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中锗科技有限公司
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一种金钢线切片后锗泥清洗方法
本发明公开了一种金钢线切片后锗泥清洗方法,所用金钢线切片后锗泥清洗装置包括:过滤网、喷淋池、晶片支架、盖板、开盖气缸、污水回收溢流储水箱、加热管、喷淋管、喷淋摆动气缸、喷淋泵和过滤器;清洗方法包括:1)将金钢线切割完成的...
张国辉
柯尊斌
王卿伟
一种去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法
本发明公开一种去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法,包括如下步骤:清洗剂准备:将草酸溶于去离子水中,配制成浓度为0.05~0.15mol/L的草酸清洗剂,并向带有药液循环系统的清洗槽中加入10~20L上述清洗剂,清洗剂保...
柯尊斌
张海华
魏海龙
孙小华
席珍强
文献传递
一种检测区熔锗锭P型、N型的方法
本发明公开了一种检测区熔锗锭P型、N型的方法,将待测锗锭置于热源和热成像仪之间,打开热源,并利用热成像仪扫描成像,若显示图像可以穿透锗锭,则说明扫描区域为N型,若显示图像为条状暗影,则说明扫描区域为P型。本发明检测区熔锗...
房现阁
尚宇声
剧云鹏
童三红
王卿伟
一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚
本实用新型公开了一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚,包括圆筒形埚壁;圆筒形埚壁内侧底部设有向外凸出的弧形埚底;圆筒形埚壁顶部沿周边均布有两个以上相同深度的配重盲孔;弧形埚底为曲率半径为从周边到中心逐渐增大的结构,弧形埚底...
柯尊斌
陆海风
秦瑶
王卿伟
陈仕天
文献传递
一种GaAs/InGaP双结表面等离子体增强太阳能结构
本发明公开了一种GaAs/InGaP双结表面等离子体增强太阳能结构,包括从下到上依次相接的下电极、第一子电池、透明导电层、第二子电池和上电极;第一子电池为GaAs电池,包括从下到上依次相接的第一背场层、第一基层、第一发射...
张新勇
柯尊斌
徐卫
王卿伟
文献传递
一种用于半导体衬底片的减薄机高稳定吸附装置
本实用新型公开了一种用于半导体衬底片的减薄机高稳定吸附装置,包括吸附盘、固定板和活动板;吸附盘的两侧设有两个相对设置的缺口;吸附盘的轴心处设有抽气孔;吸附盘的吸附面设有同心设置的五圈以上圆环吸附槽和三道以上沿径向设置的连...
宋志强
柯尊斌
刘兴达
周锐
王卿伟
一种磷化铟衬底片定位磨边装置及方法
本发明公开了一种磷化铟衬底片定位磨边装置及方法,定位磨边装置,包括操作台和plc控制柜,操作台上设有卡塞卡槽、第一抓取装置、定位装置、平边探测装置、第二抓取装置、磨边装置、第三抓取装置、清洗装置、第四抓取装置和存储装置。...
周锐
刘桂勇
刘兴达
柯尊斌
王卿伟
一种一体式红外透镜加工支撑装置
本实用新型公开了一种一体式红外透镜加工支撑装置,包括支撑筒和连接座;连接座设在支撑筒底部,支撑筒和连接座为一体成型结构,支撑筒的底部设有沿轴向设置的第一真空通道,连接座上设有沿轴向设置的第二真空通道,第一真空通道和第二真...
李刚
聂平
柯尊斌
王卿伟
文献传递
锗晶体缺陷图谱
本标准规定了锗多晶、锗单晶制备私机械加_卫过程,卜产生的缺陷,给出’r各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单品、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。
一种锗晶片双面抛光的方法
本发明公开了一种锗晶片双面抛光的方法,抛光设备包括下盘、上盘和游星轮;下盘和上盘同心且相对设置、二者相对面上均设有抛光垫;上盘上有流药孔;下盘为环形,下盘内环内侧设有内齿圈,上盘外环外侧设外齿圈,内齿圈和外齿圈均可旋转,...
宋志强
刘兴达
柯尊斌
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