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因芬尼昂技术弗拉斯有限责任两合公司

作品数：18 被引量：0H指数：0
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合作机构

文献类型

  • 18篇中文专利

主题

  • 10篇存储器
  • 7篇蚀刻
  • 7篇半导体
  • 6篇氮化
  • 6篇氮化物
  • 6篇只读存储器
  • 6篇化物
  • 6篇沟道
  • 5篇内存
  • 4篇沟渠
  • 4篇存储器单元
  • 3篇堆栈
  • 3篇字符
  • 3篇介电
  • 3篇介电体
  • 3篇半导体材料
  • 2篇抵达
  • 2篇电导
  • 2篇电荷
  • 2篇电绝缘

机构

  • 18篇因芬尼昂技术...
  • 13篇因芬尼昂技术...

年份

  • 1篇2010
  • 5篇2008
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制造及建构存储单元之方法
存储单元系包括于一半导体材质中的一源极区域(1)以及一漏极区域(2)，以及，于该源极以及漏极区域之间所提供的一沟道区域(3)之上，一具有一储存层(D’)位于边界层(A、C)之间的三层层结构以及位于该三层层结构之上的一栅极...
V·珀勒J·威尔勒
文献传递
非易失内存单元及制造方法
具背面沟道隔离的内存单元晶体管被制造而不需使用SOI基材。藉由以该字符线路堆栈做为屏蔽，该半导体材料在该字符线路两侧被蚀刻，先以不等向性蚀刻及接着为等向性蚀刻以加宽蚀刻孔洞及在栅电极下方及距离形成该栅介电体的该ONO储存...
F·霍夫曼恩J·威勒C·鲁德威格A·科尔哈塞
文献传递
用于操作闪存装置的方法
如果没有超过符合错误校正码标准的最大单个位失败的个数，则应用错误校正码，并且审查通过擦除过程已完成。
T·克尔恩
文献传递
用于操作闪存装置的方法
如果没有超过符合错误校正码标准的最大单个位失败的个数，则应用错误校正码，并且审查通过擦除过程已完成。
T·克尔恩
文献传递
具有可被禁用的控制输入的集成电路
一种集成电路，包括：控制单元，用于向所述控制单元提供控制信号的多个控制输入，以及用于禁止至少一个所述控制信号的提供的无效电路。在由所述集成电路接收第一编码的消息之后，可以通过所述无效电路禁止向控制单元提供至少一个所述控制...
J·豪菲
文献传递
具沟槽晶体管氮化物只读存储器存储单元的制造方法
一种具沟槽晶体管氮化物只读存储器存储单元的制造方法，在沟槽被蚀刻至半导体材料之前，使用一导电性位线层并将其图形化至彼此呈平行排列的部分中，其中，在图形化该位线层(3，4)之后且蚀刻该沟槽之前，导入一注入以定义接合的位置；...
C·克莱恩特C·鲁德维格J·威尔勒J·德普佩
文献传递
具沟槽晶体管氮化物只读存储器记忆单元的制造方法
在沟槽被蚀刻至半导体材料之前，使用一导电性位线层并将其图形化至彼此呈平行排列的部分中，其中，在图形化该位线层(3，4)之后且蚀刻该沟槽之前，导入一注入以定义接合的位置；或是在注入源极/漏极区域的n<Sup>+</Sup>...
C·克莱恩特C·鲁德维格J·威尔勒J·德普佩
文献传递
氮化物只读存储器存储单元阵列制造方法
在本发明的方法中，沟渠被蚀刻，且位线(8)配置于掺杂的源极/漏极区域(3，4)。使用储存层(5，6，7)，且将栅极电极(2)配置于沟渠壁。在引入用于栅极电极(2)的多晶硅之后，在所述沟渠中，以平面化的方式往回研磨所述顶侧...
J·德佩C·克莱恩特C·鲁德维格J·威尔勒
文献传递
具电荷捕捉存储器单元的半导体存储器及制造方法
在本发明具有NROM单元的半导体存储器中，该存储器晶体管(T)的沟道区域是以横切关于相关字线(2)的方向延伸，该位线是配置在该字线的顶端，而以电绝缘于该字线的方法配置，且形成电导交叉连接(21)，并分段配置于该字线间的内...
M·博鲁A·科哈塞C·鲁德维格H·帕姆J·维尔勒
文献传递
非易失内存单元及制造方法
具背面沟道隔离的内存单元晶体管被制造而不需使用SOI基材。藉由以该字符线路堆栈做为屏蔽，该半导体材料在该字符线路两侧被蚀刻，先以不等向性蚀刻及接着为等向性蚀刻以加宽蚀刻孔洞及在栅电极下方及距离形成该栅介电体的该ONO储存...
F·霍夫曼恩J·威勒C·鲁德威格A·科尔哈塞
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