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中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司

作品数：241 被引量：0H指数：0
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关领域：电子电信文化科学矿业工程自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 241篇中文专利

领域

  • 32篇电子电信
  • 4篇矿业工程
  • 4篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 230篇半导体
  • 138篇导体
  • 138篇半导体结构
  • 96篇栅极
  • 96篇半导体器件
  • 79篇介质层
  • 77篇栅极结构
  • 62篇掺杂
  • 49篇隔离层
  • 48篇刻蚀
  • 47篇衬底
  • 45篇侧墙
  • 41篇基底
  • 27篇掩膜
  • 27篇牺牲层
  • 23篇插塞
  • 21篇保护层
  • 20篇接触孔
  • 19篇膜层
  • 18篇基底表面

机构

  • 241篇中芯国际集成...
  • 239篇中芯国际集成...

年份

  • 4篇2023
  • 42篇2022
  • 39篇2021
  • 25篇2020
  • 129篇2019
  • 2篇2018
共 241 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中具有凹槽；位于所述凹槽底部和侧壁中的源漏掺杂区；位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构侧壁，所述介...
李勇
文献传递
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，衬底包括栅极区和位于所述栅极区两侧的源漏区，衬底上具有第一鳍部以及位于所述第一鳍部两侧的第二鳍部，第一鳍部和第二鳍部分别自栅极区一侧的源漏区贯穿至另一侧的源漏区；在衬...
周飞
文献传递
半导体器件及其形成方法
一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；形成侧墙和阻挡层，侧墙位于栅极结构的侧壁，阻挡层位于侧墙的侧壁表面，且侧墙位于阻挡层和栅极结构之间，侧墙的材料中具有改性离子；在所述栅极结构、侧...
余仁旭丁士成
文献传递
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述隔离区鳍部中具有开口；在所述衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁，且所述初始隔离结构填充所述开口；在所述隔离区初始...
张焕云吴健
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和鳍部，衬底包括PMOS区和NMOS区；形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部和侧壁的栅极层；在PMOS区栅极层两侧鳍部内形成P型掺杂外延层；在NMOS区鳍部顶部和侧壁上形成N区掩膜...
李勇
文献传递
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；在基底上形成隔离结构，所述隔离结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出鳍部的部分侧壁；在所述第一开口内形成保护层，所述保护层覆盖鳍部的侧壁；去除部分鳍...
李勇
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存储器及其工作方法和形成方法
一种存储器及其工作方法和形成方法，其中，所述存储器包括：位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一掺杂离子；位于所述第一阱区顶部表面的第二阱区，所述第二阱区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导...
廖淼潘梓诚
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部柱，所述鳍部柱包括底部区，位于所述底部区上的沟道区以及位于所述沟道区上的顶部区；在所述衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述鳍部柱底部区；...
张焕云吴健
文献传递
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口；在所述第一开口内形成第一互连部和位于第一互连部上的第三开口；在所述第三开口内形成第二互连部，所述第二互连部材料的...
袁可方王梓周俊卿
文献传递
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区、第二区以及位于第一区和第二区之间的第三区，所述第三区基底上具有纳米线柱；去除所述纳米线柱以及纳米线柱底部部分的基底，在所述第三区基底内形成隔离开口；...
李勇
文献传递
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