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厦门市三安光电科技有限公司

作品数：782 被引量：20H指数：2
相关机构：中国电子技术标准化研究院厦门大学天津三安光电有限公司更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 730篇专利
  • 20篇期刊文章
  • 11篇标准
  • 10篇科技成果
  • 9篇会议论文

领域

  • 68篇电子电信
  • 15篇电气工程
  • 8篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 3篇经济管理
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇交通运输工程
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 447篇发光
  • 339篇二极管
  • 330篇发光二极管
  • 119篇外延层
  • 118篇电极
  • 99篇半导体
  • 84篇发光层
  • 76篇光效
  • 72篇衬底
  • 70篇氮化镓
  • 67篇光效率
  • 66篇封装
  • 65篇芯片
  • 64篇基板
  • 49篇氮化物
  • 47篇发光器件
  • 45篇多量子阱
  • 45篇制作方法
  • 44篇倒装
  • 41篇发光效率

机构

  • 780篇厦门市三安光...
  • 7篇中国电子技术...
  • 5篇厦门大学
  • 5篇天津三安光电...
  • 4篇中国电子科技...
  • 3篇国家半导体器...
  • 3篇广州赛西标准...
  • 2篇北京工业大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇TCL集团股...
  • 2篇青岛海信电器...
  • 2篇日芯光伏科技...
  • 2篇华为终端有限...
  • 2篇上海乔辉新材...
  • 1篇福建农林大学
  • 1篇华侨大学
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇惠州雷士光电...
  • 1篇济南明德光电...
  • 1篇北京星奥科技...

作者

  • 3篇刘冠洲
  • 2篇陈松岩
  • 2篇李欣
  • 2篇罗毅
  • 2篇王智勇
  • 2篇韩利生
  • 2篇韩彦军
  • 1篇林桂江
  • 1篇汪莱
  • 1篇刘秀娟
  • 1篇刘翰辉
  • 1篇李水清
  • 1篇刘建庆
  • 1篇陈文欣
  • 1篇宋明辉
  • 1篇方春玉

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 3篇太阳能学报
  • 3篇第十四届中国...
  • 2篇物理学报
  • 2篇中国新技术新...
  • 2篇第13届中国...
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇电子测试
  • 1篇电子制作
  • 1篇中国高新技术...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇山东工业技术
  • 1篇科技传播
  • 1篇现代工业经济...
  • 1篇科技与创新

年份

  • 29篇2023
  • 36篇2022
  • 39篇2021
  • 35篇2020
  • 59篇2019
  • 119篇2018
  • 66篇2017
  • 81篇2016
  • 65篇2015
  • 34篇2014
  • 38篇2013
  • 49篇2012
  • 56篇2011
  • 48篇2010
  • 25篇2009
  • 1篇2008
共 782 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
发光二极管结构及其制作方法
本发明公开了一种发光二极管结构及其制作方法，包括：衬底，第一半导体层和第二半导体层夹着的发光外延层，其中第一半导体层内包含离散的铟团簇，铟团簇的成分为铟金属，铟团簇覆盖有表面等离激元层。
朱学亮邵小娟张洁刘建明杜成孝杜彦浩徐宸科
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氮化物发光二极管
本发明公开了一种氮化物发光二极管，其根据光学各向异性的原理，结合应力对MQW的o光的介电常数虚部ε<Sub>2</Sub>和跃迁机率影响的原理，通过增加MQW的张应力，增强沿C轴方向的o光的跃迁机率，提升从正面出光，可有...
郑锦坚邓和清伍跃明徐宸科寻飞林李志明杜伟华周启伦李水清康俊勇
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具有高导通n型欧姆接触的发光二极管及制作方法
本发明公开了一种具有高导通n型欧姆接触的发光二极管及制作方法。在本发明中，发光二极管，在发光外延层的n侧上形成一电子浓度达1×10<Sup>20</Sup>cm<Sup>-3</Sup>以上的高掺杂n型欧姆接触缓冲层，当...
叶孟欣吴志强黄少华周启伦
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一种半导体发光器件及其制备方法
本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法。半导体发光器件包括：衬底，具有衬底正面和衬底背面；形成在衬底正面上的堆叠外延层，堆叠外延层包括依次形成在衬底正面上的第一半导体层、有源层以及与第一半导体层的导电类型相反的第二半导...
钟志白李佳恩张敏卓昌正徐宸科康俊勇
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具有凸起结构的氮化镓基高亮度发光二极管
本实用新型公开的一种具有凸起结构的氮化镓基高亮度发光二极管，在衬底上依次生长一由N型电极接触、发光区和P型电极接触层叠构成的外延层，透明导电层形成于P型电极接触上，P电极与导电层连接，N电极与N型电极接触连接，在N型电极...
沈孟骏郑建森林科闯
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一种HBT制造方法
本发明公开了一种HBT制造方法，是对半导体基片依次进行发射极台面腐蚀以留出发射极的电极形成区域并露出基极层的电极形成区域并制作基极电极，进行基极台面腐蚀以露出集电极层的电极形成区域并制作集电极电极，于发射极的电极形成区域...
朱庆芳魏鸿基王江窦永铭许燕丽李斌
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一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法
本发明公开了一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法。本发明通过变更不同的蒸镀条件得到ITO层的粗化，破坏了光子在经过ITO与空气界面时发生的发射现象，增加了光子逃出器件表面的几率，提高了发光效率。另一方面，本发明直接在蒸镀...
廖齐华许亚红李水清林雪娇黄慧君卢利香
新型冰水机
新型冰水机，用于激光划片机或者其他设备，其特征在于：新型冰水机包含外壳、内部结构，所述内部结构包含除杂系统、冷却系统、监控系统。通过除杂系统进行紫外光抑制微生物生长，通过监控系统反馈水质信息及提供报警信息。可达到保证水质...
杨硕郑建森陈海波
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一种半导体元件的固晶方法及半导体元件
本发明公开一种半导体元件的固晶方法及半导体元件，半导体元件的固晶方法提供了具有强于半导体元件电极材料对气态污染物或颗粒状污染物吸附力的保护组件，组件组成成分包括活性炭、多孔陶瓷或者有机基团，防止在固晶过程中电极被污染，从...
陈婉君林泉
微元件的巨量转移方法
本发明提供一种微元件的巨量转移方法，包括步骤：1)采用整面光敏材料抓取微元件；2)利用微元件作为光刻掩膜版，将光敏材料制作成梯形结构及支撑微柱；3)采用机械力压断支撑微柱，实现所述微元件的巨量转移。本发明采用整面的光敏材...
钟志白李佳恩郑锦坚郑建森徐宸科康俊勇
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