
  • 5篇多孔
  • 5篇水处理
  • 5篇碳化
  • 5篇流体
  • 5篇晶体生长
  • 5篇臭氧
  • 4篇多孔结构
  • 4篇水处理系统
  • 4篇碳化钽
  • 4篇籽晶

机构

  • 64篇中材人工晶体...
  • 32篇山东欣远新材...
  • 8篇北京中材人工...
  • 7篇中材人工晶体...
  • 3篇中材高新材料...
  • 1篇宁波大学
  • 1篇山东工业陶瓷...

作者

  • 2篇倪代秦
  • 2篇李丹
  • 2篇周振翔
  • 1篇李勇
  • 1篇黄存新
  • 1篇陈建荣
  • 1篇高莹
  • 1篇马春生
  • 1篇张永翠
  • 1篇蒋鑫
  • 1篇徐杰

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇现代技术陶瓷
  • 1篇超硬材料工程

年份

  • 12篇2024
  • 14篇2023
  • 17篇2022
  • 21篇2021
64 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于BDD电极的电解模组及水处理系统
本发明提供一种基于BDD电极的电解模组,包括水流导向模块和电解模块;电解模块设置于水流导向模块内;电解模块包括BDD电极,BDD电极包括主体部和设置于主体部两侧的若干分支部,主体部及其两侧的若干分支部构成鱼刺状结构。本发...
王玉宝赵小玻徐金昌曹延新王晓玲张鑫维刘明昭张敬群訾蓬王传奇魏华阳
多孔石墨对碳化硅晶体生长影响的数值模拟研究
2023年
SiC是新一代射频器件和功率器件的理想材料,电阻式物理气相传输法由于具有温度均匀性,成为生长大尺寸SiC单晶的有效方法。近年来,多孔石墨等的使用提高了SiC晶体的质量和产量,而关于其机理的研究却相对较少。本文使用数值模拟的方法系统研究了多孔石墨对SiC晶体生长的影响,并进行了晶体生长验证。模拟结果表明:多孔石墨的使用提高了原料区域的温度及温度均匀性,增大了坩埚内轴向温差,对减弱原料表层的重结晶也具有一定作用;在生长腔内,多孔石墨改善了物质流动在整个生长过程中的稳定性,提高了生长区域的C/Si比,有助于减小相变发生概率,同时多孔石墨对晶体界面也起到改善作用。晶体生长结果实际验证了多孔石墨在提高传质均匀性、降低相变发生率和改善晶体外形上的作用。本文结果对于理解多孔石墨的作用机理以及改善SiC晶体生长条件具有实际意义。
李荣臻赵小玻魏华阳李丹周振翔倪代秦李勇李宏凯林清莲
关键词:碳化硅多孔石墨数值模拟晶体生长电阻加热
物理气相传输法合成AlN单晶性能表征
2023年
采用物理气相传输(PVT)法通过同质外延生长获得14 mm×12 mm的AlN单晶样品。对样品进行切割、研磨、化学机械抛光处理后,采用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、光致发光光谱仪对样品进行测试表征。拉曼测试结果表明,晶体中心区域的拉曼光谱E_(2)(high)声子模的半峰全宽为3.3 cm^(-1),边缘区域E_(2)(high)声子模的半峰全宽为4.3 cm^(-1),晶体呈现较高的结晶质量。XRD摇摆曲线表征结果显示,外延生长后的晶体中心和边缘区域的摇摆曲线半峰全宽增大至100″和205″,表明晶体内存在缺陷。XPS测试结果表明,晶体内存在C、O、Si杂质元素,杂质的原子数分数分别为0.74%、1.43%、2.14%,晶体内发现以氧杂质为主的Al—O、N—Al—O等特征峰。光致发光光谱测试结果显示,晶体内存在V_(Al)-O_(N)复合缺陷和V_(Al)点缺陷。
周振翔陈宁李丹李丹倪代秦陈建荣倪代秦李荣臻陈建荣
关键词:氮化铝
一种掺硼金刚石薄膜电极泡沫金属基体的制备方法
本发明提供一种掺硼金刚石薄膜电极泡沫金属基体的制备方法,包括:S1、将第一金属粉末、发泡剂混合后预压成型,烧结得由相互贯通的孔洞组成的多孔结构坯体;S2、将坯体放入模具中,将形状规则的填料粒子填充入坯体孔洞;S3、将第二...
曹延新玄真武王传奇徐金昌李小安訾蓬赵小玻毕涵王忠伟
一种含有碳化钽涂层的坩埚的制备方法
本申请提供了一种含有碳化钽涂层的坩埚的制备方法。先在坩埚基体的内表面制备由碳和碳化钽组成的中间层,再在中间层表面制备碳化钽涂层,得到含有碳化钽涂层的坩埚。本申请提供的制备方法具有操作简单、成本低廉、设备要求低的优点,通过...
赵小玻魏华阳谷年良訾蓬周振翔倪代秦李丹田龙王玉宝丁岩帅
一种进水方向可切换的金刚石膜电极组件
本实用新型涉及一种进水方向可切换的金刚石膜电极组件,包括壳体;所述壳体内设有阳极膜片、阴极膜片以及位于阳极膜片、阴极膜片之间的若干组离子交换膜组,所述阳极膜片为金刚石膜电极;所述离子交换膜组包括与阳极膜片平行的第一离子交...
李小安曹延新赵小玻訾蓬徐金昌王传奇冀忠辉张阁
一种原料气装置的方向校正装置
本实用新型提供一种原料气装置的方向校正装置,包括定位机构和校正机构,定位机构包括第一定位件和第二定位件,第一定位件与第二定位件连接,第一定位件的前侧面包括定位抵接面,第二定位件的底面包括定位支撑面;第二定位件上设有定位单...
杨传广张福昌王海明孟龙袁亮张耀任丽敏
一种掺硼金刚石电极及其制备方法、制备装置
本发明公开了一种掺硼金刚石电极及其制备方法、制备装置。所述的制备方法包括以下步骤:将硼源与溶剂混合,得到含硼溶液;将载气通过所述含硼溶液,得到含硼气体;将所述含硼气体通入化学气相沉积炉进行化学气相沉积;其中,所述溶剂包括...
王玉宝徐金昌赵小玻王晓玲曹延新张敬群张鑫维刘明昭潘信君訾蓬魏华阳陈豆豆
一种导电金刚石电极线、制备方法与水处理系统
本发明属于水处理技术领域,具体地说涉及一种导电金刚石电极线、制备方法与水处理系统。制备方法包括以下步骤:将至少两组热丝阵列平行安装于支撑架上;将至少一组基体丝阵列安装至支撑架上,所述基体丝阵列位于相邻的两组热丝阵列之间,...
王玉宝赵小玻魏华阳曹延新王晓玲张哲张鑫维张敬群刘明昭潘信君
一种双面掺硼金刚石薄膜电极的制备方法
本发明提供一种双面掺硼金刚石薄膜电极的制备方法,包括基体预处理、植晶、双面掺硼金刚石薄膜沉积,沉积步骤包括将基体卡设于热丝化学气相沉积装置的基台中,调整基台位于热丝化学气相沉积装置的由通过支撑装置支撑的多根相互平行的热丝...
徐金昌赵小玻訾蓬王传奇李小安曹延新毕涵玄真武田龙陈相栋
共7页<1234567>
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