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北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心

作品数:122 被引量:832H指数:15
相关作者:张金伟马荣张鲁玉张宏波陈顺利更多>>
相关机构:河北大学电子信息工程学院中国科学院半导体研究所兰州大学材料科学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 84篇期刊文章
  • 38篇会议论文

领域

  • 49篇一般工业技术
  • 33篇理学
  • 23篇电子电信
  • 14篇化学工程
  • 12篇金属学及工艺
  • 10篇电气工程
  • 3篇经济管理
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇社会学
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 18篇纳米
  • 13篇复合材料
  • 13篇催化
  • 13篇复合材
  • 12篇光催化
  • 12篇掺杂
  • 11篇炭复合材料
  • 10篇纳米硅
  • 9篇发光
  • 7篇纳米硅薄膜
  • 7篇光催化性
  • 7篇光催化性能
  • 7篇硅薄膜
  • 7篇催化性
  • 6篇微结构
  • 6篇光电
  • 6篇半导体
  • 6篇TIO
  • 5篇溅射
  • 5篇光致

机构

  • 122篇北京航空航天...
  • 13篇中国科学院
  • 7篇兰州大学
  • 7篇河北大学
  • 5篇清华大学
  • 3篇安徽理工大学
  • 3篇西北工业大学
  • 2篇北京大学
  • 2篇北京科技大学
  • 2篇郑州轻工业学...
  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇贵州科学院
  • 1篇南京大学
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇昆明理工大学
  • 1篇温州师范学院
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇中央民族大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学院力...

作者

  • 73篇王天民
  • 31篇郝维昌
  • 17篇张俊英
  • 15篇罗瑞盈
  • 13篇王聪
  • 13篇何宇亮
  • 13篇韦文生
  • 10篇张春熹
  • 10篇刁训刚
  • 9篇潘锋
  • 8篇王金良
  • 7篇彭英才
  • 6篇李进松
  • 6篇熊常健
  • 6篇周克足
  • 6篇宋仁国
  • 5篇张维佳
  • 5篇刘涛
  • 4篇钟立志
  • 4篇李建军

