上海芯元基半导体科技有限公司
- 作品数：100 被引量：1H指数：1
- 相关机构：上海蓝光科技有限公司中微半导体设备(上海)股份有限公司上海大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>
- 一种半导体器件
- 本实用新型提供一种复合衬底及半导体器件结构，所述复合衬底包括：生长衬底；凸起结构，呈周期性间隔分布于所述生长衬底上表面；其中，所述凸起结构包括金属层或金属氧化物层保护层以及位于保护层之上的半导体介质膜层。在复合衬底中，加...
- 郝茂盛袁根如张楠马艳红陈朋
- 文献传递
- 考虑小尺寸效应的Micro-LED驱动结构设计被引量：1
- 2023年
- 设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管(Micro-LED)并将其点亮,通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真,探究了Micro-LED的小尺寸效应,发现随着Micro-LED尺寸的减小,开关损耗增加。因此,针对提高小尺寸Micro-LED单点像素的驱动电流密度过程中产生的开关损耗增加的问题,模拟仿真驱动电路驱动Micro-LED的开关特性过程,进行减小开关损耗的研究。利用Sentaurus TCAD软件进行仿真,设计了一台沟道长度为0.18μm的p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)器件,将PMOS器件和Micro-LED器件通过铟凸点进行键合,并对PMOS驱动电路驱动单独Micro-LED像素进行仿真,进一步进行PMOS驱动两个Micro-LED像素的仿真,从而模拟阵列像素驱动的情况,通过比较开关延迟时间判断驱动效果并进行实验验证,发现当PMOS接入限流电阻驱动Micro-LED时,阻值越小,驱动效果越好,而且起到消除浪涌、限流分压的作用,但PMOS直接驱动Micro-LED比加入限流电阻的效果更好,PMOS驱动阵列Micro-LED相比于驱动单独Micro-LED开关损耗更小、驱动效果更好。
- 殷录桥张雪松任开琳张楠郝茂盛李春亚张建华
- 关键词：光学器件小尺寸效应
- 垂直LED芯片结构
- 本实用新型提供一种垂直LED芯片结构，其自下而上依次包括支撑衬底、P电极金属层、P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层及表面绝缘层，垂直LED芯片结构内形成有多个第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽上下对应；第一凹槽贯...
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- 半导体结构及器件
- 本实用新型提供一种半导体结构及器件，半导体结构包括：衬底、成核层、多个间隔排布的沟道及外延层；成核层形成于衬底上并覆盖衬底的上表面，为含Al氮化物层，晶向为(0001)晶向；沟道贯穿成核层且底部位于衬底中，将成核层划分为...
- 郝茂盛胡建正袁根如马艳红张楠陈朋
- 文献传递
- 一种Micro LED芯片及其制备方法和Micro LED显示器件及其制备方法
- 本发明提供了一种MicroLED芯片及其制备方法和MicroLED显示器件及其制备方法，其中，MicroLED显示器件的制备方法包括：S1、提供一外延片；外延片包括一次堆叠的生长衬底、N‑GaN层、发光层和P‑GaN层；...
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- 一种MICRO LED结构及其制作方法
- 本发明提供一种MICRO LED结构及其制作方法，包括如下步骤：1)提供生长基板；于生长基板表面形成半导体发光材料层；2)于芯片区域内的半导体发光材料层内形成环形沟槽；3)于环形沟槽的底部及侧壁形成电隔离层；4)于发光区...
- 郝茂盛张楠袁根如
- 文献传递
- 阵列micro芯片制备方法及芯片
- 本发明涉及芯片制备领域，公开了一种阵列micro芯片制备方法及芯片，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致外延层损伤的问题。该制备方法通过第一通孔与第二通孔的设计，有效解决了芯片尺寸过大的问题，通过分割芯片，使得在剥离大...
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- 薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法
- 本发明提供一种薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法，包括如下步骤：1)提供生长基板；于生长基板表面形成半导体发光材料层；2)于半导体发光材料层的表面形成环形沟槽；3)于环形沟槽的底部及侧壁形成光电隔离层；4)于半导...
- 郝茂盛张楠袁根如
- 文献传递
- 一种晶圆级封装的LED器件结构
- 本发明提供一种晶圆级封装的LED器件结构，所述LED器件结构至少包括：荧光粉基板，所述荧光粉基板包括透明基板和形成于所述透明基板上的荧光粉胶体；形成于所述荧光粉基板上的倒装结构发光二极管；覆盖于所述荧光粉胶体和倒装结构发...
- 郝茂盛张楠袁根如
- 文献传递
- 一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
- 本发明提供一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法，所述制造方法包括步骤：1）于生长衬底中定义出多个图形单元，并于所述多个图形单元间形成V型沟槽；2）于各该图形单元表面形成缓冲层；3）于各该缓冲层表面形成SiO<...
- 郝茂盛朱广敏袁根如邢志刚李振毅
- 文献传递