传媒

  • 11篇炭素技术
  • 10篇材料导报
  • 8篇功能材料
  • 5篇稀有金属
  • 5篇功能材料与器...
  • 4篇Journa...
  • 4篇红外
  • 4篇材料工程
  • 4篇激光与红外
  • 2篇物理学报
  • 2篇兰州大学学报...
  • 2篇中国稀土学报
  • 2篇航空精密制造...
  • 2篇2006北京...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇环境科学学报
  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇大自然探索
  • 1篇高等学校化学...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 9篇2009
  • 8篇2008
  • 9篇2007
  • 7篇2006
  • 13篇2005
  • 16篇2004
  • 12篇2003
  • 11篇2002
  • 4篇2001
  • 13篇2000
  • 9篇1999
  • 2篇1998
122 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
静电自组装制备低维纳米结构的最新进展
2005年
静电自组装技术是一种能够方便地实现低维纳米结构组装的新工艺。由于其具有工艺简单、所得体系热力学稳定性好等优点而受到众多研究小组的重视。详细介绍了静电自组装成膜驱动力的研究结果和近10年来取得的重要进展,并对静电自组装工艺的优缺点进行了评述。
郝维昌潘锋王天民
关键词:静电自组装复合膜低维结构
Li,Co共掺杂ZnO纳米颗粒的结构和磁性研究被引量:5
2009年
利用溶胶-凝胶法制备了不同组分的Zn0.95-xCo0.05LixO纳米颗粒,并通过透射电子显微镜、X射线衍射、紫外-可见吸收光谱和振动样品磁强计对其结构和磁性进行了系统的研究。结果表明,当Li掺杂比例在7%以下时,Zn0.95-xCo0.05LixO纳米颗粒仍具有很好的ZnO六角纤锌矿结构,但随着Li掺杂量的增加,晶格常数a和c值略有减小;Zn0.95-xCo0.05LixO的室温铁磁性随x的增大而显著增强。当Li掺杂量达到9%时,在Zn0.95-xCo0.05LixO纳米颗粒的XRD谱中检测出第二相的LiCoO2団簇,样品的铁磁磁化强度明显下降。表征结果显示Li掺入Zn0.95Co0.05O的反应过程可以分为3个阶段。前两个阶段分别在材料中引入了Li′Zn深能级缺陷和Li+填隙离子,第三个阶段则产生了LiCoO2第二相结构。样品铁磁性的变化与Li掺杂引入的这些缺陷和第二相有关,可由束缚磁极化子(BMP)模型解释。
李建军郝维昌许怀哲王天民
关键词:稀磁半导体
超辐射LD与带类球透镜保偏光纤的耦合技术被引量:7
2005年
采用高斯模场近似和模场匹配方法,对超辐射激光二极管与带类球透镜单模熊猫型保偏光纤的耦合,进行了仿真计算和实验研究。分析了耦合效率与光源激发的光模场、光纤结构及光纤头部形状、耦合工作参数等因素的关系。通过改进耦合技术获得了较高的耦合效率。
韦文生周克足张春熹王天民
关键词:耦合技术
几种典型高分子材料的生命周期评价被引量:50
2004年
利用生命周期评价方法(LifeCycleAssessment,LCA)讨论了PE、PP、GPPS及PVC4种高分子材料的环境影响问题.结果表明,材料生产的环境影响不仅与资源消耗有关,而且与其各自的工艺环节有着密切的关系.此外,采用不同的LCA方法得到的4种高分子材料的环境负荷的相对值虽然相差很大,但其不同环境负荷之间的排序基本一致.
陈红郝维昌石凤王天民
关键词:高分子材料生命周期评价塑料工业LCA方法环境影响评价方法
PECVD生长nc-Si:H膜的掺杂特性研究被引量:2
1999年
采用常规PECVD工艺,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源,以PH3 作为P原子的掺杂剂,在P型(100) 单晶硅(c- Si) 衬底上,成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc- Si(P):H) 膜。通过对膜层结构的Raman 谱分析和高分辨率电子显微镜(HREM) 观测指出:与本征nc- Si:H 膜相比,nc- Si(P):H 膜中的Si 微晶粒尺寸更小(~3 nm) ,其排布更有秩序,呈现出类自组织生长的一些特点。膜层电学特性的研究证实,nc- Si(P):H 膜具有比本征nc- Si:H 膜约高两个数量级的电导率,其σ值可高达10- 1 ~101 Ω-1cm -1 。这种高电导率来源于nc- Si(P): H 膜中有效电子浓度ne 的增加、Si 微晶粒尺寸d 的减小和电导激活能ΔE的降低。
彭英才刘明何宇亮
关键词:显微结构电导率氢化纳米硅PECVD
Mg掺杂对ZnO发光性能的影响
ZnO室温下的禁带宽度约为3.3 eV,在室温下的激子发射效率较高,在制备紫外探测器、半导体激光器和发光二级管等光电器件方面具有广阔的应用前景。MgO在室温下的禁带宽度为7.70eV,其品格常数与ZnO相近。Mg掺杂的Z...
王旭马晶郝维昌王天民
文献传递
炭/炭复合刹车材料的防氧化技术研究进展被引量:3
2004年
从炭/炭复合材料氧化特点、抗氧化要求出发,综述了基体改性技术和涂层技术,对炭/炭复合材料防氧化研究进展进行了详细的介绍,提出了对其高温抗氧化研究方向的一些观点。
丁海英罗瑞盈张宏波李进松刘涛
关键词:抗氧化基体改性涂层
NiTi合金生物医用材料表面改性的研究进展被引量:8
2009年
NiTi形状记忆合金作为重要的生物医用材料已经获得了广泛的应用,但Ni离子在人体环境中的释放引起了人们的忧虑。系统介绍了近年来表面改性提高NiTi合金生物相容性的主要方法、技术特点和优势。在众多的研究方法中,热氧化和自组装方法因具有工艺简单、成本低等优点而最具工业应用前景。有关NiTi合金表面涂层与细胞和血液的相互作用机理的研究亟待加强,微观方面应重视基因水平的评价,宏观方面应加强活体植入的研究。研究机构应与产业界密切配合,进一步推动相关涂层的产业化进程。
郝维昌董平苏向东王天民
关键词:NITI合金表面改性生物活性
稀土钇掺杂纳米钛酸钡基介电陶瓷的合成及其性能研究被引量:15
2005年
采用常压水相法,在100℃以下制备了一系列Ba1-xSrxYyTi1-yO3固溶体纳米粉末(0≤x≤0.4,0≤y≤0.1),产品为乳白色的完全互溶取代固溶体,经SEM形貌观察,粒子为均匀球形。经过造粒、成型、烧结,并测定了该系列固溶体的室温介电常数,制得了具有高介电常数的稀土掺杂纳米介电陶瓷粉体。结果表明,用常压水相方法在BaTiO3中复合掺杂适量锶和钇,由于掺杂离子均匀进入母体晶格,使室温介电常数高达9500,比BaTiO3纯相提高约5倍,比复合掺杂前提高了近3倍。
陈慧英李怡敏杨泽玮李转秀熊常健李辉
关键词:BATIO3介电陶瓷稀土掺杂介电特性
Cr12MoV钢电子束表面熔凝处理后的组织和硬度
本文采用电子束对Cr12MoV模具钢进行表面熔凝处理,并利用光学显微镜及显微硬度计等研究了材料在电子束表面熔凝处理后的显微组织及硬度变化规律。研究结果表明,Cr12MoV模具钢经电子束表面熔凝处理后的显微组织可以明显地划...
宋仁国陈光南张坤
文献传递
共13页<12345678910>
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